硅单光子探测器

2019年10月16日，来自科技部网站消息，由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目近日通过了科技部专家组的中期检查。

2017年6月，“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目作为国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项获得1400万专项资金资助。经过近两年的努力，研究人员突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。

硅单光子探测器具有超高灵敏度，是300～1100nm波段超高灵敏探测不可替代的关键芯片，且器件性能稳定可靠、易形成面阵，是实现远距离精密测量、激光雷达等重大科学仪器的关键核心部件之一。目前，国内硅单光子探测芯片主要依赖进口，且阵列芯片禁运。开展硅单光子探测器的自主化研究对独立自主研制精密测量、激光雷达等装备具有重要意义。