La0.7Sr0.3MnO3单晶外延薄膜制备及其磁电阻特性
2013-04-29 00:44张欣羊新胜程翠华张勇吕莉张敏赵勇
西南交通大学学报(社会科学版) 2013年5期
张欣 羊新胜 程翠华 张勇 吕莉 张敏 赵勇
为制得性能良好的涂层导体用La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）缓冲层薄膜、研究LSMO薄膜的低磁场磁电阻效应，利用高分子辅助化学溶液沉积法，在LaAlO3（LAO）单晶基底上制备了一系列钙钛矿LSMO单晶外延薄膜.考虑氩气和氧气退火气氛对LSMO成相的影响，研究了氩气退火条件下样品的织构、形貌情况和氧气退火条件下制得的样品的输运性质及磁电阻效应.研究结果表明：氩气下采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一LSMO缓冲层；氧气下退火制得的薄膜c轴取向生长良好，并且电阻温度曲线出现绝缘体金属相变，其磁电阻值在200～300 K范围内不随温度变化，在1 T磁场室温下磁电阻值约为-26.0
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