郝俊
作为从事硅材料研究的元老级专家,梁骏吾被认为是中国半导体材料领域内一位“真正的大侠”。
“人要有自知之明,到了一定的岁数,就要选择自己力所能及的事情来做。”跟大多数同龄人一样,梁骏吾也习惯通过散步来锻炼身体。不过,他还特别喜欢一项在年轻人中间颇为流行的健身方式——瑜伽。
梁骏吾用这种独特的方式保持着记忆和思维的活力。静坐书桌前,一道道题目便信手拈来,可以让他随时动脑,沉浸其中。
每年召开的“中国电子材料行业半导体材料分会年会”上,梁骏吾是不可或缺的重量级嘉宾,他的学术报告往往成为行业技术发展的重要参考和指南。
梁駿吾自幼兴趣广泛,文理兼优,平时喜欢作些新诗,还跑去广播电台朗诵。上高二时武汉解放,他曾在夜校当过一段时间的小教员,最终“也没成个气候”。因为是家里五兄妹中最小的孩子,父母没有在他身上施加过多的压力。在相对宽松的环境中,梁骏吾自由成长。
高中时,化学老师常常说起中国工业的落后。潜移默化中,青年梁骏吾心中种下了一个愿望——通过自己的努力,去改变这种落后的状况。
也许正是因为这个理想,报考大学时梁骏吾选择了武汉大学化学系,1955年以优等成绩毕业。
当时,中苏双方科学院联合选拔青年人才前往苏联留学深造,梁骏吾凭借优异的成绩加之“社会关系简单,历史清白”得以入选。他未曾想到的是,组织上将他去苏联学习的专业改成了半导体。
“那时,世界上的半导体研究也只是刚刚开始,我对此一无所知,非常紧张。”无论是中学还是大学,梁骏吾都能轻松应对学业。
被国家派往苏联深造,梁骏吾知道自己到了应该非常努力的时候。他几乎每天都是搭最后一班市内公交从学校回到住所,“开夜车”学习更是家常便饭。四年的异乡生活,在他看来就是为了克服重重困难,学成后报效祖国。
1960年,梁骏吾在莫斯科冶金研究所的研究生毕业考试中,所有课程均考取满分,并通过出众的论文答辩获得副博士(相当于现在的博士)学位。
抱着“为建成共产主义添砖加瓦”的信念,梁骏吾回国,进入刚刚成立的中科院半导体所工作,并被任命为课题组长,从事开拓性的区熔硅单晶研制工作。
没有可供借鉴的工艺技术,缺乏必不可少的工艺设备,一切从零开始,困难重重。
那是一个用信念和热情点燃的火红年代。经历数百个奋力拼搏的日日夜夜,梁骏吾成功解决了高频感应加热主回路的设计与制作,为我国硅材料工艺和硅材料加工设备的发展作出突破性贡献。1963年5月,电阻率高达10000欧姆厘米的高纯区熔硅单晶,在我国首次研制成功,由此填补了国内空白。
尽管梁骏吾一辈子都在跟半导体材料打交道,但在不同时期,他的研究方向其实多有转折。唯一不变的,是他科研生涯中最重要的驱动力——国家任务。