毫米波芯片分类介绍

目前，毫米波芯片主要有砷化鎵（GaAs） 和InP（磷化铟） 毫米波芯片、氮化镓（GaN） 毫米波芯片和硅基（CMOS、SiGe等）毫米波芯片。

砷化镓（GaAs） 和InP（磷化铟） 毫米波芯片

GaAs和InP在毫米波频段具有良好的性能，是毫米波频段的主流集成电路工艺。近几年，GaAs和InP工艺和器件取得了长足的进步。基于该类工艺的毫米波器件类型主要有高电子迁移率晶体管（HEMT）、改性高电子迁移率晶体管（mHEMT） 和异质结双极性晶体管（HBT）等。

氮化镓（GaN） 毫米波芯片

GaN具有高电子迁移率和击穿场强等优点，器件功率密度是GaAs功率密度的5 倍以上，可显著地提升输出功率、减小体积和成本。随着GaN材料制备技术的逐渐成熟，GaN器件和电路已成为化合物半导体电路研制领域的热点方向，美国、日本、欧洲等国家将GaN作为微波毫米波器件和电路的发展重点。近十年来，GaN的低成本衬底材料碳化硅（SiC）也逐渐成熟，其晶格结构与GaN相匹配，导热性好，极大加快了GaN器件和电路的发展。

硅基（CMOS、SiGe等）毫米波芯片

硅基工艺传统上以数字电路应用为主。但由于硅工艺在成本和集成度方面的巨大优势，日本、美国、加拿大都开始了硅基毫米波亚毫米波集成电路的研究。我国在政策支持下，东南大学毫米波国家重点实验室也快速开展相关研究并取得进展。