不同微腔结构有机电致发光器件的电致发光光谱模拟

张春玉徐海楠宋 悦

(1.吉林建筑大学材料科学与工程学院，吉林长春 130118；2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室，吉林长春 130033)

1 引 言

有机电致发光器件(OLED)也称为有机发光二极管，是在有机半导体薄膜的电致发光特性基础上发展起来的新型固态平板显示及照明器件。虽然OLED有轻薄、驱动电压低、响应速度快等很多优点，但也存在着一些问题，比如大部分的有机发光材料由于较宽的发光谱带而难以获得好的色纯度，器件的发光效率也有待进一步提高等，这些问题可以通过设计新器件结构或者采用新材料等方法来解决[1-4]。

光学微腔是指尺寸至少有一维与光波长相同量级的光学微型谐振腔。它是一种可以改变器件发光特性的光学结构，原理是腔内激子激发后辐射的可见光受到腔体的调制，腔体环境对光子有限域作用，光学微腔可以将光子长时间局域在很小的空间内，极大地增强光和物质的相互作用[5-7]，可以用来调制和改善OLED的发光性能。

由于不同介质分界面上产生的电磁波可以向腔外扩散很远，因此一个光学微腔的腔体是不能把所有的光子都局限在里面的[8]。多个微腔相互接近，这种电磁波就会相互作用使每个腔中的光子分布互相影响，致使光能分布受到调制而获得新的现象，这就是耦合光学微腔(Coupled optical microcavity，CMC)。按微腔耦合方式不同，可分为平面耦合腔和垂直耦合腔，本文研究平面耦合微腔。平面耦合微腔中有两个或多个独立的微腔互相耦合，若两个微腔耦合通常一个是无源腔，一个是有源腔。耦合微腔的发光层发出的光在两个腔的光场耦合下引起了腔模式分裂，显示为两个波峰的窄化光谱，能有效地调制材料的发光性能[9]。有研究表明耦合微腔与单个微腔相比有不同的发射特性，可以用作开发新型器件[10-11]，用在高选择波长滤波器、双稳态器件、多范围光电转换等方面。

2013年，研究人员研究了两个耦合的波导型光子晶体微腔[12]，证实了两个光子晶体波导微腔的强耦合，为研究受限在特定空间中的原子与光场作用和互相耦合埋下伏笔。2015年，有学者[13]研究出自发光对称破缺现象的光子晶体微腔，这也是耦合微腔的一大技术突破。2017年，北大肖云峰等[8]提出混沌辅助的光子动量快速转换的新原理，实现了超高品质因子光学微腔和纳米尺度波导之间高效、超宽谱的光耦合，突破了微纳光学器件近场耦合需要相位匹配的限制，提出混沌辅助的动量转换机制，深入研究动量转换过程，并在实验上验证其在微腔宽带光子学应用中的巨大优势。

最近十年，研究人员对平面微腔结构器件进行了进一步研究[14-15]。研究表明，合理地设计微腔的结构类型可以控制发光模式和器件的发光特性，而微腔器件的模拟计算是这类研究不可或缺的关键环节。本文作者及研究团队在微腔模拟设计研究方面做了大量工作，有很好的研究基础和经验。本文工作是根据平面微腔谐振原理，运用传输矩阵方法建立微腔结构模型，并对计算公式进行合理修正。首先模拟计算出最佳的腔内有机层厚度组合的MOLED器件，进而模拟计算不同结构微腔器件的反射谱和电致发光光谱(EL)，并对EL进行比较分析。

2 平面微腔原理及相关模拟计算公式

平面光学微腔是由间距在光波长量级的两个平行平面反射镜构成的Fabry-Perot(F-P)谐振腔。

图1是内含辐射源的F-P腔结构示意图。E0表示自由空间电场强度，E2表示耦合输出波的电场强度，M1是反射率为R1的背部反射镜，一般来讲，是金属反射镜。是 M1的综合反射系数；M2是反射率、透射率和吸收率分别为R2、T2、A2的出射镜，它是半反射镜，可以由薄的金属膜制成或者由分布式布拉格反射镜(DBR)制成，是M2的综合反射系数。L1是源(即激子)到镜M1的距离；L2是源到M2的距离。L是整个腔内的光学长度，L=L1+L2。发射光谱随波长λ分布的与自由空间发射相比的发射增强系数(在器件法线方向上)由下式得到[16]：

其中，φ2和φ1分别为两反射镜的反射相移；k是有机层的波矢量，与波长的关系为和τ0分别是腔中和自由空间中的分子激发态寿命。为简化分析，我们假定

图1 Fabry-Perot腔结构示意图Fig.1 Fabry-Perot cavity structure

理论上垂直表面的有机微腔器件的发射光谱可以通过下面的方程计算近似而得：

其中In(λ)为发光材料在自由空间的发射光谱分布。在下面的模拟计算中我们所用的是要设计的器件中发光材料实际测得的光致发光谱(PL)。PL与发射增强系数相乘即得到微腔器件的有机电致发光谱(EL)，得到EL发光峰位置、峰值强度及光谱的半峰全宽等参数。

微腔器件从腔的一个侧面(半反射镜)发出光子的总数可以通过对其发射光谱的所有波长进行积分dλ得到。

微腔内激子发光在谐振模式(波长)处因相长干涉而得到加强。谐振模式满足的条件是：光在腔内往返一周的相位改变是2π的整数倍或光程是波长的整数倍，即微腔的谐振模式满足F-P方程：

其中，λ是谐振波长；ni和di为腔内各层薄膜的折射率和厚度，总和为L，是整个腔内的光学长度；θ是外部探测角；m是模式级数，取整数。

3 模拟计算过程、结果与讨论

基于前文中平面微腔原理及相关计算公式(1)～(3)，采用传输矩阵法进行微腔有机电致发光器件的数值模拟计算。设计MOLED，金属铝电极和DBR作为F-P腔的两个反射镜，它们之间形成微型谐振腔，光从玻璃基板即DBR一侧发出。发光层为Alq3，空穴传输层NPB，铟锡氧化物ITO做阳极，DBR由光学厚度为λ/4的高低折射率材料五氧化二钽(Ta2O5)和二氧化硅(SiO2)组成，周期为2.5。其中Ta2O5的折射率为2.1，SiO2的折射率为1.46。

图2是发光材料Alq3实际测得的PL，用作相应模拟计算参数。如图2所示，PL的峰值位于555 nm处，半峰全宽为96 nm。

图2 Alq3实际测得的光致发光光谱(PL)Fig.2 Measured Alq3photoluminescence spectrum(PL)

首先我们设计中心波长λ=540 nm，MOLED器件结构为：Glass/DBR/ITO(134 nm)/NPB(Ynm)/Alq3(Xnm)/Al。设定总的微腔长度L不变，调整 Alq3的厚度(厚度分别为 42，52，62，72，82 nm)，NPB的厚度随之做相应变化，也就是始终保持总腔长L不变，只变动激子位置L1，找出具有最佳发光效率的L1时Alq3的厚度值组合。

图3是用前面的计算公式模拟计算出的MOLED(Alq3厚度分别为 42，52，62，72，82 nm)的 EL，由图可知，5个器件的峰值均为534 nm，半峰全宽均为10 nm，这是因为微腔总的光学长度L不变。但是积分面积和峰值强度不同，Alq3厚度为62 nm时最大，发光效率最佳，下面我们探究其原因。

图3 模拟MOLED(Alq3厚度分别为42～82 nm)的ELFig.3 Simulated EL of MOLED(Alq3thickness 42-82 nm)

图4 是模拟计算的λ=534 nm、Alq3的厚度依次分别为 62，72，52，82，42 nm 时 MOLED 器件的微腔内电场强度分布图。由图4可知，腔中位置不同，电场强度不同，发光激子位于图中2层和3层的界面处，即图中红色箭头处，此处对应的电场强度分别为 14.8，14.1，14，12.2，12。

Alq3的厚度为62 nm时，1层与2层界面对应的腔内电场强度值最大为14.8，该结果对应图3中MOLED的效率最佳EL。这是因为发光激子正好位于腔内电场强度的最大值波腹位置处，发光得到最大谐振增强，是性能最佳的腔内有机发光层厚度组合。

然后我们再根据以上的模拟计算结果，用Alq3的厚度为62 nm这个有机层厚度组合进行下一步的模拟计算。

把ITO看作是OLED的半反射镜，存在弱微腔效应，根据以上计算公式分别对OLED、MOLED和CMC进行模拟计算，比较器件在不同微腔结构下各自的发光性能。设计3种器件的中心波长(谐振波长)λ=540 nm，不同微腔器件的结构具体如下：

OLED：Glass/ITO(134 nm)/NPB(74 nm)/Alq3(62 nm)/Al；

MOLED：Glass/DBR/ITO(134 nm)/NPB(74 nm)/Alq3(62 nm)/Al；

CMC：Glass/DBR1/Filler/DBR2/ITO(134 nm)/NPB(74 nm)/Alq3(62 nm)/Al。

图4 电场强度分布图(Alq3的厚度顺次分别为62，72，52，82，42 nm)Fig.4 Distribution of electric field intensity(the thickness order of Alq3is 62，72，52，82，42 nm)

DBR1、DBR2与 MOLED中的 DBR相同。填充层Filler由SiO2组成，光学厚度λ/2。CMC的DBR1与DBR2耦合在一起，这样器件将存在两个腔体。DBR1/Filler/DBR2组成底部腔，底部腔为无源腔；DBR2/ITO/NPB/Alq3/Al组成顶部腔，顶部腔为有源腔。

ITO是OLED的半反射镜，MOLED的半反射镜是DBR，CMC的半反射镜是 DBR1/Filler/DBR2。3种器件的半反射镜是变量，也就是除了半反射镜不同之外其他结构完全相同。图5是模拟计算的OLED、MOLED、CMC 3种器件半反射镜的反射光谱。由图可知，OLED的ITO半反射镜，在450～600 nm波长范围内反射谱平直，反射率大约为10% ～5%。MOLED器件的DBR反射谱有一个从525～565 nm的截止带宽，是高反射区域，在λ=540 nm处有最大反射率74%。CMC结构中的底部腔镜的反射光谱在540 nm有最小反射率3%，其两侧各有一个分别位于475～515 nm和585～615 nm的反射最大区域，反射率为90%左右。半反射镜是唯一变量，最终模拟计算得到的3种器件的EL必然和其反射率有着重要的对应关系。

图5 模拟OLED、MOLED、CMC半反射镜的反射光谱。Fig.5 Simulated reflectance of semi mirror of OLED，MOLED and CMC.

图6 为模拟的玻璃衬底一侧OLED、MOLED、CMC器件的反射光谱，由图6可以看出，OLED的反射谱是比较平直的曲线，在500～580 nm绿光区域的反射率为90%左右。MOLED在波长534 nm处反射最小，最大透射率60%。CMC在540 nm的两侧分别有2个透射峰，位于516 nm和558 nm(反射率最小)。

图6 模拟OLED、MOLED、CMC器件的反射光谱。Fig.6 Simulated reflectance of OLED，MOLED and CMC.

图7 是通过模拟计算得到的OLED的EL光谱，由图7可以看出，发光主峰值波长为561 nm，还有一个肩峰，位于495 nm，整体看是跨越450～650 nm(蓝、绿、红光区域)的宽谱带。

图7 模拟的OLED的EL光谱Fig.7 Simulated EL spectrum of OLED

图8 是模拟计算得到的OLED、MOLED、CMC 3种器件的EL光谱比较。由图8可以直观地看出，加入微腔和耦合微腔后光谱出现明显的变化。MOLED的模拟光谱呈现出具有典型微腔效应的峰值增强光谱窄化形状，峰值位于534 nm，对应谐振中心波长540 nm，且发光都集中于绿光区域(520～550 nm)。CMC的EL出现两个窄化且强度提高的发光峰，峰值分别位于绿光区域的520 nm和556 nm。模拟得到的MOLED和CMC光谱峰值位置都与其模拟的半反射镜的反射率(图5所示)最大区域相对应，即微腔谐振模式增强处。

图8 模拟的OLED、MOLED、CMC的EL曲线比较。Fig.8 Comparison of EL curves of simulated OLED，MOLED and CMC.

对3种器件计算得到的EL进行具体分析，主要参数如表1所示。

MOLED的EL光谱的峰值位于534 nm，对应设计的微腔谐振波长是540 nm，同时对应图6中MOLED的透射峰534 nm，半峰全宽为10 nm。微腔内光场的模式密度受到电场的调制，波长在谐振波长处得到增强，而在其他处受到抑制，导致了微腔的电致发光谱线窄化和峰值增强。CMC的EL谱在540 nm两侧出现了两个增强的窄带发射峰，波长分别位于520 nm和556 nm，这与图6中CMC的反射谱的516 nm和558 nm两个透射峰对应，说明发光在这个波长范围内受到耦合腔的耦合作用。CMC的积分面积最大，是OLED或MOLED的1.1倍，说明其发光效率最高。

表1 OLED、MOLED、CMC模拟EL光谱参数比较Tab.1 Comparison of simulated EL spectral parameters of OLED，MOLED and CMC

为了比较器件的色纯度，分别计算出已模拟的EL光谱的CIE色坐标，具体计算结果为OLED：(0.395，0.503)，MOLED：(0.236，0.715)，CMC：(0.260，0.694)。 图 9 为 OLED、MOLED、CMC的CIE色坐标图，由图9可以看出MOLED的色纯度最佳，最靠近纯绿光区域处，CMC次之，OLED的色纯度最差。

图9 OLED、MOLED、CMC的CIE色坐标。Fig.9 CIE color coordinate of simulated OLED，MOLED and CMC.

4 结 论

模拟计算得出了MOLED激子在腔中的最佳位置，优化了MOLED腔内各有机层厚度组成。模拟计算了OLED、MOLED和CMC 3种微腔结构器件的半反射镜的反射光谱、器件的反射光谱和EL光谱。OLED的EL光谱呈宽带发射，MOLED的EL光谱呈窄带发射，CMC光谱呈双峰窄带发射。CMC的EL光谱产生双峰窄带发射的原因在于光在光场中耦合引起了腔模式的分裂。计算了模拟EL的各自色坐标。研究结果表明，微腔的引入能够有效地提高OLED器件的色纯度和发光效率。