我国半导体SiC单晶体材料和设备生产实现新突破

2018年6月5日，中国电科二所为我国半导体SiC单晶体材料和设备生产实现新突破，这两项“批量生产”技术水平都达到了国际先进水平。2018年年初，该所突破了SiC单晶的低应力控制技术、本征深能级点缺陷控制技术等系列关键技术，在国内率先实现了4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底材料的工程化和6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底的研发，经验证与美国Cree衬底水平相当，一举突破国外对我国高纯半绝缘碳化硅晶体生长技术的长期封锁。当时，中国电科二所已自制SiC单晶生長炉100台;计划全年生产4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底4000～5000片，已与客户签订4000片供货合同。