应用材料公司推出革命性的针对FinFET晶体管和3D NAND器件的电子束量测设备

应用材料公司推出革命性的针对FinFET晶体管和3D NAND器件的电子束量测设备

全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司，在加利福尼亚州圣何塞举行的国际光学工程学会(SPIE)先进光刻技术大会上，推出了业界首款在线3D扫描电子线宽量测系统，成功解决了针对高纵横比和3D NAND及FinFET等复杂功能器件量测方面的挑战。这款名为VeritySEM5i的量测系统借助尖端高清晰度成像技术和背散射电子（BSE）技术，能实现卓越的在线线宽控制。通过使用VeritySEM5i系统，芯片制造商能显著加快工艺开发和产能扩张速度，同时提高器件性能，实现大批量生产。

应用材料公司副总裁兼工艺诊断及控制事业部总经理Itai Rosenfeld表示：“复杂的三维结构需要全新的测量方法，这也提升了对量测技术的需求。单纯依靠传统的CD SEM技术已无法满足3D器件的测量需求。应用材料公司凭借在先进电子束和图像处理技术上的丰富经验，推出这款具有革命性意义的系统，不仅带来了成像方式的创新，更能实现快速、准确的在线线宽量测，使客户能够在产品研发、升级及批量生产的过程中看到、测量并控制其3D器件。多家客户业已通过使用VeritySEM5i提升了3D器件的良率。随着半导体行业进入10 nm以下技术节点，并逐渐向三维结构转移，芯片制造商对精密材料工程技术提出了更高的要求。因此，Verity-SEM5i将像应用材料公司以往的产品一样，再次成为行业内的新标杆。”

为改进器件性能，降低偏移率，提高日益复杂的高性能、高密度3D设备的良率，需要在度量精度方面进行不断的创新。配备先进高分辨率扫描电子枪、倾斜电子束和背散射电子(BSE)影像技术的VeritySEM5i系统具有独特的三维量测能力，可对极具挑战性的FinFET、3D NAND结构进行高效量测和控制。尤其，通过利用BSE成像技术量测沟槽底部连通孔，芯片制造商可确保下层和上层金属层之间的有效连接。而在控制FinFET的侧壁、栅极和鳍高度方面，这些部位中极小的偏移也会影响器件性能和良率，VeritySEM5i系统的倾斜电子束可实现精准、可重复的在线量测。高分辨率BSE成像借助其高达60:1及以上的纵横比量测能力，实现持续的垂直缩放，因而适用于测量3D NAND器件的不对称侧壁和底部CD。

应用材料公司（纳斯达克：AMAT）是一家全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商。我们的技术使智能手机、平板电视和太阳能面板等创新产品以更普及、更具价格优势的方式惠及全球商界和普通消费者。

欲了解更多信息，请访问：www.appliedmaterials.com。

*SPIE=国际光学工程学会；CD SEM=线宽量测扫描电子显微镜