创新图强为企业发展助力

唐涛

随着市场经济体制的日益完善，企业间的竞争日趋激烈，这种竞争表面上体现在企业的产品和服务上，但实质上却是企业技术进步水平的竞争，企业技术创新能力的竞争。企业技术水平的竞争主要体现在企业研发能力的强弱上，这时候企业研发中心的地位日益重要，这在高新技术企业中表现尤为突出。西安卫光科技有限公司作为国内大功率半导体器件的专业化定点生产企业，自公司成立起就注重技术创新，其技术水平始终处于国内领先地位。为了持续领跑行业，大力发展新型功率器件，2016年初，卫光科技专门成立了器件研究中心，主要进行功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和新型半导体功率器件的设计和工艺研究。器件研究中心自成立以来，坚持创新不放松，在新品研制、新技术开发等方面取得了骄人的成绩，有力推动了卫光科技的可持续发展。

卫光科技器件研究中心在创建初期，针对全体人员知识结构现状做出了优化学习的决定，全体人员去西安电子科技大学进行VDMOS（垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管）设计方面的培训。通过此次培训，系统地了解了VDMOS的设计知识，进而能够独立完成器件设计。在企业内部，创建了互相学习法，每周每人自学一部分内容并进行讲解，大家提问、讨论，以达到共同进步的目的。此方法使全体研发人员获益匪浅，同时也提高了学习效率，普及了VDMOS、IGBT、二极管等各方面的知识。经过不断学习，解决了研究中心知识结构紊乱的情况，实现了研究人员知识结构梯度发展，有效地适应了公司对于科研人员的技术要求，为企业技术进步奠定了理论知识基础。

研究中心在解决了知识结构不合理的状况后，以公司院士工作站为技术支撑，进行了宽禁带半导体器件的理论研究、碳化硅肖特基二极管和碳化硅功率场效应晶体管的设计和研发，实现了宽禁带半导体功率器件的设计和工艺技术的成功攻关。同时先后建立了完善的计算机仿真设计技术平台，以计算机工艺仿真和器件仿真为主要手段，结合工艺改进，优化设计模型，提升整体设计手段；建成了功率场效应晶体管的结构设计、电性能设计、热设计和可靠性设计平台；建立了齐全、完备、能有效指导产品研发的文件资料体系。这一系列计算机技术平台的建立，为公司VDMOS产品的后期研发、试验提供了精确的技术指标和实验数据库，大大减少了公司后期产品量化的费用支出，提升了公司在半导体器件领域的核心竞争力。中心先后研制出的200V/9A、60V/50A和200V/18A 的VDMOS产品都通过了可靠性试验考核，产品质量等级达到超特军级，具有很高的市场竞争力，目前已经开始批量生产。

基于卫光科技器件研究中心的不断创新发展，陆续掌握了多项先进工艺技术，并在工艺技术创新发展过程中获得了一项发明专利和三项实用新型专利授权，更是两次荣获陕西省科学技术三等奖。

辛勤的耕耘，获得丰硕的成果，器件研究中心面对日新月异的半导体功率器件技术发展，紧跟技术潮流，开拓创新，争做企业进步的推动者。后期，研究中心将进一步拓展自主可控VDMOS产品门类，打造卫光品牌，创造新的辉煌。