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一种碳酰氟的纯化方法

申请(专利)号:201310239401.8

公开(公告)日:2013-09-18

申请(专利权)人:中国船舶重工集团公司第七一八研究所

本发明涉及一种碳酰氟的纯化方法，属于氟化工、电子工业气体技术领域。该纯化方法:先将COF2粗产品气体进行脱轻和脱重处理:脱轻处理时，纯化装置底部为－112～－48℃，压力为0.01 ～0.6 MPa，顶部比底部低0.5 ～30 ℃;脱重处理时，纯化装置底部为－81～80℃，压力为0.01～0.6 MPa，顶部比底部低0.5 ～30 ℃，得初步精馏混合气体;再进行二次精馏纯化:纯化装置底部为－123～ －36 ℃，压力为 0.01 ～1.03 MPa，顶部比底部低0.2～45℃，得纯化后气体。该纯化方法尤其适于CO2含量较多的COF2粗产品气体，纯化后气体中 COF2纯度≥99%，CO2含量 ＜1000×10－6。

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺

申请(专利)号:201310338042.1

公开(公告)日:2013-10-23

申请(专利权)人:中利腾晖光伏科技有限公司

摘要:本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，主要涉及晶体硅太阳能电池生产过程中液态磷源扩散法P-N结的制备，其特征在于，进舟后首先在扩散工序的升温的过程中通少量氧气，形成一层二氧化硅薄层，使得沉积在硅片表面的磷原子必须通过二氧化硅层这层薄膜才能扩散进入硅片，从而达到均匀扩散的效果，然后先高温通源沉积，可以快速有效的溶解金属沉淀和金属复合体，再进行降温仅通氮气，再进行补源二次低温通源沉积，极大地增加了吸杂的驱动力，最后再进行推进、冷却，采用本发明工艺，能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，极大缩短生产时间，提升生产产能，节省磷源使用量，降低生产成本，且工艺简单可行，不需要增加额外工序步骤和物料。

一种半导体薄膜生长装置及其生长方法

申请(专利)号:201310315026.0

公开(公告)日:2013-11-13

申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所

摘要:本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括:载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体;且每条管道可独立地打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶，安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶安装在恒温槽里，通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室，并通过打开或关闭旁路控制生长室气源，以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。

一种氧气瓶用钢及其制备方法

申请(专利)号:201310283012.5

公开(公告)日:2013-11-06

申请(专利权)人:江苏久维压力容器制造有限公司

摘要:本发明公开了一种氧气瓶用钢，所述钢由以下重量百分比的化学成分组成:C 0.10% ～0.25%、Si 0.2% ～0.3%、Mn 0.6% ～0.7%、P 0.01% ～ 0.02%、S 0.01% ～0.02%、Mo 0.20% ～0.22%、Cr 1.0%～1.1%、余量为铁和不可避免的杂质。本发明还公开了上述氧气瓶用钢的制备方法。本发明的氧气瓶用钢具有高强度、高抗压性、高硬度的优点，采用本发明钢制成的氧气瓶在盛装氧气时，即使瓶内的氧气稍多，瓶体也不会轻易发生塑性变形，导致爆炸现象的发生，并且使用本发明钢制成的氧气瓶在储藏和运输过程中，本钢瓶能更好的经受住碰撞和瓶内氧气的高压力，另外，本发明提供的炼钢方法生产成本低，生产过程容易控制，生产工艺过程简单。

III族氮化物外延结构及其生长方法

申请(专利)号:201310339115.9

公开(公告)日:2013-11-13

申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司

摘要:本发明公开了一种III族氮化物外延结构及其生长方法，其III族氮化物的外延结构，至少包括:Si衬底，和位于Si衬底之上的III族氮化物层，其特征在于:在所述Si衬底和III族氮化物的界面处并列存在Al原子和原位生成的SixNy，其中Al原子起到浸润Si衬底和衔接III族氮化物层的作用，SixNy用于释放异质外延产生的失配应力。