美高森美选择英特尔代工服务开发数字集成电路

美高森美使用英特尔22 nm Tri-Gate晶体管技术进行开发，预计于2014年底到2015年初提供产品

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布利用英特尔公司(INTC)业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路(IC)和系统级芯片(SoC)解决方案。

这项于2013年1月签署的协议与美高森美的战略相一致，将充分利用公司广泛的高技术产品争取更高性能和更高价值的机会。英特尔的Tri-Gate晶体管提供了空前的性能和功效组合，使得美高森美能够开发出用于高性能计算、网络加速和信号处理应用的数字IC产品。目前美高森美正在与客户接洽，并且开始使用英特尔22 nm工艺节点进行设计，预计将于2014年底到2015年初提供产品。

美高森美集成电路集团执行副总裁Paul Pickle表示：“我们所瞄准的高价值应用兼备独特的性能和复杂的功能特性的解决方案，通过使用英特尔的创新工艺技术和经过硅产品验证的IP，能够为通信和国防市场提供性能较高、功率较低的数字IC产品，扩大所在服务市场的机会。”

(美高森美公司供稿)