意法半导体（ST）的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制

意法半导体的槽栅结构低压MOSFETsSTripFET?F7系列将新增60 V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流－直流（DC/DC）电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。

STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构 （trench-gate structure），实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得优异的品质因数（RDS（ON）×Qg）。此外，本征体二极管的恢复电荷（recovery charge）很低，有助于提高开关性能。高雪崩耐量确保在恶劣条件下保持性能稳健，反向传输电容对输入电容（Crss/Ciss）的比值低，有助于强化抗电磁干扰（EMI immunity）。