纳微在中国开设GaNFastTM研发中心以支持创新

2018年6月21日，纳微(Navitas)宣布在杭州开设新的GaNFast研发中心，以帮助合作伙伴和客户设计技术领先的电源转换器；相比传统的硅MOS管方案，这些新设计能让体积缩小50%，质量减轻50%，可为移动应用终端提供快3倍的充电速度。

纳微高级应用总监兼新研发中心负责人徐迎春表示：“GaNFast研发中心拥有产品设计经验丰富的高水平应用工程师团队，将专注于开发高频、高效、高功率密度的电源系统，并协助客户充分发挥GaNFast功率IC的关键性能和优势。我们拥有开发新型先进电源架构的工具、技能和资源，同时能够确保开发高效率、优异的热性能和EMI性能等关键技术指标符合客户需求的可量产产品。”

纳微旗下的业界第一款GaNFastTM功率IC能够同时实现MHz级频率和更高效率的电源设计，这些优异性能意味着移动快速充电器和适配器、LED电视、电动汽车/混合动力汽车、LED照明和新能源解决方案可采用更小、更轻、更低系统成本的功率转换技术。

纳微首席技术官Dan Kinzer指出：“杭州是中国学术和创新的中心之一，与浙江大学电力电子中心和杭州、上海、苏州等周边客户的研究机构有着密切联系，占尽地利人和。纳微的愿景是利用性能出众的氮化镓功率器件创造出高频、高效、高密度的新型电源系统。”

纳微首席执行官Gene Sheridan在研发中心开幕式上致欢迎辞，他补充道：“继创建深圳销售办事处之后，我们又大量投资于新的杭州GaNFast研发中心以促进技术发展，并且为中国客户提供更强大的技术支持。 结合半导体器件、系统级创新以及行业合作伙伴关系，我们可以携手重新塑造价值高达每年2 000亿人民币的产业。”