Qorvo全新碳化硅基氮化镓放大器进一步降低电信基础设施成本

Qorvo全新碳化硅基氮化镓放大器进一步降低电信基础设施成本

Qorvo推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。

因为LDMOS和GaN-on-Si与之相比，热性能较差，客户正越来越多地转向使用GaN-SiC，以大幅改善无线基站的性能、线性度和效率。QPD2731通过预匹配分立式GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现这一转变。

(责任编辑：芦潇静)