面向高信道衰减的低功耗112 Gibit/s Duo-binary PAM4 SerDes发射机设计

2022-11-22 08:34唐子翔吕方旭师剑军张金旺
电光与控制 2022年11期
关键词:输出阻抗发射机信道

唐子翔, 吕方旭, 师剑军, 张金旺, 王 正, 李 鹏

(1.空军工程大学,a.研究生院; b.防空反导学院,西安 710000; 2.国防科技大学计算机学院,长沙 410000)

0 引言

近年来大数据产业蓬勃发展,飞速增长的数据量引发了对数据处理需求和传输需求的爆发式增长,传统的并行接口随着通信速度的不断提升,多条紧挨的通道之间会出现严重的串扰和耦合,严重影响信号质量。而高速串行接口(SerDes)采用一对差分线进行信号传输,抗噪声、抗干扰能力强,因此串行接口逐步取代并行接口,节约了信道和 I/O 管脚,消除了同步问题,成为了主流高速接口[1]。在数据率飞速发展中,传统的不归零码(Non Return Zero,NRZ)调制在100 Gibit/s以上的高速串口应用中信道衰减影响凸出,因此,四电平脉冲幅度调制串行接口逐渐取代NRZ,其奈奎斯特频率是NRZ的一半,较好地解决了数据在强信道衰减下误码过高的问题[2]。

在这样的背景下,对高速SerDes进行深入研究。设计基于Duo-binary PAM4编码技术的112 Gibit/s的SerDes发射机,Duo-binary PAM4编码其奈奎斯特频率更是PAM4的一半,显著减少了面临的信道损耗。本文概括介绍了发射机总体电路架构,具体分析发射机的关键模块,并给出仿真验证结果。

1 发射机电路架构

发射机是SerDes系统的数据发射端,用于将处理器、存储器或者传感器发出的多路并行数据串行化,并通过信道传输到接收机。实现高速数据的串行与均衡是发射机的主要任务。本文设计的发射机采用DSP+DAC架构,主要由预编码模块、DB(Duo-binary)模块、64∶4并串转换模块、1/4速率的四合一高速合路器、SST驱动电路组成,其系统框图见图1。

图1 发射机系统框图Fig.1 Block diagram of transmitter system

电路接收由伪随机码产生的64路875 Mibit/s的并行信号,经过预编码模块来消除前后码元的相关性,后经过DB模块产生双二进制信号,64∶4并串转换模块将64路875 Mibit/s合成14 Gibit/s的高速串行信号,该模块所需的时钟由锁相环(Phase Locked Loop,PLL)产生的14 GHz时钟信号分频提供;之后利用相位相差90°的时钟产生输出脉冲,并将4路数据串化成1路高速的数据流,最后由驱动模块实现驱动,输出112 Gibit/s Duo-binary PAM4信号。

2 发射机电路设计

2.1 Duo-binary PAM4编码

当前主流的调制方式为NRZ与PAM4调制,NRZ调制使用高低电平“0”和“1”传输信号,NRZ 调制 1UI 只能传输 1 bit 的“0”或“1”,而PAM-4 调制则采用4个电平“0”,“1”,“2”,“3”(对应二进制编码为“00”,“01”,“10”,“11”),在 1UI 的时间内能传输 2 bit 的信息。相比于NRZ调制,PAM4实现了加倍的数据传输速率,并且在相同速率下,PAM4的奈奎斯特频率是NRZ的一半,使得信号遭受的信道损耗大幅减少。然而随着数据率的飞速发展,信道损耗问题越来越严重,制约了NRZ调制在100 Gibit/s以上高速串口中的应用。在这种情况下,PAM4逐渐取代NRZ,其奈奎斯特频率是NRZ的一半,成为超高速串口的主流调制方式。而Duo-binary PAM4编码在PAM4的基础上,其奈奎斯特频率更是PAM4的一半,如图2所示(112 Gibit/s Duo-binary PAM4信号的奈奎斯特频率为14 GHz,而PAM4信号为28 GHz,NRZ信号为56 GHz),这带来了以下好处:1) 使得信号遭受的信道损耗大幅减少,56 Gibit/s NRZ信号在奈奎斯特频率处的损耗高达70 dB,PAM4信号降低为36.16 dB,而DB-PAM4信号降低到了20.9 dB,如图3所示;2) 信号接收端采用同样的采样率可以获得更多的采样点,数据精度提高。

图2 功率谱密度Fig.2 Power spectral density

图3 信道损耗Fig.3 Channel loss

图4所示为NRZ信号转换成DB信号的线性模型。将两个相邻不相关的码元变成相关的三电平DB信号。DB信号进行传输时会出现差错传递,因此,在进行双二进制转换前加入预编码电路来消除前后码元的相关性[3]。

图4 线性模型Fig.4 Linear model

预编码实现模二相加运算,将输入的二进制序列{bn}预编码成为序列{dn},即

dn=bn⊕dn-1。

(1)

电平转换将经过预编码的{dn}序列由单极性{0,1}转化为双极性码{an}序列{-1,1},实现功能

an=2dn-1

(2)

通过延时相加电路生产DB序列{cn}

cn=an+an-1=2(dn+dn-1-1)

(3)

化简得

dn+dn-1=(cn/2)+1

(4)

由式(1)和式(4)将输入序列{bn}表示为

bn=dn⊕dn-1=(cn/2+1)mod2

(5)

2.2 1/4速架构的4∶1 MUX设计

高速的合路器设计是SerDes发射机设计的关键,合路器必须要提供充足的时序裕度以保证时序的正确性[4-6]。传统的1/2速架构合路器留给数据建立和保持的时间只有1UI,当数据率达到100 Gibit/s时,1UI仅为10 ps,为了扩展时序裕度,设计了基于4∶1合路器的1/4速架构,合路器的结构如图5所示。其时钟频率是输出频率56 Gibit/s的1/4即14 GHz。每个脉冲产生单元在2个相差90°相位且周期是4UI宽度周期的时钟驱动下产生1UI的数据输出脉冲。这4个相同的脉冲产生单元然后在流水线时钟的驱动下将4路数据串行化成1路高速的数据流输出[7-9]。

图5 合路器架构Fig.5 Architecture of MUX

图6给出了4∶1 MUX的仿真输出眼图。从仿真结果可以看出,该结构的输出眼宽大约是17.8 ps,且4只眼睛均匀,最大抖动为225 fs。

图6 仿真眼图Fig.6 Eye diagram of simulation

2.3 驱动电路设计

驱动器有两种基本结构,即电流模驱动(Current-Mode Logic,CML)和电压模驱动(Source-Series Terminated,SST)。在输出相同摆幅时,电压模驱动所需的电流仅为电流模驱动的1/4。在高速情况下,电压模式驱动器比电流模式驱动器更快,线性度更好,并提供更好的垂直和水平眼开口,因此,本文采用SST驱动电路实现112 Gibit/s DB-PAM4。SST电路的输出阻抗由串联电阻和反相器输出阻抗决定。每条支路并联输出阻抗设定为50 Ω,以实现阻抗匹配[10]。

为了实现SST驱动的输出阻抗的校准,本文采用结构如图7所示的输出阻抗校准电路。

图7 阻抗校准的电压模驱动Fig.7 Voltage mode drive for impedance calibration

该电路将传统的SST驱动电路分成N个相同、并联连接的子单元,其中K个子单元是导通的(K

3 发射机整体仿真验证

本文发射机是基于CMOS 28 nm工艺进行设计的。设计验证时,采用伪随机码作为并行输入数据,采用锁相环(PLL)产生14 GHz的时钟作为原输入信号并进行的分频处理给各模块提供对应的时钟,进行仿真验证得到发射机的眼图,如图8所示。

图8 发射机仿真眼图Fig.8 Simulation eye diagram of transmitter

其中,6只眼睛垂直张开高度从上而下依次为80.78 mV,82.44 mV,84.12 mV,79.27 mV,88.65 mV,86.78 mV;水平张开宽度依次为14.86 ps,13.76 ps,13.86 ps,14.64 ps,13.96 ps,15.63 ps;6只眼睛垂直张开高度比例为1∶1.02∶1.04∶0.98∶1.09∶1.07。6只眼睛最小的垂直张开高度为79.27 mV;最小的水平张开宽度为13.76 ps,约为0.7UI。可以看出本文设计的发射机电路性能良好,满足设计要求[14-17]。

4 结论

本文基于CMOS 28 nm工艺,设计了一款数据率为112 Gibit/s的Duo-binary PAM4发射机。1/4 速架构的4∶1MUX模块采用CML结构,驱动电路采用输出阻抗可调整的电压模驱动,采用64 bit的伪随机码作为输入数据,建立仿真测试环境。仿真测试结果表明,当发射机工作在112 Gibit/s时,MUX电路功能正确,设计的发射机能工作于设计的速率,符合设计要求。

从与其他发射机性能的对比结果可以看出,本文设计的发射机与先进的10 nm工艺设计相比,眼高有着更好的性能,与相近的40 nm工艺比,也有着功耗低的优势。

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