吕宝华,李玉珍,黄 健,任晓娟
(运城学院1.应用化学系;2.机电公共实验中心,运城044000)
In2O3为透明导电氧化物材料,具有独特的光学和电学性能,在平面显示器、透明薄膜晶体管和薄膜太阳能电池等方面具有广泛的应用[1-2]。锡元素的掺杂能进一步改善In2O3的性能[3-6],这是因为Sn4+的半径(0.07nm)与In3+的(0.08nm)十分接近,易于取代铟的位置进入In2O3晶格中;当Sn4+取代In3+后,会使晶体产生氧间隙或铟空位,从而改变In2O3的光学和电学性能。目前,制备锡掺杂In2O3的方法很多,如磁控溅射沉积法[7]、溶剂热法[8]、热蒸发法[9]和化学共沉淀法[10]等,但这些方法存在操作要求高和设备昂贵等缺点。固相反应法具有工艺过程比较简单等优势,尤其在制备粉体材料时易于控制。因此,作者采用固相反应法合成了不同锡掺杂量的(In1-xSnx)2O3粉体,并对它们的光学性能和形貌进行了研究。
以In2O3粉(分析纯)和SnO2粉(分析纯)为原料,将它们按一定质量比混合后研磨1h,然后将混合粉置于瓷坩埚中,并一起置于马弗炉中进行预烧,预烧温度为300℃,预烧时间为30min;然后再在800℃进行恒温烧结,烧结时间为6h,烧结结束后随炉冷却即制得了(In1-xSnx)2O3粉体(x=0,0.01,0.02,0.05)。
采用inVia型显微共焦拉曼光谱仪测粉体的拉曼光谱,采用二极管激光器,波长为785nm;采用S-4800型场发射扫描电子显微镜(SEM)观察粉体的微观形貌,加速电压为20kV;采用Cary5000型紫外-可见-近红外光谱分析仪测粉体的紫外-可见光吸收谱,测试波长范围为200~800nm;采用TENSOR27型傅立叶红外光谱仪测粉体的红外光谱,分辨率为0.9cm-1;采用Y-2000型X射线衍射仪(XRD)表征粉体的晶体结构,扫描角度为25°~80°,扫描速度为0.04(°)·s-1。
不同锡掺杂量的(In1-xSnx)2O3粉体都出现了In2O3的(222)、(411)、(332)、(431)、(440)和(622)等晶面的衍射峰,如图1所示,说明它们均为立方相In2O3;当锡的掺杂量较大(x=0.05)时,还出现了微弱的SnO2(101)峰,这说明除了部分锡进入了In2O3晶格中,还析出了部分SnO2。
图1 不同锡掺杂量(In1-xSnx)2O3粉体的XRD谱Fig.1 XRD spectra of(In1-xSnx)2O3powders with different Sn-doping amounts
从图2中可以看到,纯In2O3(x=0)的拉曼光谱振动峰分别位于142,491,625cm-1,它们分别对应立方相In2O3的131,504,637cm-1三个标准特征拉曼峰[11]。与标准In2O3峰相比,向低波数偏移的拉曼峰(491cm-1和625cm-1)可能是In2O3纳米晶体的声子限制效应引起的[12]。与纯In2O3粉体(x=0)相比,掺杂锡的In2O3粉体在142,395,491,625cm-1等位置的拉曼光谱峰位变化不是很大,但拉曼峰却有明显的宽化现象,这主要是因为部分Sn4+取代In3+后逐渐诱导晶格变得无序而引起的[13]。当x=0.05时,在604cm-1附近出现了新的振动峰,经确认该峰为SnO2的特征拉曼峰。这说明适量锡能很好地融入In2O3晶格中,但当锡的掺杂过量时就会在以SnO2的形式析出。这与XRD谱得到的结果一致。
图2 不同锡掺杂量(In1-xSnx)2O3粉体的拉曼光谱Fig.2 Raman spectra of(In1-xSnx)2O3powders with different Sn-doping amounts
从图3中可以看到,纯In2O3在321nm处有一个明显的吸收峰,说明其为立方结构的In2O3纳米晶;随着锡掺杂量的增多,(In1-xSnx)2O3粉体分别在波长为227nm(x=0.01)、225nm(x=0.02)和225nm(x=0.05)处有较强的吸收峰,与纯In2O3相比,吸收峰明显向低波长方向移动,出现明显的蓝移现象,这与(In1-xSnx)2O3粉体中存在弱的量子限域效应有关[14]。此外,在可见光范围内曲线的变化趋于平缓,没有明显的吸收峰,这表明锡的掺杂对In2O3粉体的紫外吸收性能有明显影响,但对其可见光吸收性能没有明显影响。
从图4可以看到,3 415cm-1附近的吸收峰归因于在压片时吸附的H2O导致的O―H基团伸缩振动;1640cm-1处的吸收峰与H-O-H的弯曲振动有关;2 358cm-1处的吸收峰是基于CO2的O=C=O的反对称伸缩振动产生的;480cm-1处的吸收峰归因于In2O3的本征晶格吸收(特征吸收峰),上述吸收峰在(In1-xSnx)2O3粉体(x=0.01,0.02,0.05)中都出现了,说明固溶体保持了In2O3的立方晶系结构,但其中的In-O吸收峰与纯In2O3的相比出现了明显的改变,这主要是因为Sn4+取代In3+的位置并形成了铟空位,直接打破了In-O原有的对称性,从而影响了In2O3原有的状态,进而影响了In2O3的红外光学性能。
图3 不同锡掺杂量(In1-xSnx)2O3粉体的紫外-可见吸收谱Fig.3 Uv-vis absorption spectra of(In1-xSnx)2O3 powders with different Sn-doping amounts
图4 不同锡掺杂量(In1-xSnx)2O3粉体的红外吸收谱Fig.4 IR spectra of(In1-xSnx)2O3powders with different Sn-doping amounts
从图5中可以看出,纯In2O3粉体的晶粒大小不均匀,且存在大的片状晶粒;随着锡掺杂量的增多,结晶质量变差,层状叠聚加剧,使得片状晶粒增大,这主要是因为随着锡元素的加入,抑制了In2O3晶粒的长大,从而使得层状叠聚现象加重;当锡掺杂量很大时(x=0.05),粉体的结构就变得非常紧密,这主要是因为SnO2在In2O3晶界上析出,使得其结构更加紧密。这与图2所示的拉曼光谱的结果非常一致。
图5 不同锡掺杂量(In1-xSnx)2O3粉体的SEM形貌Fig.5 SEM images of(In1-xSnx)2O3powders with different Sn-doping amounts
(1)采用固相反应法制备了具有立方结构的(In1-xSnx)2O3粉体,锡元素的掺杂能使In2O3的紫外吸收性能明显改变,并出现蓝移现象,但对粉体的可见光吸收性能无明显影响。
(2)(In1-xSnx)2O3粉体在中红外波段产生了明显的吸收,锡的掺杂使In-O吸收峰出现明显改变。
(3)锡元素的掺杂抑制了In2O3晶粒的长大,使粉体结构变得更加紧密。
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