刘鑫 代广珍 姜永召 刘宇航 韩名君
摘 要:研究组分变化中InxGa1xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1xN材料In组分含量,获得计算模型.计算结果表明,随着In组分的增加,价带结构发生改变,从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In組分为0.5时,能量损失峰值最小,有利于提升紫外光的出光效率.
关键词:GaN基材料;第一性原理;光学特性
牡丹江师范学院学报(自然科学版)2019年3期
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