大唐移动 | 潘淑敏 陶磊
排除F频段组网障碍提升LTE整体性能
大唐移动 | 潘淑敏 陶磊
排除F频段干扰问题是TD-LTE在F频段建网需要解决的首要问题,仅通过软件升级方式即可有效提升现网TD设备在F频段的抗干扰性能。
目前,中移动已应用F频段在广深杭三个城市进行TD-LTE扩大规模试验的组网建设。相比D频段,F频段无线传播损耗大大减小,而且应用F频段组网可在原有TD-SCDMA网络基础上,平滑演进升级支持TD-LTE。采用F频段建网可大幅节约建网成本,更好提升网络性能。但是目前F频段周边干扰频段较多,因此在规模建网前需要做好干扰规避方案,以免影响后续建网。
目前,F频段低端1880~1900 MHz已经分配给中国移动,相邻的频段高端部分1900~1920MHz仍被PHS占用,而1920~1935MHz将被用于cdma2000;相邻频段低端部分里,中国移动和联通DCS1800占用频段为1805~1850MHz, 1850~1880MHz规划为FDD扩展频段。
目前,TD-LTE在F频段建网主要解决的问题集中在TD-LTE与DCS1800之间的干扰,以及后续FDD 1850MHz以上频段启用后的干扰。
不同频段系统间干扰分析主要考虑杂散干扰、阻塞干扰和互调干扰三部分。发射机的杂散辐射主要通过直接落入接收机的工作信道形成同频干扰的途径影响接收机,使被干扰基站的上行链路变差;发射机的带内发射信号可以通过阻塞干扰接收机。
表1 TD-LTE与DCS1800之间干扰分析
下文从杂散干扰和阻塞干扰两方面对F频段与1800MHz频段系统间干扰进行分析。
不同厂商不同设备在F频段的杂散指标不同,选用某厂家较为严格的指标进行计算,TD-LTE系统与DCS1800之间需要的系统隔离度要求如表1所示。
由于以上分析DCS1800杂散指标选用较为严格的指标进行计算,所以得到了DCS1800系统对TDLTE系统F频段的干扰较大的结果。根据实际情况,近年来现网采购的DCS1800产品指标均优于该结果,对于DCS1800基站设备,即使按照全频段方案运行,在使用1850MHz以下工作频率时,杂散问题对F频段的影响依然很小,不影响两系统应用。
后续FDD如果启用1850MHz以上频率,FDD和TDD发射机杂散指标均需满足带外5MHz小于-65dBm/MHz,才可以保证两系统的共存。
大唐移动TD现网F频段设备、新设备和未来新F频段TD-LTE/TD-SCDMA设备均可以满足该共存杂散指标。
在TD六期一阶段扩容工程项目之前,TDD设备规范对于DCS频段的共址抗阻塞性能要求仅定义到1850MHz,并且1860~1880MHz频段对F频段阻塞指标仅由通用阻塞要求来约束,在接收灵敏度恶化3dB情况下,阻塞指标满足-40dBm即可。
如果后续FDD启用1850MHz以上频率,此指标就不能满足该频率应用系统与F频段共存的需求。为规避此问题发生,应考虑如何进一步提升TD设备的抗阻塞性能,同时避免分配和使用1870~1880MHz的频率。
从以上干扰分析中我们不难看出,杂散干扰对系统组网没有影响,因此如何提升TD设备抗阻塞性能、在F频段建设TD-LTE网络,重点在于如何解决现网设备的抗阻塞问题。为规避后续阻塞干扰问题的发生,大唐移动积极配合中国移动通信研究院进行相关研究,并提出了设备性能提升改进的方案。
表2 TDRU 318FA阻塞提升测试对比结果
表3 TDRU 338FA阻塞提升测试对比结果
目前中移动对TDD主设备抗阻塞性能指标要求如下:
◎ 对于TDD新设备,中移动集团研究院拟定要求5M过渡带达到-5dBm的阻塞,10M过渡带达到0dBm的阻塞要求;
对于TDD新设备,中移动集对于TD-LTE及TD-SCDMA现网产品,中移动集团研究院拟定要求10M过渡带达到-10dBm的阻塞要求。
对于TD五期扩容工程及以前的设备,由于集采招标设备规范没有对DCS频段1850MHz以上频率提出共存共址抗阻塞性能的要求,因此中国移动前期基站设计过程中,针对1850MHz以上频率主要是作为过渡带考虑的,但是大唐移动实际产品器件在选型中留有一定设计余量,因此可考虑通过软件调整参数配置方案提升F频段的阻塞指标。
大唐移动采用调整接收链路增益(调整PGC)和调整本振频率两种方案提升外网设备抗阻塞性能。目前已经完成F频段RRU设备参数调整改进后的测试。经测试,将两种方案同时用于RRU,在灵敏度允许下降3dB的情况下可以提升抗阻塞性能10~15dB,前后对比测试结果如表2及表3所示。
从测试结果可以看出,经过软件参数优化调整,在灵敏度下降不超过3dB的情况下,阻塞性能最大可提升15dB,可以满足中移动研究院对于TD现网设备10M过渡带达到-10dBm的阻塞要求。抗干扰改进方案正组织在某省的F频段LTE试验网中进行规模性能测试,预期测试效果将进一步验证设备的抗阻塞干扰性能提升。