新型可自愈封闭型相变存储器问世

美国耶鲁大学和IBM公司的研究人员利用耶鲁大学纳米科学和量子工程研究所（YINQE）的原位透射电子显微镜对相变存储器的相变过程进行了观察和研究，找到了实现相变材料空洞缺陷“自我修复”的方法，成功研发出了新型可自愈封闭型相变存储器。

研究人员将新型相变存储器结构改为由金属层包围的封闭式倒锥状结构，以增强器件的稳定性和耐久性。外衬的金属层对相变材料起到了保护作用，可减小相变存储器的电阻漂移，改善器件的整体性能。通过透射电镜观察相变过程，研究人员观察到，改变器件结构和增加金属外衬层后，相变存储器获得了自修复特性，这使得锗—锑—碲（GST）材料的相变过程更加可控。

研究人员未来将开发一种双极运行模式，以改变电压的方向，从而控制化学分离过程。该项研究成果有望延长相变存储器的生命周期。 (李铁成)