刘革菊
(国营大众机械厂第一研究所,山西太原 030024)
IGBT模块耐压高、电流大、饱和压降低、工作频率高,是大功率逆变器、电源等电力电子装置的首选功率器件。但IGBT抗过载能力不高,设计发挥IGBT性能、高可靠性的IGBT驱动电路,是设计者必须考虑的问题。本文从应用角度,分析了IGBT的特性和短路特性,以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模块2SC0435T为核心部件,设计了大功率IGBT的短路保护和有源钳位电路,试验验证该驱动器具有良好的驱动及保护能力。
IGBT模块在使用过程中损坏的主要原因有:VCE过压、VGE过压、过高的 dv/dt、过高的静电(ESD)、过流、短路、过高的di/dt、过高的结温等,IGBT驱动电路能保护的项目有:VCE过压、VGE过压、过高的 dv/dt、短路、过高的 di/dt。
图1是IGBT的外特性图,通常IGBT的datasheet中只给出额定电流的2倍曲线的外特性(左下角),电流再大的部分属于定性不定量的示意图。
图1 IGBT的外特性图(以英飞凌的FF450R12ME4为例)
从图1可以看出IGBT的特性:
(1)IGBT在某门极电压下,电流Ic被限制在一定高度,Ic最大值约为IGBT额定电流的4倍。
(2)门极电压可以强烈地影响IGBT短路电流的数值。
(3)IGBT的电流在1倍至3倍之间变化,Vcesat的变化非常微弱,只有几伏的差别。
(4)IGBT退饱和后,Vcesat变化显著。
(5)IGBT短路时,进入线性区。在线性区,门极电压与短路电流呈线性关系。
1.3.1 IGBT短路分析
IGBT短路时的数学表达式如下,这是一个线性方程。
它表示,在短路发生时,电流的绝对值与电压、回路中的电感量及整个过程持续的时间有关系。绝大部分的短路,母线电压都是在额定点的,影响短路电流的因素主要是“短路回路中的电感量”。因此依据短路回路中的电感量,可将短路分为一类短路和二类短路。
发生一类短路时,回路中的电感量很小(100nH级),见图2。IGBT的电流会快速上升,当电流上升到4倍额定电流,IGBT发生退饱和现象,IGBT的电压会迅速上升至直流母线电压,芯片的损耗非常大。驱动器需在10us内把IGBT关断,称短路保护。
图2 一类短路波形图
发生二类短路时,由于回路的电感量稍大(uH级),电流爬升的速度慢(相比一类),IGBT的Vcesat下降至饱和压降,随着电流进一步加大,饱和压降轻微上升,之后存在两种情况:
●电流能到达“退饱和点”时,Vcesat迅速上升至直流母线电压,10μs内驱动器关断IGBT,IGBT得到保护;
●当电流爬升慢,IGBT不发生退饱和现象,IGBT处于过流状态。如果不及时关断,由于电流比正常值高很多,经过若干开关周期后,IGBT损耗会比较高,结温会迅速上升,从而导致IGBT失效。此时需检测IGBT电流变化率,对IGBT进行及时关断,称过流保护。
根据IGBT特性,IGBT电流变化率可通过Vcesat检测,但由于Vcesat在饱和区内变化微弱,容易导致驱动器误保护,所以,现在IGBT驱动保护电路只进行短路保护,过流保护由霍尔电流传感器完成。
1.3.2 IGBT短路保护电路策略
从IGBT短路波形图可知,当IGBT短路发生时,电流上升至IGBT的4倍额定电流,驱动保护电路要将这个电流关断,这时的电流值比逆变器正常电流高4倍以上,势必产生很高的电压尖峰。为了防止电压尖峰损坏IGBT,需要引入有源钳位电路。
因此,大功率IGBT短路保护电路的控制策略:
(1)短路保护电路;
(2)有源钳位电路。
1.3.3 大功率IGBT驱动电路的设计规范
大功率IGBT驱动电路的设计规范:
(1)采用隔离变压器;
(2)采用Vcesat饱和压降进行短路检测和管理,包括软关断动作,以及采用不同的门极电阻进行开通和关断。
由于大功率IGBT驱动电路复杂,本文以瑞士CONCEPT公司最新推出的第二代SCALE-2模块2SC0435T作为核心部件,设计驱动电路。与第一代SCALE-1模块2SD315A比较,2SC0435T改进了短路保护功能,增加了有源钳位功能。
SCALE模块内部主要由三个功能模块构成,即逻辑驱动转化接口LDI、电气隔离模块和智能栅极驱动IGD。
第一个功能模块是由辅助电源和信号输入两部分组成。其中信号输入部分主要将控制器的PWM信号进行整形放大,并根据需要进行控制,之后传递到信号变压器,同时检测从信号变压器返回的故障信号,将故障信号处理后发送到故障输出端;辅助电源的功能是将输入的直流电压经过单端反激式变换电路,转换成两路隔离电源供给输出驱动放大器使用。
第二个功能模块是电气隔离模块,由两个传递信号的脉冲变压器和传递功率的电源变压器组成。防止功率驱动电路中大电流、高电压对一次侧信号的干扰。
第三个功能模块是驱动信号输出模块,IGD主要对信号变压器的信号进行解调和放大,对IGBT的短路和过流进行检测,并进行故障存储和短路保护。
图3所示为CONCEPT第一代SCALE-1的经典IGBT保护电路,工作原理是:
(1)当IGBT关断时,T1导通,电流源1被T1旁路,Ca的点位被钳在低位,比较器不翻转。
(2)当IGBT进入开通的过程中,T1截止,IGBT进入饱和导通,电流源1流过Rm,Dm及IGBT形成回路,比较器不翻转。
(3)当IGBT出现短路时,会退出饱和区,Vce快速上升至直流母线电压,Dm马上截止,电流源1则向Ca充电,Ca的电位线性上升,到达门槛时比较器翻转。
图3 基于2SD315的短路保护电路
参数设定:
(1)比较器的反向输入端为参考电压值,Vth=150 μA*Rth;
(2)正常导通时,集电极电压为饱和电压值,一般为2V左右,加上2个1N4007的压降,以及恒流源1.4mA通过Rm的压降,可得出同相端电压值一般为3V左右;
(3)短路或过流时,1N4007反向截止,1.4mA的恒流源给Ca充电,由U=IT/C可推出响应时间。
响应时间与定时电容Ca、参考电压电阻Rth的关系见表1。
表1 SCALE-1的响应时间与Ca、Rth的关系
因为Vth设定为饱和电压值,电路在应用中易导致驱动器误保护[1]。
图4为SCALE-2功能示意图,横轴电压参考点为IGBT的发射极(VE)。
与SCALE-1相比,SCALE-2去掉1个恒流源,去掉2个1N4007,工作原理是:
(1)当IGBT关断时,内部mosfet打开,Cx上电压被钳在COM,比较器不翻转;
(2)当IGBT进入导通的过程中,内部mosfet关掉,3点电位向2点充电,2点电位最终接近发射极电位;
(3)当IGBT短路时,其退出饱和区,3点电位为母线电压,2点被充电,经过定时后比较器翻转。
参数设定:
注:BAS316/416为低漏电流二极管Rvce为限流电阻,最大电流为0.6mA~1mA
(1)比较器反相输入端依然为参考电压值 ,Vth=150 μA*Rth;
(2)正常导通时,集电极还是饱和电压,大概2V左右,Dm反向截止,Cx无充电回路,同相端电压稳定;
(3)短路时,集电极电位上升至母线电压,由于Rvce限流作用,15V电源作为负载源,使得同相端电位通过给Ca充电迅速提高,最终约等于10V左右,集电极的高压主要承受在Rvce上。
响应时间与定时电容Cx、参考电压电阻Rth的关系见表2。
表2 SCALE-2的响应时间与Ca、Rth的关系
与SCALE-1比,SCALE-2的快速性和可靠性得到提高。
图4 基于2SC0435T的短路保护
有源钳位电路的目标是钳住IGBT的集电极电位,使其不要到达太高的水平,因为IGBT关断时产生的电压尖峰太高或太陡,都会使IGBT受到威胁。
IGBT正常关断时也会产生电压尖峰,但数值不会太高,如果短路时关断IGBT,产生的电压尖峰则非常高,此时IGBT非常容易被打坏。所以有源钳位电路通常在故障状态下才会动作,正常时不工作。
当TVS被击穿时,电流IAAC会流进ASIC(专用集成电路)的AAC单元。该单元会根据IAAC的大小操纵下管mosfet。当该电流大于40mA时,下管mosfet开始被线性地关断,当电流大于500mA时,下管mosfet完全关闭。此时门极处于开路状态,Iz会向门极电容充电,使门极电压从米勒平台回到+15V,从而使关断电流变缓慢,达到电压钳位的效果。这个电路的特点是TVS的负载小,TVS的工作点接近额定点,钳位的准度高。
图5 基于2SC0435T的有源钳位电路
在一些应用中,例如太阳能逆变器,牵引变流器等,母线电压有时可能会高于有源钳位动作的电压点,有源钳位电路会进入连续动作状态,ASIC有很大风险,此时需应用动态有源钳位电路,见图6。
图6 基于2SC0435T的动态有源钳位电路
将有源钳位的动作门槛设置成动态的,在IGBT导通时,门槛降低为Vth2,在IGBT关断后,延迟一段时间,然后将有源钳位的动作门槛提高到Vth1。这样IGBT在导通状态和截止状态时,其有源钳位电路的动作门槛电压是有区别的,但并不影响有源钳位电路的本意,因为IGBT在关断瞬间,钳位门槛是在Vth2。如果母线电压升高,IGBT在关断态时,钳位电路的门槛又比较高,这样能较好地解决某些应用中很现实的问题。
根据IGBT的特性及IGBT的短路特性,驱动器只能对其进行短路保护,过流保护功能由霍尔电流传感器完成。基于二代SCALE-2模块2SC0435T设计的IGBT驱动电路,解决了IGBT短路误保护和有源钳位问题,在工程应用中得到验证。
[1]周志敏,周纪海.IGBT和IPM及其应用电路[M].北京:人民邮电出版社,2006.