一般工业技术

2015-02-27 11:05
中国学术期刊文摘 2015年22期
关键词:尖晶石电性能晶界

一般工业技术

尖晶石型CuAl2O4掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响

李建英,侯林林,贾然,等

研究了尖晶石型CuAl2O4掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷显微结构、介电性能以及松弛特征和缺陷结构的影响。在频率为10-1~107Hz、温度为153~453 K的条件下测量了样品的介电性能。研究表明,适量添加CuAl2O4,使样品晶粒尺寸减小并趋于均匀,击穿场强从CaCu3Ti4O12陶瓷样品的3.0 kV/cm提高到13.0 kV/cm,低频介电损耗减小。介电松弛中的高频松弛过程起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程,其活化能~0.10 eV基本不变; 随着CuAl2O4含量增加,与界面相关的松弛活化能从0.50 eV减小到0.22 eV,可能与CuAl2O在样品中引入杂质及更复杂的界面有关;电导活化能从0.66 eV增至0.86 eV,归因于CuAl2O4第二相抑制了晶界处的载流子跳跃,提高了Schottky势垒高度。CuAl2O4掺杂量大于100mol%,过量CuAl2O4会导致样品晶界势垒崩塌,样品失去非欧姆特性和巨介电性能

CaCu3Ti4O12;介电性能;压敏特性

来源出版物:无机材料学报, 2015, 30(10): 1056-1062

联系邮箱:李建英,lijy@mail.xjtu.edu.cn

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