中科院半导体所研制出GaN基紫外激光器

中科院半导体所研制出GaN基紫外激光器

中国科学院半导体研究所的研究人员研制出了新型GaN基紫外激光器，取得了我国继GaN基蓝光和绿光激光器之后的又一突破进展。

GaN基紫外激光器在紫外光固化、紫外杀菌等领域具有重要的应用价值，但其制造技术难度很高。研究人员掌握了InGaN量子阱局域态调控和缺陷抑制方法，提高了发光效率；阐明了碳杂质的补偿机制，获得了高质量的p-GaN材料；优化了器件结构，减小了吸收损耗和电子泄漏；利用变程跳跃的物理机制，实现了良好的p-GaN欧姆接触；解决了同质外延中衬底翘曲的难题，生长出了高质量的器件结构。在此基础上，研究人员与中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所进行了工艺合作，实现了GaN紫外激光器的室温电注入激射。据介绍，条宽10μm、腔长600μm的激光器的阈值电流密度为1.6kA/cm2～2.0kA/cm2，激射波长为392nm～395nm，连续激射输出光功率可达80mW。

(中科院)