1 064 nm激光高反膜残余应力及其形变分析

李阳，徐均琪，苏俊宏，袁松松，刘祺，刘政

1 064 nm激光高反膜残余应力及其形变分析

李阳1，徐均琪1，苏俊宏1，袁松松1，刘祺1，刘政2

（1.西安工业大学 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室，西安 710021；2.中国科学院西安光学精密机械研究所 先进光学制造技术联合实验室，西安 710119）

由于光学薄膜自身的残余应力，致使镀膜前后基底面型变化较大。针对这一问题，本文制备单层膜和激光高反膜，明确单层膜应力机制，以此研究不同膜系高反膜的应力情况及其面型变化，通过增加压应力补偿层减小面型变化，为制备微变型激光高反镜提供方法。从理论上分析单层膜残余应力机制，采用等效参考温度的方法代替光学薄膜本征应力的效果，通过仿真方法得到薄膜的本征应力。使用有限元分析和试验方法研究激光高反膜的残余应力情况。以单层膜试验为依据，使用等效参考温度、生死单元和载荷步技术，仿真分析多层膜–基系统的残余应力分布及其面型变化。采用电子束热蒸发技术制备不同的高反膜，通过Zygo激光干涉仪测试其镀膜前后的面型，分析基底初始面型、膜料和膜系对高反镜面型的影响。仿真发现，多层膜–基系统残余应力呈现层状分布，从基底到膜层由拉应力变为压应力，再由压应力变为拉应力。在残余应力作用下，整个多层膜–基系统呈凹形，位移呈环状分布。对于TiO2/SiO2组合，通过分析对比不同膜系下对应每一层膜层的残余应力及其对整体面型的影响，发现膜系G│(HL)10H2L│A比 G│(HL)10H│A面型的变化更小。试验发现，通过增加压应力补偿层使得高反膜的残余应力减小，高反镜（熔石英基底，30 mm×2 mm）的面型基本没有变化（Δ=0.004λ），这与仿真结果一致。熔石英基底上TiO2、HfO2、H4和SiO2的本征应力在残余应力中起主导作用，TiO2、HfO2和H4一般表现为拉应力，SiO2表现为压应力。不同膜料组合的高反膜体系均表现为压应力。膜系G│(HL)10H2L│A比G│(HL)10H│A残余应力和面型变化更小，其残余应力为－39.70 MPa，比不加补偿层减小了22.26 MPa，面型基本没有变化。当加2L应力补偿层时，在满足光谱特性的基础上可以平衡多层膜整体残余应力。

多层膜；残余应力；等效参考温度；生死单元；应力补偿层；面型

在高功率大能量激光系统[1]、自适应光学系统以及“神光”系列装置[2]中，包括许多有精确面型要求的反射镜。这些反射镜一般是通过在光学元件表面镀制高反膜来实现的，但是镀膜后常常会由于薄膜的残余应力较大，致使镀膜后元件面型发生改变。研究表明，在玻璃基底（径厚比为13.5）上镀制Ta2O5/SiO2高反膜，镀膜后面型变化量（Δ）达到1.451而影响实际使用[3]。对于高精度的激光反射镜，不仅要拥有高反射率和高激光损伤阈值，而且要求镀膜后元件面型基本保持不变。

如何提高高反膜的反射率和抗激光损伤阈值，许多学者做了相关研究[4-6]，然而对于高反膜的应力及面型变化的研究较少。由于薄膜的残余应力是引起镀膜件面型变化的主要原因，因此对镀膜件面型的控制主要是对薄膜残余应力的控制。薄膜的残余应力与沉积工艺参数密切相关[7-8]，使用薄膜工艺耦合技术[9]，通过调整薄膜厚度[10]、沉积温度、氧分压[11]、沉积速率、离子束辅助[12]、退火处理[13]等工艺参数[14-15]，可以控制薄膜的残余应力，也可以通过在反射镜元件的背面镀SiO2膜层，利用薄膜的应力反向拉伸，从而达到调整面型的目的[3]，此方法对于较厚的基底元件具有局限性。由于通过试验方法来调控薄膜的残余应力，需要耗费大量财力物力，因此通过模拟仿真来分析薄膜应力的方法[16-17]逐渐被使用。由于光学薄膜应力成因复杂，模型多样[18-19]，使得光学薄膜的应力仿真道路坎坷。对于多层膜的残余应力及其面形变化的仿真，目前常用的有2种方法。第一种方法为直接加载应力[20]，此方法是把薄膜的残余应力当作外部载荷，直接加载到基底表面，可以看到面型变化，却无法查看具体应力值。第二种方法是采用等效替代的方法[21-23]来仿真膜层的本征应力，这种方法可以直观地看到膜–基残余应力分布以及面形变化，但是模型复杂，计算量庞大。

基于上述讨论，本文分析了高反膜常用氧化物薄膜残余应力机制，以单层膜应力情况为依据，使用Ansys仿真软件，建立多层膜残余应力模型，考虑到多层膜层状分布与复合材料的铺层[24-26]相似，采用Shell单元中的Section来仿真膜层，简化膜层建模，结合等效参考温度和生死单元技术，明确不同膜系下膜–基结构的应力分布和面型变化，为光学薄膜残余应力的仿真提供方法。制备不同的高反膜，研究初始面型、膜料以及膜系对高反镜面型的影响，以仿真试验为指导，通过增加高反膜中压应力匹配层，最终得到微变型激光高反镜，为制备微变型高反镜提供指导。

本研究以江苏省第九届园博会——苏州太湖园博会为例，设计出江苏省第九届苏州太湖园博会游客满意度调查问卷，进行了问卷预调查，修改完善问卷的选项设置及语句表达，使问卷结构更科学合理、语句更简洁清晰易懂，形成最终的调查问卷。于2018年6—7月对有参观游览经历的当地居民及游客进行线上及线下正式问卷调查，获取一手数据并进行数据统计与分析。调查过程中共发放问卷300份，回收282份，剔除无效问卷12份，有效率为90%。

1 试验

1.1 薄膜制备

使用ZZS500-2/G真空箱式镀膜机，膜料选用北京有色金属研究院的薄膜材料，采用电子束蒸发沉积薄膜，使用光电极值法对薄膜厚度进行监控，采用短波控制长波的方法制备高反膜。基底为熔石英（30 mm× 2 mm），镀膜采用的工艺参数见表1，监控波长为520 nm，光学厚度为0/2（0=1 064 nm）。

表1 薄膜制备的工艺参数

Tab.1 Process parameters of films preparation

1.2 性能测试

薄膜的残余应力由薄膜的热应力和本征应力组成。薄膜的热应力由薄膜与基底材料的热膨胀系数差异和沉积前后的温度差异决定。基底上单层膜热应力[22]可以表示为：

在膜系为G│(HL)10H│A和G│(HL)10H2L│A的TiO2/SiO2多层膜残余应力的作用下，方向的位移分布如图4所示，整个多层膜系统呈凹形，位移呈环状分布，边缘处变形最大。在残余应力作用下，多层膜膜系为G│(HL)10H2L│A比G│(HL)10H│A面型变化更小，膜系为G│(HL)10H2L│A的面型 更好。

式中：s和f分别为基底和薄膜的厚度；s和s分别为基底材料的弹性模量和泊松比；s为基底的直径；Δ为镀膜前后PV值的差值。使用Zygo Verifire激光干涉仪（4″Verifire PE），在遮光环境和气浮光学隔振平台上，采用编号121031的标准镜对熔石英基片镀膜前后的面型进行测量，测试波长为632.8 nm。根据式（1）、（2）可以分别计算得到薄膜的热应力和残余应力。

为保证样品检测结果的准确度，需要对水质分析结果主要阴、阳离子平衡进行核算，当其当量浓度差值比在5%以内时[10]，则认为离子平衡，检测结果有效，否则重新测定。

2 结果及分析

2.1 单层膜应力机制及其面型变化

基底材料和膜层材料的材料参数[9,22]见表2。

1.3.3 患者服药后的耐受程度［3］ Ⅰ度:完全可以接受，愿意接受第2次检查。Ⅱ度:饥饿感及大便次数增多，但仍可以接受。Ⅲ度:无法耐受，拒绝再次接受此类检查。Ⅰ度+Ⅱ度为患者能够接受，Ⅲ度为患者不耐受。

表2 材料参数

Tab.2 Material parameters

试验均采用初始面型相近的低光圈平面基底，以轴截面的轮廓作为面型变化的判断依据，单层膜镀膜前后基底面型变化如图1a所示。当初始面型为低光圈，镀制单层TiO2、HfO2、H4时，镀膜面的PV值变大，则这些材料在熔石英基底上表现为拉应力。单层SiO2镀膜后，镀膜面的PV值变小，基底更为平缓，则单层SiO2材料在熔石英基底上表现为压应力。

由表2知，基底熔石英的热膨胀系数小于薄膜材料的热膨胀系数。根据式（1），当处于降温过程时，薄膜的热应力均为拉应力，TiO2与基底的热膨胀系数差最大，SiO2与基底的热膨胀系数差较小，所以TiO2的热应力最大，SiO2的热应力最小，如图1b所示。熔石英基底上TiO2、HfO2和H4的残余应力为拉应力，本征应力均大于热应力，则本征应力在残余应力中起主要作用；SiO2的残余应力是压应力，由于其热膨胀系数与基底相近，则热应力较小，在图1b中显示很小，几乎可以忽略不计，其本征应力近似等于残余应力。

在熔石英基底上，当膜层厚度为0/4时，TiO2、HfO2和H4的残余应力表现为拉应力，SiO2表现为压应力，本征应力在残余应力中起主导作用。因此，在制备多层膜时，应严格控制工艺参数，避免单一参数变化引起本征应力的变化，从而导致多层膜间应力匹配较差。TiO2/SiO2、HfO2/SiO2和H4/SiO2组合均满足多层膜间拉应力、压应力交替出现的应力匹配条件。

图1 单层膜应力及面型变化

2.2 多层膜膜系对残余应力的影响

采用J. A. Woollam公司的M-2000UI型椭偏仪对单层膜的光学常数进行测量，单层膜光学常数曲线如图2所示。经过拟合之后发现，TiO2和SiO2的折射率符合柯西色散方程分布，消光系数都在10–3数量级，则基本不用考虑薄膜材料的吸收。其中，在1 064 nm处，TiO2的折射率为2.008 1，SiO2的折射率为1.463 9。将椭偏仪测试所得的光学常数导入TFC膜系设计软件，计算不同膜系的高反膜反射率曲线。

提取轴上的节点的应力值，图5为2种膜系中TiO2和SiO2膜层内残余应力具体分布值。对于多层高反膜，TiO2层内的残余应力为拉应力，且随着离基底下表面中心距离的增大，拉应力逐渐增大；SiO2层内的残余应力为压应力，且随着离基底下表面中心距离的增大，压应力呈减小的趋势。当高反膜最外层增加2L层时，对应的多层膜–基系统的中性面稍稍上移，膜层部分的压应力变小。膜系G│(HL)10H│A相对于G│(HL)10H2L│A中同一层TiO2层内的残余拉应力呈略微减小的趋势，SiO2层内的残余压应力呈略微增大的趋势。由图4可知，膜系G│(HL)10H│A整个多层膜系统在残余应力作用下呈现略微凹形，其弯曲程度更大一些，则TiO2层受到的拉伸越小，而SiO2层受到的压缩越大，所以TiO2层的残余拉应力稍微减小，SiO2层内的残余压应力稍微增大。膜系 G│(HL)10H2L│A最外层的2L层压应力最大，它不仅有效地平衡了TiO2层的拉应力，而且减少了多层高反膜整体的残余应力，使得面型变化较小。

图2 单层膜光学常数曲线

在一定的波段范围内，不同的膜系结构可以实现同样的光学性能，但其应力分布存在极大差异，从而造成镀膜后元件的面型变化不同。本研究采用最常用的TiO2/SiO2组合的高反射膜，不同膜系的高反膜光谱特性和残余应力情况见表3。多层膜系统的累积应力可表示为：

表3 高反膜4种基本膜系特性对比

Tab.3 Characteristics of high reflective films

从表3看出，膜系G│(HL)10H│A和 G│(HL)10H2L│A的反射率较高，膜系G│(LH)10L│A、G│(HL)10H2L│A和G│(HL)10H4L│A的残余应力较小。基本膜系G│(HL)10H│A上加镀2L层时，2L层不仅为保护层和缓冲层，而且减少了多层膜的残余应力。与此同时，张应力的薄膜靠近基底可以增强薄膜系统的牢固性[3]，如制备高反膜，选择膜系为 G│(HL)10H2L│A则具有优良的性能。

2.3 多层膜–基结构残余应力仿真与分析

薄膜的残余应力由化简的Stoney公式[22]表示：

3）膜系对高反镜面型影响。熔石英基底上的多层TiO2/SiO2高反膜表现为压应力，由式（3）可知，增加压应力层可以减少多层膜的残余应力。在膜系 G│(HL)10H│A的基础上加整数个2L的应力补偿层，在满足不影响反射膜光谱特性的条件下，使得多层膜的残余应力更小。膜系G│(HL)10H2L│A、 G│2L(HL)10H│A和G│(HL)10H4L│A镀膜前后的面型变化如图7所示。

图3 多层膜–基系统z方向的残余应力云图

2）膜料对高反镜面型的影响。选用面型相近的负光圈基底，分别镀制膜系为G│(HL)10H│A的TiO2/SiO2、HfO2/SiO2和H4/SiO2组合。其中镀膜前后面型的变化见表4。由表4看出，在当前试验条件下，熔石英上不同膜料组合高反膜都表现为压应力，其中TiO2/SiO2膜料组合高反膜的面型变化量最小，实际生产中应尽量选用面型变化量最小的TiO2/SiO2膜系组合。

式中：f和f分别为薄膜的弹性模量和泊松比；s和f分别为基底和薄膜的热膨胀系数；Δ是薄膜沉积温度与室温之差。

图4 不同膜系多层膜z方向的位移分布

2.父母在批评孩子时，切忌用手指指着孩子，这样做只能适得其反，让孩子产生更强烈的逆反心理。同时不可忽视目光的交流，真诚的目光会让孩子有充分的安全感，这有助于双方的沟通并取得好效果。

图5 不同膜系膜层残余应力分布

2.4 多层膜的残余应力及其形变分析

1）初始面型对高反镜面型的影响。对于同一批熔石英基底镀膜前后的面型进行测试，测试结果如图6所示。镀膜前基底有A、B、C 3类面型，凹面为负，凸面为正。其中，A类略微为凸面（PV值为0.059），B类略微为凹面（PV值为－0.449），C类为凹面（PV值为－0.170）。为了得到准确的结论，对同一类型的未镀膜基底各取3片进行试验。

图6 镀膜前后面型比较

根据镀膜前后面型变化可知，无论初始面型如何，镀膜后的面型均有被“压平”的趋势，这是因为熔石英基底上的多层膜结构整体残余应力表现为压应力。具体地，当工艺参数固定且稳定时，每层膜的残余应力也是恒定的，单层膜的残余应力可以作为分析多层膜残余应力的依据。实际上，中间膜层是在前面沉积的膜层上沉积的，下一层则是在上一层的岛状结构上沉积的，膜层除了自身的残余应力之外，还会受膜层间的作用力。与此同时，膜料分子在吸附、成核和长大过程中，也存在膜料分子间的作用力，这些力可能是促使高反膜表现为压应力的原因。B类和C类初始面型均为凹面，C类镀膜后变为凸面，这表明镀膜已经修改了基底面型。在实际试验中，对于小口径高反膜而言，应当避免选用初始面型PV值较小的负光圈。

3.3.4 健全农业保险体系。政府应颁布实施《农业保险法》，规范农业保险，大力发展政策性农业保险，扩大农业保险范围，增加保险险种，搞好农业保险服务；实施保费财政补贴政策，通过农业保险，增强家庭农场抵御自然和市场风险能力、分散和降低农业风险，保障家庭农场平稳健康发展。

苏州牧星智能科技有限公司虽然从成立到现在只有短短两年多的时间，但却拥有一批经验丰富的研发人员和完善的技术储备，在进入市场后迅速成为了行业内一支不可忽视的力量。在2018上海CeMAT展会现场，记者采访了苏州牧星智能科技有限公司CTO黄志明先生。

表4 不同膜料组合的高反镜面型变化和残余应力

选用支持单元生死功能的solid5单元，建立符合实际的几何模型，基底为熔石英，材料参数见表2。建立1/4模型，假定基底和薄膜是弹性材料，且材料性质不受环境的影响。同时，不考虑整体与外界的导热、对流和辐射等影响，多层膜的热应力只是由镀膜温度与环境温度之间的温度差所引起的。由几何边到面，由面到体，采用扫掠的方式对模型进行网格划分，生成六面体网格，参数化命令流把单元尺寸调到足够小，对膜层和基底–膜层界面处进行网格细化。以图3的坐标为基准，约束=0面在方向的位移，=0面在方向的位移，选择圆心坐标节点，固定圆心点。定义完边界条件后，基底设置参考温度为镀膜温度，激活第一层膜，接着加载第一层膜的等效参考温度，然后对第一层膜–基底整体加载体温度为室温，此时得到第一层膜–基底整体的残余应力。类似地，之后依次激活膜层，逐层加载对应膜层的等效参考温度，最终获得多层膜–基体系的残余应力分布。

由图7可见，高反膜元件中间部分由于多层膜的累积变得平缓，在边缘处面型变化较大。与单层膜面型相比，多层膜的面型并没有表现出良好的曲线，这可能是因为多层膜的膜层间存在其他形式的应力（界面应力等）。膜系G│(HL)10H2L│A的面型变化量比G│2L(HL)10H│A小，这是因为最外层的2L可以用来平衡最后一层高折射率材料的拉应力，从而使得面型变化较小，而膜系G│2L(HL)10H│A是在靠近基底上镀制了单层SiO2薄膜，由图1单层膜残余应力可知，熔石英上单层SiO2残余应力较小，则接近基底的SiO2膜层对于基底面型的改善作用不大，致使以后的多层膜面型变化变大。膜系G│(HL)10H4L│A的变形量最大，则不能通过在多层膜最外层加镀4L层来减小面型变化，膜层的厚度也是影响单层膜残余应力的主要因素。当膜厚增加时，其残余应力可能会改变，4L层的残余应力并不是单纯的2L层残余应力的简单叠加。

“对于个性化的需求，并不是中国市场的一个趋势，而是社会发展的一个趋势——当人越来越重视自我的时候，他的需求就是个性化。数字印刷技术最大的优势就是个性化、小批量。可以预料到，市场对于数字印刷具有相当大的需求，但让人痛苦的是，这个需求还没有完全对接好。这或许也有我们深层次的教育原因，即“求同不存异”。但不管这种需求怎么被压抑，现今的趋势在此，所以个性化的需求可能会在未来的某个时间段开始爆发。”

图7 镀膜前后面型比较

综上所述，膜系G│(HL)10H2L│A的TiO2/SiO2组合是3种膜系中面型变化最小且最接近初始面型的，与仿真的结果一致，其镀膜前后面型变化为0.004，高反膜残余应力为－39.70 MPa。当基底初始面型为负光圈时，在高反膜最外层加压应力补偿层，可以减小多层膜整体残余应力，使得镀膜前后基底面型变化较小。

3 结论

本文通过有限元分析膜层的残余应力和由其引起的面型变化，获得了最佳的膜系结构。对制备的样品进行了测试、比较分析，得出如下结论：

1）通过对多层膜残余应力仿真发现，多层膜残余应力呈现层状分布，其中基底应力较小，膜层处残余应力较大。在残余应力的作用下，整个多层膜系统呈凹形，位移呈环状分布，边缘处变形最大。高反膜膜系G│(HL)10H2L│A比G│(HL)10H│A面型变化更小。

本工程场地地层分布及土质特征如下：（1）人工填土层主要由杂填土组成。（2）全新统上组陆相冲积层主要由黏土组成，软塑—可塑状态，属高压缩性土。（3）全新统中组海相沉积层，该层从上而下可分为2个亚层。第一亚层，淤泥质黏土（地层编号⑥2）属高压缩性土。局部由软黏土组成。软黏土与淤泥质黏土力学性质相近。第二亚层，粉质黏土（地层编号⑥4）：软塑状态，属中压缩性土。（4）全新统下组沼泽相沉积层主要由粉质黏土（地层编号⑦）组成，可塑状态，属中压缩性土。（5）全新统下组陆相冲积层主要由粉质黏土（地层编号⑧1）组成，可塑状态，属中压缩性土。（6）上更新统第五组陆相冲积层。

2）在本文试验条件（熔石英基底）下，TiO2、HfO2和H4残余应力表现为拉应力，SiO2为压应力，它们的本征应力在残余应力中起主导作用。

3）TiO2/SiO2、HfO2/SiO2和H4/SiO2高反膜在熔石英基底上均表现为压应力，TiO2/SiO2组合残余应力和面型变化最小，通过增加压应力补偿层，使得多层膜残余应力最小，镀膜前后面型基本没有变化。当在最外层加2L应力补偿层时，在满足光谱特性的基础上，可以减小高反膜的残余应力，从而减少高反镜面型变化。

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Residual Stress and Deformation of 1 064 nm High Reflection Films for Laser Systems

1,1,1,1,1,2

(1. Shaanxi Province Thin Film Technology and Optical Test Open Key Laboratory, Xi'an Technological University, Xi'an 710021, China; 2. Advanced Optical Manufacturing Technology Joint Laboratory, Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi'an 710119, China)

The large surface shape change on the substrate after coating is due to the residual stress of the optical films. It presents a challenge for coating optical elements with high precision surface shape. The work aims to study the residual stress mechanism and surface profile shape change of monolayer films and laser high reflection films with different films on substrate. The surface shape change of the substrate is reduced by adding a compressive stress compensation layer on the outermost layer of the multilayer films. It provides a method for preparing micro-deformation laser high reflection mirrors. The residual stress mechanism of monolayer film is analyzed by the theory of thermal stress and residual stress in optical films. The equivalent reference temperature is used to replace the intrinsic stress of optical thin films, and the intrinsic stress of optical thin films is obtained by simulation. The residual stressdistribution and surface shape change of laser high reflection films-substrate system is studied by finite element analysis and experiments. Based on the stress of monolayer film, the residual stress distribution and surface profile change of high reflection films-substrate system is simulated and analyzed by equivalent reference temperature, birth and death element and load step technology. Different high reflection films are prepared by thermal evaporation of electron beam. The effects of initial substrate surface profile, films material and films combinations on high reflection films-substrate system are analyzed via testing surface profile changes of it, using Zygo laser interferometer. The simulation results show that the residual stress of high reflection films-substrate system is layered. It changes from tensile stress to compressive stress and then to tensile stress in the direction from the substrate to films. The surface profile of high reflective films-substrate system is concave and the Z-axis displacement is distributed annularly due to residual stress. By analyzing the influence of monolayer film on the substrate surface shape and comparing the residual stress value of each film layer in different high reflective films systems, it is found that the surface profile change of G│(HL)10H2L│A is smaller than G│(HL)10H│A with TiO2/SiO2. The surface profile of substrate with high reflective films (fused silica substrate,30×2 mm) is basically unchanged (Δ=0.004) because the residual stress of films reduced by adding a compressive stress compensation layer, which is consistent with the simulation results. On the fused silica substrate, the intrinsic stress of TiO2, HfO2, H4 and SiO2plays a leading role in the residual stress. The residual stress of TiO2, HfO2, H4 is tensile on the fused silica substrate while the SiO2is compressive. All the high reflection films systems with different material combinations show compressive. For TiO2/SiO2, the films-substrate system G│(HL)10H2L│A is smaller than G│(HL)10H│A in residual stress of optical films and the change of surface shape on substrate. Its residual stress value is –39.70 MPa, which is 22.26 MPa less than that without stress compensation layer. Its surface shape has basically not changed. The addition of 2L (stress compensation layer) balances the residual stress of the multilayer films-substrate system without affecting the spectral characteristics.

multilayer films; residual stress; equivalent reference temperature; birth-death element; stress compensation layer; surface shape

2021-10-29；

2022-01-05

LI Yang (1995-), Female, Doctoral candidate, Research focus: design, preparation and testing technology of optical thin films.

徐均琪（1973—），男，博士，教授，主要研究方向为光学薄膜的设计、制备及检测技术。

XU Jun-qi (1973-), Male, Doctor, Professor, Research focus: design, preparation and testing technology of optical thin films.

李阳, 徐均琪, 苏俊宏, 等. 1064 nm激光高反膜残余应力及其形变分析[J]. 表面技术, 2022, 51(9): 311-318.

O484.4

A

1001-3660(2022)09-0311-08

10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2022.09.000

2021–10–29；

2022–01–05

陕西省国际科技合作与交流计划资助项目（2018KWZ-02）；西安市智能探视感知重点实验室项目（201805061ZD12CG45）

Fund：Shaanxi International Science and Technology Cooperation and Exchange Program Funding Project (2018KWZ-02); Xi'an Intelligent Visiting Perception Key Laboratory Project (201805061ZD12CG45)

李阳（1995—），女，博士研究生，主要研究方向为光学薄膜的设计、制备及检测技术。

LI Yang, XU Jun-qi, SU Jun-hong, et al. Residual Stress and Deformation of 1064 nm High Reflection Films for Laser Systems[J]. Surface Technology, 2022, 51(9): 311-318.

责任编辑：刘世忠