像素结构、图像传感器及终端

申请号: 202210899224.5

【申请日】2022.07.28

【公开号】CN115064562A

【公开日】2022.09.16

【分类号】H04N5/355;H01L27/146;H04N5/369

【申请人】上海华力微电子有限公司

【发明人】杜重凯; 秋沉沉; 钱俊

【摘 要】本发明公开了像素结构、图像传感器及终端，属于图像传感器工艺技术领域，该像素结构，包括衬底；第一导电类型的浮置扩散区，形成在所述衬底中；至少两个面积不同的第二导电类型的感光区，形成在所述衬底中，所有的所述感光区围绕所述浮置扩散区分布且共用所述浮置扩散区；隔离区，设置在位于所述浮置扩散区同一侧的相邻所述感光区之间的衬底中；传输栅，与各个所述感光区一一对应且设置在各个所述感光区的衬底上。通过在像素结构中设置具有不同面积的感光区，由此可以通过各感光区获得不同感光度的图像，进而对这些不同感光度的图像进行合成处理，从而能够得到高HDR图像，改善现有技术中图像过曝或欠曝的问题。