业界要闻

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集成电路迎新一轮投资热潮中国企业成扩张主力

“随着中国半导体产业黄金发展期的脚步加快，中国企业正在成为全球半导体产业扩张的主要力量，中国半导体产业的不断壮大将深刻影响全球半导体产业的格局。”国际半导体设备与材料协会（SEMI）全球副总裁、中国区总裁居龙近日在上海表示。中国制造的各类电子产品迅速走向世界，使中国成为全球最大的电子产品制造基地，也造就了中国成为全球最大的芯片需求市场，但目前国产芯片的自给率尚不足三成。《中国制造2025》中明确提出，2020年芯片自给率要达到40%，2025年达到50%。

在国际上，半导体产业已经走向成熟，国际资本介入半导体产业的脚步明显放缓。与之形成反差的是，中国半导体产业近年来正上演新一轮投资热潮，龙头企业争相宣布启动收购、重组、投资建设新厂等扩张举措。

近日，总投资387亿元人民币的华力微电子二期300 mm集成电路芯片生产线项目在上海开工。项目建成后，华力微电子母公司——上海华虹集团的集成电路制造规模有望进入全球前五。

在一个月前，总投资近千亿元的中芯国际“新建300 mm集成电路先进工艺生产线”以及配套项目也在上海启动。中芯国际的目标是，未来几年内成为全球前三大晶圆代工企业。

除上海外，今年国内多个城市也都在大手笔上马芯片制造项目。总投资240亿美元的国家存储器基地项目3月份在武汉奠基；联电厦门联芯300 mm晶圆厂预计今年底前投产；台积电南京300 mm晶圆厂在7月上旬开工；7月中旬，一期投资370亿元的福建晋华新建300 mm存储器生产线项目动工……

据国际半导体设备与材料协会发布的近两年全球晶圆厂预测报告，2016至2017年间，全球确定新建的晶圆厂有19座，其中，中国国内就占了10座。

上海华虹宏力半导体制造有限公司执行副总裁徐伟近日在接受记者采访时表示，全球半导体行业正进入“后摩尔定律”时期，产业逐步从技术驱动转为应用驱动，在国内随着最近两年国家一系列扶持政策的出台，本土半导体产业正迎来新的发展机遇期。

在居龙看来，眼下正是中国半导体产业高速发展的关键转型期。全球半导体市场正呈现出新的发展趋势，比如半导体产业走向成熟，成长渐缓，全球并购浪潮汹涌，竞争更剧烈；国际系统厂商重新主导推动集成电路设计发展；新应用风起云涌使竞争门槛进一步提高；摩尔定律放缓，但制造工艺还在前行，而且投资不断加大等。这些都给中国半导体企业带来新的机遇和挑战。

值得关注的是，在当前新一轮集成电路投资热潮中，国产半导体设备和材料的缺失尤为凸显，绝大部分资金被用于购买进口设备和材料。据居龙介绍，目前中国半导体设备和材料占全球市场份额不足1%，这已严重制约着国产芯片产业的自足、健康发展。专家指出，当前中国半导体产业所面临的全球竞争仍在加剧。对国内企业来说，需要切实提升自身技术实力，同时要加速融入全球产业链中，在国际规则下寻求合作共赢。

（来源：新华社）

长电先进+江阴星科金朋合力打造14 nm先进封装量产平台

近日，从长电先进（JCAP）和星科金朋江阴厂（JSCC）内捷报传出，基于14 nm晶圆工艺的封装芯片已经成功通过客户电性能和可靠性验证，并正式开始量产。首批300 mm量产晶圆已经从10月开始从长电先进和星科金朋江阴出货，并持续批量生产，这一消息成功极大的鼓舞了两个厂的生产和工程团队，同时也向业界宣告长电先进和星科金朋江阴厂成为国内第一家能够量产14 nm工艺bumping和FCBGA的制造厂家,达到了目前国内高端封装的最高水平。

此次量产的产品是目前最先进的14 nm Fin-FET工艺，虽然客户之前一直有在国外封装厂加工的经历，但还是非常希望在国内建立bumping、封装和测试的一条龙服务的供应链，这样可以更加方便的沟通和节省Cycletime。而长电先进是国内最大规模、技术最先进的晶圆凸块和晶圆级芯片尺寸封装生产企业，早在2007年就已经完成300 mm晶圆凸块的开发和量产，并于2013年初在28 nm制程晶圆上成功实现晶圆凸块的量产，具有丰富的高阶制程晶圆凸块生产经验。结合星科金朋先进的基板封装术，JCAP+JSCC组合成为了当前国内最强封测组合，该14 nm制程产品落地JCAP+JSCC组合变得毫无悬念。而且实际证明这是非常好的选择，彻底为客户解决了其他厂遇到的失效问题。同时我们快速的交期和极高的封装良率,也为客户提供了更为优质的服务。

此新产品的成功量产对整个长电集团而言意义重大，首先对于长电先进而言是一个质的飞跃.长电先进和星科金朋年来一直从事于bumping, WLCSP,BGA等封装多年，其产品和服务服务已经得到了多个国际大公司的认可.这一次的成功量产,标志了两个公司的强强联手,从集团的角度来看达到了资源的充分整合。在不到一年时间理，双方的合作已经卓有成效，截止目前已经成功导入多家知名客户，所以拥有了这一强有力的平台，我们可以预见会更多的客户会在长电先进和星科金朋江阴厂顺利量产，为客户提供最优质的一站式服务!

来源：长电科技

首个自愈合弹性半导体问世

近日，美国斯坦福大学研究人员首次制备出一种可用于制作晶体管的可自愈弹性聚合物，为新一代可穿戴设备开辟了道路，相关论文日前在《自然》期刊发表，《自然》同期评论文章中表示，该研究实现了复杂有机电子表面模仿人类皮肤，是仿生学发展的一座里程碑。

斯坦福大学研究人员通过将刚性半导体聚合物与柔性材料结合，制作出了像人体皮肤一样可以拉伸、形成褶皱、自我愈合的半导体，能够用于可穿戴设备、电子皮肤乃至柔性机器人。这种新的聚合物在拉伸到原来尺寸的两倍以后，仍然保持原有的导电性能，与非晶硅的导电性能一致（非晶硅是制作控制液晶显示像素的晶体管阵列时会用到的材料）。

研究人员表示，制作弹性半导体聚合物一直以来都是个难题。弹性材料的典型设计规则是让材料更软、结晶度更低。但一般的高性能半导体聚合物，都需要高度结晶且硬度较高，导致材料硬且脆，容易碎裂。

为解决这个难题，研究人员首先使用含有二酮吡咯并吡咯（DPP）单元的聚合物（DPP中大量的碳键使其硬度和结晶度高）；然后，在不改变聚合物整体导电性能的前提下，替换掉5%～10%的DPP，通过减少碳键的数量使材料变得更软；最后，研究人员再往其中加入另外一种更软、很容易形成氢键的弹性聚合物。由此得到了一种全新的材料。拉伸这种新材料时，里面的化学键会断开吸收机械能，而应力释放时，这些键又会重新结合起来。

这种弹性晶体管材料由两部分组成：一是刚性的半导体，二是连接这些半导体的无定形链。拉伸时，无定形链间由氢键连接，收缩时氢键断裂吸收机械应力。该材料经过1 000次拉伸循环后（拉伸至双倍尺寸又重新缩回），开始出现一些裂纹，导电性也轻微降低。但使用溶剂蒸汽处理150℃的热板上加热之后，该材料可以自我愈合，并且几乎完全恢复原本的导电性能。

研究人员已经使用该聚合物制造出可以穿戴在肘部和踝部的弹性晶体管。研究团队正在从事将这种材料纳入传感器的研究，希望以后能开发出柔性可穿戴显示器。

可伸缩聚合物导体和绝缘体材料早已得到广泛应用，而合成具有可拉伸性质的半导体是世界首例，斯坦福大学团队将高弹性、自愈合和高效电荷传输性能“集成”进新型高分子材料中，实现了材料学、仿生学和电子学的重大突破，为新一代类皮肤可穿戴设备研制奠定基础。

来源：国防科技信息网）

数百亿美元半导体设备投资如何避免被海外大厂瓜分?

随着近期国内半导体制造企业密集启动投资项目与产能建设（未来两年晶圆制造厂达到10座），有观点认为中国半导体产业黄金发展期正在到来。但与此同时，在总额高达数百亿美元的投资中，设备投资将超过75%，而国产设备商的供应能力却严重不足。这意味着绝大部分的设备投资额将被海外设备大厂所瓜分（目前在12英寸生产线中设备的国产率仅约5%）。加强我国半导体设备厂商的研发与供应能力正变得愈发急迫起来。

中国大陆将成最大半导体设备市场

从全球范围来看，半导体产业正在发生着第三次大转移，即向中国大陆、东南亚等发展中国家和地区转移。根据IC insights的数据，在2007年，中国大陆IC制造产值为45.9亿美元，占全球的份额仅为1.96%。但到了2012年，中国大陆IC制造产值迅速上升到89.1亿美元，全球份额也提升到3.5%。预计至2017年，中国大陆IC制造占全球的份额有望达到7.73%。2012～2017年间，中国本地IC制造产值将以16.5%的年均复合增长率增长。

近两年，国内外半导体制造龙头企业纷纷在中国大陆投资兴建新的半导体晶圆厂也印证了这一观点。台积电计划在南京独资建设300 mm(12英寸)晶圆厂；英特尔大连厂转型投产3D NAND Flash；中芯国际北京B2厂正式投产，B3在建，并在上海、深圳新建300 mm生产线；武汉长江存储项目2016年3月奠基，将新建NAND&NOR生产线；华力微电子将在上海新建300 mm生产线；晋江新建300 mm存储器生产线。新一轮产能建厂潮正在到来。

“中国跃升全球半导体第一大市场，但自给率仅为27%，在《国家集成电路产业发展推进纲要》中已制定明确目标，至2020年芯片自给率将达到40%，2025年达50%。在庞大资金与相关配套政策扶植下，预计未来几年半导体建设将蓬勃发展”。SEMI中国区总裁居龙在接受记者采访时指出。根据SEMI的数据，2016年、2017年全球新建的晶圆厂将达到19座，其中有10座位于中国大陆。

95%设备订单可能落入海外厂商囊中

然而，由于国产设备的供应能力严重不足，数量庞大的半导体设备投资绝大部分将被海外设备大厂所瓜分。

应用材料中国有限公司CFO赵甘鸣告诉记者，一般来说建设一条300 mm生产线，每一万片晶圆的设备投资约为10亿美元。根据工艺先进程度不同或者制造厂商的技术能力区别，投资额会上下浮动10%左右。如果未来数年之间，我国有10条以上的生产线建设计划，其中的设备投资额将是巨大的。

SEMI的数据显示，2015年全球半导体设备市场营收达373亿美元，其中中国市场营收48.8亿美元，占比13.09%；预计2016年中国设备市场营收为53.2亿美元，增长9.02%，占比进一步提升至14.07%。中国市场已经是未来10年全球半导体设备行业最大的增长动力。

居龙警告说：“尽管中国大陆半导体投资大增，中国大陆设备厂的供应能力却严重不足。”国产化率偏低，国产设备的产能还远不能满足市场需求。

研究报告也指出，一条总成本约10亿美元的200 mm生产线，设备成本占6.5亿美元，国产设备约可占据6 500万美元；在300 mm生产线上，设备国产率约5%；成熟一些的90 nm生产线的设备国产率可以达到8%。

根据中国半导体行业协会半导体支撑业分会此前发布的一份报告，国内半导体设备行业技术水平近年来得到较大提升。在200 mm集成电路制造的主要关键设备方面，具备了供货能力，目前刻蚀机、离子注入机、薄膜生长设备、氧化炉、LPCVD、退火炉、清洗机、单晶生长设备、CMP设备、封装设备等基本形成国内配套能力，技术水平基本可以满足用户要求；在300 mm、28nm技术代的前道主要关键设备研发上也取得了很大进步，部分设备进入大生产线验证。预计到2018年，将有40多种装备可以通过生产一线用户的考核，进入采购。

总之，国产半导体设备虽然取得了一定的进步，但总体供应能力仍然不足。一条晶圆生产线中设备用户一般会综合采用高、中、低端设备，高端市场几乎完全被国外企业垄断，即使在中低端设备市场，我国设备厂商仍然面临日韩厂商的竞争。在中国加大半导体制造投资之际，加强我国半导体设备技术能力正变得愈加急迫起来。

争取从0到1的突破

近年来，我国半导体产业发展颇为迅速，IC设计、芯片制造及封装测试等领域均取得了长足进步。但是，半导体装备与材料却存在短板。那么，应当如何摆脱这种困境呢？

居龙认为：“目前中国设备正在取得从0到1的突破，但是要认识到这一进程的长期性。”半导体设备从研发到商用，周期都比较长，新产品一般要经过2年到4年才可以进入市场，5年至6年开始实现销售，8年至9年才可能达到收支平衡，10年才可能达到盈利。在这个过程中，中国企业应当不断提升技术创新能力，建立自主创新体系。国际上集成电路已实现14 nm量产，国内与国际先进水平还有2代的差距。中国半导体设备是从落后追赶到同步发展。作为后进入者，要替代国外产品，必须要形成白己的创新特色，建立竞争优势，这要求国内企业不断提升自身研发创新能力，与用户密切合作，积累自主知识产权，提升技术开发能力。

中科院微电子所所长叶甜春也指出：“中国装备企业要寻找与本土产业链的结合，制造、装备、材料等产业环节结合在一起，才能提高自身的竞争力，完善整个产业生态，最终使整个产业受益。”纵观国内半导体装备企业，近几年虽然发展很快，但与国际企业相比普遍规模较小，生存能力较弱，融资渠道不畅，在主流市场上与国外同行竞争仍面临着许多困难。加之半导体设备前期投资大，回收期长，企业单打独斗将难以为继，因此，国内企业只有加强合作与整合，资源共享，提高资产使用效率，才能与国外竞争对手抗衡。

（来源：中国电子报）

投奔“新蓝海”，UV LED发展进程近况全接触

传统LED背光以及照明市场低迷，UV-LED等市场也逐渐受到关注。近日，日亚化就对外表示，UV-LED的用途预料将会日益扩大。展望2017年总体市场虽有成长，但液晶背光及照明市况仍持续低迷。面对大陆厂的威胁，不少台厂也已相继转入车载、UV等具有蓝海商机的市场，事实上，现阶段主要UV-CLED厂为美国、日本、韩国厂商，预计包括日亚化学与中国台湾地区LED厂商将在今年第四季陆续推出UV-CLED产品，以加速UV-CLED技术进展。

日前，日亚化也透露将于第4季陆续推出UV-CLED产品，明年也将持续积极投入研究开发及设备投资。此外，台厂如光鋐与研晶也将于11月推出265～275 nmUV-CLED，以短波为主力应用于杀菌净化应用市场之中。由于短波长UVC技术门槛高，而且应用在医疗杀菌、生物辨识等特殊高阶领域，其中净水应用方面，日本大厂已经大举投入开发，可望带动市场规模加速放大，台湾LED厂商则有望在价格优势下，与国际大厂竞争抢市。

如今，为夺取成长市场，以通过提高发光效率、建立量产技术，实现成本化为目标，全球渐已掀起了一场白热化的技术开发竞争。纵观全球市场，一马当先的是3家日本企业：日机装、旭化成和德山。此外，包括韩国厂商首尔半导体与LGInnotek也在研发紫外LED。日本信息通信研究机构(NICT)也已宣布，新开发的波长265 nm的深紫外LED，实现了输出功率高达90 mW/cm2的连续发光，这一功率足以满足实用化需求。

在国内LED企业中，以鸿利智汇、国星光电为代表的中游封装公司都计划也相继推出了各自的深紫外LED产品。早在2014年，国星光电便已经推出了自己的紫外LED器件，并于2015年初推出陶瓷基板3535、COB封装的1215、深紫外6363无机封装等系列的LED器件。今年的8月3日，鸿利智汇亦在投资者关系互动平台上表示，深紫外LED产品也将会是该公司在LED行业布局的方向之一。

市场规模

近期，有相关市调机构作出预估，UVLED市场规模(晶粒加封装)将可望从2014年9 000万美元扩大至2019年的6亿美元，其中，UV-ALED受到近年来价格下滑影响，成长速度较快，2014～2016年市场需求开始明显起飞，且应用面在于工业使用等级，价格波动性较低。据预计，UV-CLED将从2017～2018年进入爆发成长期。

据了解，紫外线LED的发展主流为UV-ALED与UV-CLED，其中UV-ALED多聚焦于光固化市场应用。数据显示，2016年由于紫外光LED产品积极导入光固化、杀菌与净化市场等各项应用，预估产值将成长至 1.66亿美元。在UV-ALED市场激烈杀价竞争下，整体紫外线LED市场产值已连续2年持平于1.22亿美元。

然而，在汞灯使用禁止条例将于2020年发酵的预期心理下，欧美与日本的光固化设备商皆积极导入紫外线LED，拉升改机与替换市场的需求，带动2021年整体紫外线LED市场产值将达5.55亿美元，年复合成长率高达27%。2016年紫外线LED应用于光固化市场产值达8100万美元，2021年将达1.95亿美元，年复合成长率为19%，2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50%～60%。

另外，由于UV-C可应用在食物保鲜、空气净化、水净化等市场，潜在需求惊人。然而UV-CLED产品技术门槛相当高，不论在磊晶、晶片技术、封装与市场接受程度等都面临诸多挑战。在技术持续进展下，预估2016年UV-CLED杀菌与净化应用的市场产值达2800万美元，2021年将达2.57亿美元，年复合成长率高达56%。

企业动作

Nikkiso购入UV-CLED杀菌技术

今年8月，有超过50年的产品研发经验的日商日机装美国分公司(NikkisoAmerica)宣布以现金交易方式，收购美国UV-CLED消毒技术厂商AquiSenseTechnologies。据报道，AquiSense和日机装有着共同的目标，亦即提供使用UV-CLED进行消毒的产品系列。AquiSense借重UV-CLED技术提供水、空气以及表面消毒杀菌系统。这次收购让日机装和AquiSense能够加速全球消毒杀菌市场的商业化。

其中，NikkisoAmerica方面表示，对于AquiSense能够打入不同的高价值市场乐观其成，且同时也将持续支持这样的发展。AquiSense则表示一直以来均与许多供应商密切合作生产UV-CLED产品，而NikkisoAmerica也持续提供优良产品。AquiSense生产的PearlAqua是一款获奖肯定的UV-CLED净水系统，其中的固态科技使用不可见光UV进行消毒。两间公司都相信UVLED的应用将会促进健康并且加速消毒杀菌产业的发展。

两台企成立UV-CLED合资品牌

2016年11月，光鋐与研晶发表产品说明会，共同宣布Bioraytron为光鋐与研晶合资品牌，成立深紫外线LED垂直整合，从磊晶、芯片生产，专注于UV-CLED封装与模块相关产品销售。统计显示，全球杀菌产值达5 000亿美金，包括了居家市场、医疗、工业等。庞大的市场产值受惠于产品节能、禁汞政策之下，深紫外线LED产品开发成为LED相关厂商进入利基市场的主要市场策略之一。

光鋐为紫外线与红外线芯片厂商，研晶则专注于封装与模块，看好深紫外线市场发展，于2年前谈定积极建立台湾深紫外线产品供应链。据悉，其合资品牌Bioraytron正积极应对于市场需求研究，了解到深紫外线UV-CLED产品波长在＜275 nm，加上高辐射（mW/cm2），将会创造出最佳的杀菌组合。他们将主要目标客户将锁定水、空气、表面杀菌及医疗仪器等相关深紫外线UV-C产业客户群。

RayVio推出中功率紫外(UV)LED

11月中旬，全球深紫外LED器件和消毒系统解决方案领导者美国RayVio公司，宣布推出其XE系列中功率紫外(UV)LED，其额定输出功率为6 mW，采用超小型3535封装。凭借280和310 nm的光谱输出，RayVio的XE系列它将使细菌、病毒和其他病原体的DNA失去活性，并藉此预防疾病。据介绍，18日，RayVio公司推出了全球首款医用级别婴幼儿用品消毒器Ellie，基于TRUVIOLET技术，一颗RayVio深紫外UVCLED能在60秒内杀灭99.9999%的耐甲氧西林金黄色葡萄球菌(MRSA)、李斯特菌和沙门氏菌的细菌样本，利用的颗数越多就越能更快地杀灭细菌或杀灭更多细菌样本。

与传统的，易碎且含有汞的紫外光源不同，RayVioXE系列是一种紧凑的数字光源，它比传统光源更安全。而作为最小的商用紫外LED，它的这一特性赋予了该产品无与伦比的灵活性，能够与一系列产品进行整合，包括自动消毒水瓶和医院表面清洁器等。由于XE系列的光功率输出是相同大小UVLED的2倍以上，因此可以节省电池寿命，它几乎可以在任何解决方案中使用。来自RayVio的XE系列波长为280 nm的紫外光可杀死水，空气和表面上的细菌。在310 nm，来自XE系列的UV光可以帮助治疗皮肤疾病，包括银屑病，湿疹，rets病和黄疸。

技术突破

全新纳米薄膜技术使深紫外LED价降

深紫外光被广泛用于饮用水净化和医疗器械的严格消毒，但又大又笨重的汞灯作为光源，不便携带在紧急情况下使用之外，对环境也不够友好。此前有报道指，为克服这问题，俄亥俄州立大学的工程师开发出了一种柔性、轻量、基于LED的深紫外薄膜原型。它能够包覆在物品上，尤其有效地杀死有害微生物。这项技术一旦商业化，将有机会带来价格更低、重量更轻、对环境也更友好的深紫外LED。据悉，当前制作一台深紫外灯就必须要用到汞灯。然而水银有毒性，加上灯泡笨重、效率也低。而由于LED的效率很高，如把UVLED做得便携、安全、廉价，大众都能随时喝到安全饮用水。

通常任何类型的紫外光都可以很好地杀死有害微生物，比如波音就在飞机厕所上用到了紫外消毒系统(以及某些真空吸尘器)。该校的研究人员们使用了基于分子束外延方法的全新纳米薄膜技术。借助半导体行业的生长方法(分子束外延)，在上面培植了一片紧密的铝氮化镓线 (其高度在200 nm、直径在20～50 nm)，然后用钛、钽材料制成柔性导电纤维。测试发现，在向纳米导线施加电流时，其发出的光线和在生硬的单晶硅上一样亮。这项研究的有关具体内容，现已发表在近日出版的《应用物理快报》(AppliedPhysicsLetters)上。

1万小时寿命10 mW深紫外LED量产

10月21日，深耕深紫外LED领域的圆融科技宣布旗下全资子公司青岛杰生电气有限公司经过多年研发正式推出寿命达到1万小时的10 mW UVC(深紫外)LED产品，据称，这一水平处于世界领先地位。目前该公司产品包括2 mW，5 mW和10 mW不同功率档，30 mW以上大功率的产品将在后期陆续推出。自2012年推出1 mW的UVCLED产品以来，青岛杰生电气的产品一直在国际上享有盛誉，尤其在深紫外275 nm深紫外芯片技术上一直引领业界方向。

据介绍，青岛杰生成立于2001年，由归国学者创立，是目前中国唯一一家量产深紫外LED芯片的企业，并于2015年获得国家科学进步奖。同年10月圆融科技全资收购青岛杰生。近年来深紫外UVCLED成为市场的热点，主要原因在于深紫外LED被发现可以应用到众多领域，除了替代原有的汞灯杀菌市场以外还带来新的机遇，比如净水领域，空气净化，食品安全领域，母婴用品，医疗领域，健康市场等等，最重要一点是该技术是绿色无污染技术。因而，圆融科技以给世界提供高效耐用，高性价比，最好的深紫外UVCLED器件为目标。

深紫外LED设备及工艺取得突破进展

北京中科优唯科技有限公司是在与中国科学院半导体研究所合作基础上组建，专注于深紫外(300nm以下)LED的产业化。早些时候，该公司便宣布在深紫外UV设备和工艺方面取得突破性进展。据悉，中科优唯研发出的专门用于深紫外LED的7片机和48片机型，生长温度高达1 400℃以上，加热丝具有很好的寿命。其开发出的深紫外LED基础材料AlN缓冲层的基础工艺生长速率为1 μm/h时，在7片机和48片机上获得满足深紫外LED生长的XRD摇摆曲线半高宽，(002)最低达到30 rad·s，(102)已小于500 rad·s。其初步制作的280 nm附近深紫外LED已实现电注入发光，发光功率大于1 mW。

据透露，从目前进展来看，该公司有望实现批量设备上280 nm以下深紫外LED的材料生长，并结合器件工艺实现规模化深紫外LED的技术突破，为深紫外LED降低成本，规模应用解决生产设备和成套工艺的技术瓶颈。另外，据指未来白色家电将是使用深紫外LED消毒应用的一大新领域，电冰箱、洗衣机、空调机、空气净化器、饮水机等产品都有使用小型消毒器的需求，各大厂家都在寻找适合的产品，紫外LED具有体积小、设计方便、没有污染等特点，尤其适合在白色家电中应用。

来源：新兴产业智库

投资超百亿元主攻“中国芯”半导体龙头“落子”宁波

日前，由中芯国际、国家集成电路产业基金和宁波投资方共同投资建设的中芯集成电路(宁波)有限公司正式挂牌成立。这是宁波对接“中国制造2025”的重大产业项目之一，投资超百亿元。中芯宁波的落户，有望填补国内在高压模拟与特种工艺半导体领域的诸多核心技术和制造能力的空白，补上宁波乃至浙江对芯片依赖进口的短板，助推宁波智能经济和杭州信息经济的发展。

宁波集成电路产业起步于“十五”时期，目前已形成以集成电路基础材料为特色，覆盖集成电路设计、芯片制造、封装测试、专业气体等上下游产业的集成电路全产业链体系，培育引进了比亚迪半导体、金瑞弘科技、江丰电子、康强股份等一批国内知名企业，2015年，全行业产值约为50亿元。

宁波市经信委主任陈炳荣说：“宁波把发展智能经济作为今后的主攻方向，主攻智能装备制造、制造终端产品开发、智能无人系统应用、智能服务四大领域，产业转型升级，离不开芯片。中芯宁波主攻特种工艺集成电路芯片，追求性能稳定，具有抗高温、抗干扰、抗辐射等特性，不仅将有效促进宁波集成电路产业链上下游的整合，还有望带动汽车电子、物联网、智能家电、可穿戴设备、新一代射频通讯等领域的快速发展”。

中芯宁波成立后，将通过对相关知识产权和技术的收购、吸收、提升和发展，在高压模拟半导体以及包括射频与光电特色器件在内的模拟和特色工艺半导体技术领域，开发、建立新的核心器件及工艺技术平台。

与中芯宁波一同揭牌的还有宁波芯空间集成电路有限公司和宁波北仑微电子产业园控股有限公司。宁波芯空间集成电路有限公司是专业性产业推进服务平台，将专注于集成电路产业链的技术公共服务支持、金融投资、产业管理等业务，在完善宁波市集成电路产业培育及环境建设的基础上，承担引资、引企、引智工作。

目前，行业龙头落户的作用已开始显现，已有多家与集成电路产业链相关的设计、封装、制造企业正在与宁波积极对接。而为了进一步推动宁波集成电路产业的发展，宁波相关部门也正在起草集成电路产业专项扶持政策和3年行动计划。

来源：浙江在线

我国集成电路产业的机遇与挑战

2016年10月9日下午，中共中央政治局就实施网络强国战略进行第三十六次集体学习。中共中央总书记习近平在主持学习时强调，要紧紧牵住核心技术自主创新这个“牛鼻子”，抓紧突破网络发展的前沿技术和具有国际竞争力的关键核心技术，加快推进国产自主可控替代计划，构建安全可控的信息技术体系。习近平总书记在网络安全和信息化工作座谈会上指出，核心技术是国之重器，最关键最核心的技术要立足自主创新、自立自强。《国家信息化发展战略纲要》也提出，要逐渐改变核心技术受制于人的局面，到2025年，建成国际领先的移动通信网络，根本改变核心关键技术受制于人的局面，实现技术先进、产业发达、应用领先、网络安全坚不可摧的战略目标。

集成电路产业作为国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育战略性新兴产业、发展信息经济的重要支持，关乎国家核心竞争力和国家安全，其在信息技术领域的核心地位十分重要。推动集成电路产业健康发展，是应对网络信息安全挑战的必然选择，也是最终实现核心技术自主可控的必由之路。

一我国集成电路产业面临的机遇分析

1.技术和模式创新正在引发新一轮的产业变革。从技术角度来看，当前全球集成电路产业正处于技术变革时期。摩尔定律推进速度已大幅放缓，集成电路技术发展路径正逐步向多功能融合的趋势转变，围绕新型器件结构的探索正成为集成电路技术创新的主要焦点，物联网、云计算、大数据等迅速发展，引发CPU计算架构发生变革，由英特尔公司所构筑的X86架构垄断正逐步被突破。加之我国在计算机、移动通信等领域具有庞大的市场需求基础，这恰好为我国集成电路产业追赶国际先进水平创造了难得的机遇。随着技术和资金等门槛不断提高，集成电路跨国企业正酝酿着大规模兼并重组，为我国企业在全球范围内获取先进技术、优秀人才以及市场渠道创造了有利条件。

2.中国市场在全球的引领作用持续凸显。根据世界半导体统计组织（WSTS）的数据统计，受PC销售下降和智能手机增速放缓的影响，2015年全球半导体市场销售额为3352亿美元，同比下降了0.2%。在全球市场整体萎靡的状态下，作为全球最大的集成电路应用市场，中国继续保持了稳健的增长态势。根据中国半导体行业协会数据统计，2014年随着移动互联网的爆发式增长，带来了我国集成电路市场的新高峰，集成电路市场规模首次突破1万亿元，同比增长13.4%，这充分显示出中国半导体市场强健的抗风险能力和旺盛的市场需求。2015年在政策拉动和市场需求的带动下，我国集成电路市场规模进一步扩大，达到11024亿元，同比增长6.7%，占全球市场份额的51%。

3.国内龙头企业的竞争实力不断壮大。2015年在国家大众创新、万众创业政策激励下，众多的集成电路设计企业如雨后春笋般涌现，仅去年一年新注册的集成电路设计企业就有200多家。从企业实力角度来看，中国集成电路企业实力不断增强。海思半导体已经成长为全球第6大设计企业，紫光收购展讯和锐迪科后，企业规模快速壮大，成为全球第10大设计企业。2015年6月，中芯国际、华为、比利时微电子研究中心（IMEC）与高通一同宣布共同投资中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司，主要面向下一代14 nm先进工艺制程的研发。这一系列成果的推出将改变我国在集成电路制造的落后局面，大幅提升产业制造能力，并将进一步完善中国整体集成电路加工产业链。现阶段良好的产业发展基础为未来实现突破创造了有利条件。

二我国集成电路产业面临的挑战分析

1.部分高端核心芯片产品仍存在缺失。当前，全球主要高端芯片设计、生产和供应企业集中在美国，比如英特尔、高通等。我国的芯片设计技术和生产工艺与美国相比，尚存在整体差距。虽然我国在低端芯片的研发和生产已基本具备自给自足能力，但在高端核心芯片（例如：高端服务器CPU、高端路由交换芯片、高速数模转换芯片等）方面，基本依靠进口。根据国务院发展研究中心发布的《二十国集团国家创新竞争力黄皮书》数据显示，目前我国关键核心技术对外依赖度高，80%高端芯片依靠进口。

2.研发投入的强度和持续度仍待提升。集成电路是高风险、高投入产业，特别是制造业，资金投入巨大且要求持续长时间投资，投资压力极大。根据企业财报分析，三星、台积电、Intel每年投资均超过100亿美元，而我国集成电路全行业每年投资仅约50亿美元。目前，我国虽然设立了集成电路产业投资发展基金和重大科技专项，但是总投资规模、研发投入与国外大企业相比仍然不足。此外，在集成电路前沿和基础领域投入方面，还应加大投资集中度和投资力度。

3.自主产业生态体系亟需进一步完善。当前，集成电路产业依靠单点技术和单一产品的创新，正在向多技术融合的系统化、集成化创新转变，产业链整体能力与生态环境完善成为决定竞争的主导因素。目前，我国既缺乏类似英特尔、谷歌、IBM等可以高效整合产业各环节的领导型龙头企业，又缺少与之配套的“专、精、特、新”的中小企业，因此不能形成合理的分工体系，尚未形成国外以大企业为龙头、中小企业为支撑、企业联盟为依托的完善的产业生态系统。

三坚定不移持续投资推动集成电路全产业链健康发展

1.坚持创新驱动发展战略，促进产学研用一体化发展。一是集聚各方面资源，围绕产业链部署创新链，围绕创新链完善资金链，着力培育企业作为创新主体，实现技术创新、管理创新和商业模式创新。二是加强高校和研究机构集成电路科研工作与产业化的衔接与接触，在实践中加强产业界和学术界的合作。建立和完善衔接机制，推动产业链有效对接。三是贯彻落实“中国制造2025”等国家政策，搭建共性技术研发平台和生态系统建设平台，推动核心技术和关键技术的联合研发和攻关。

2.加强协同生态体系建设，推动并完善集成电路生态链。一是坚持产业链建设和生态链建设并举，围绕重大市场需求加强产业链上下游整合，打通各环节形成协同效应。二是坚持国家重点支持和市场化运作并行，在提升产业核心竞争力的关键领域和保障国家安全的核心瓶颈加大支持，同时以企业为主体实行市场化运作。三是积极推动和地方的协同发展，在国家的整体布局和重点推进的基础上，鼓励各地依据特色和优势形成差异化发展。

3.坚持对外开放和共赢发展思想，加强产业和资本的有效协作。一是把握集成电路产业高度国际化特征，进一步优化产业发展环境。利用全球市场、技术、资本和人才资源，推进产业链各环节开放式创新，同时加强国际交流与深层次合作，提升在全球产业格局中的地位和影响力。二是加强产业资本和金融资本的有效合作，推动国家基金、地方基金和国家开放性政策性金融机构与社会资金的互动，形成合力。三是充分发挥市场机制的作用，以骨干企业为依托，推动企业间的兼并重组和海外并购，加强行业内的横向和纵向整合，培养具有国际竞争力的企业。

4.注重人才培育和智力引进，整合力量推动创业创新发展。一是进一步加强国家示范性微电子学院的建设，探索高校、研究机构与企业形成有效、完善的合作路径，推动企业资源与教育资源深度融合，创新人才培养模式。二是完善高端人才引进政策，鼓励企业多渠道、多途径引进海外集成电路领军人才和优秀团队，创造有利于人才发展的宽松环境。三是组织实施“集成电路创新创业计划”，结合“大众创新，万众创业”双创工作，设立集成电路人才创新创业基金，构建集成电路产业创新创业促进平台，为集成电路领域营造良好的创新创业环境。

(来源：人民网)

2016年1-9月中国集成电路产业运行情况

根据中国半导体行业协会统计，2016年1-9月中国集成电路产业销售额为2979.9亿元，同比增长17.3%。其中，设计业增长较快，销售额为1174.7亿元，同比增长24.8%；制造业同比增长16.8%，销售额707.4亿元；封装测试业销售额1097.8亿元，同比增长10.5%。

根据海关统计，2016年1-9进口集成电路2471.6亿块，同比增长9.1%；进口金额1615.7亿美元，同比下降0.7%。出口集成电路1322.8亿块，同比增长1.4%；出口金额444.7亿美元，同比下降5.4%。

来源：中国半导体行业协会