专利名称：一种富活性位二硫化钼纳米片及其制备方法和应用

专利申请号：CN201510788891.6

公开号：CN105329946A

申请日：2015.11.16公开日：2016.02.17

申请人：暨南大学

本发明属于纳米材料技术领域，具体公开了一种富活性位二硫化钼纳米片及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：将钼酸盐和硫源溶解于水中，其中硫源与钼酸盐中的钼原子的摩尔比为2.0～18.0；然后将溶液在微波辐射条件下加热至140～250 ℃，反应5～240 min，经过离心得到黑色固体；将黑色固体洗涤、烘干；将烘干后的黑色固体加入无机酸中，在微波辐射条件下加热至100～200 ℃，反应0.5～6 h，将得到的产物洗涤、烘干，得到所述富活性位二硫化钼纳米片。本发明方法制备的富活性位二硫化钼纳米片具有规则的二维片状结构和大比表面，有利于反应物扩散和活性位的暴露，因此这种富活性位二硫化钼纳米片在石油加氢脱硫、加氢脱氮、加氢脱氧、加氢精制、电解水制氢等领域中应用。