意法半导体最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效

2013-03-19 05:57:20
网络安全与数据管理 2013年20期
关键词:基极意法双极

意法半导体最新推出的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率,同时兼具同级MOSFET的能效,为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器(DC-DC converters)转换解决方案。

3STL2540是一个-40 V/-5 A PNP结晶体管,在完全饱和状态时,最大压降是200 mV,基极电流仅为10 mA。等效导通电阻仅为90 mΩ,接近同等级超级逻辑电平MOSFET的性能。

3STL2540的核心技术是意法半导体的先进的双金属层平面基岛工艺,在0.2~10 V的宽输出电压下,温度在-30°C~150°C范围内,连续高电流增益 (consistently high current gain,hFE)至少保持在 100,创下业内这类器件最低的导通损耗记录。高热效率封装PowerFLATTM仅0.6 mm高,封装面积为2 mm×2 mm,在最小的印刷电路板内实现高性能功率电路。

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