Vishay大幅扩充E系列650 V N沟道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE）宣布，其E系列器件新增650 V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10 V下的导通电阻扩展到30～600 mΩ，将最高电流等级扩大为6～105 A。650 V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。

今天推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导和开关损耗，可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源（UPS）、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计，通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。