我国在3D NAND存储器研发领域取得突破性进展

我国在3D NAND存储器研发领域取得突破性进展

由中国科学院微电子研究所与长江存储科技有限责任公司联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。研究人员研制的32层3D NAND芯片通过了电学特性等各项测试，性能指标达到了预期要求。

3D NAND是新型半导体存储技术，通过增加存储叠层实现存储密度的增加，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来了挑战。在3D NAND存储器研发项目中，研究人员攻克了高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成，以及双曝光金属线等关键技术难点，为实现多层堆叠结构的3D NAND阵列打下了坚实的基础；通过大量实验和数据分

析，完成了器件各项可靠性指标的优化，实现了全部可靠性参数达标；通过对三维存储结构进行建模，采用根据层数可调制的编程、读取电压配置，补偿了器件特性随阵列物理结构的分布差异，减轻了单元串扰影响。 (新 华)