孙 敏 ,李俊华 ,王 佳
(1.延长油田股份有限公司 南泥湾采油厂,陕西 延安 716007;2.陕西省石油化工研究设计院,陕西 延安 710054)
纳米硅材料是二十一世纪科研的热点,是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料,通常为无定形白色粉末,其粒径为20~200nm。由于其分散性好,比表面积巨大,光学性能和化学稳定性优良,而广泛应用于涂料、胶粘剂、橡胶、工程塑料等领域。本文重点介绍纳米硅材料制备进展。
目前,纳米硅材料的制备方法有两大类,干法和湿法。干法包括气相法和电弧法,湿法包括溶胶凝胶法,沉淀法,微乳液法等。干法制备的纳米硅材料性能比较好,且纯度高,但是用这种方法制备成本高,并且在生产过程中能耗大。因此,国内一般采用湿法工艺制备纳米硅材料。
气相法采用SiCl4为原料,在氢氧气流高温下,通过水解制得SiO2。这种方法制备的纳米硅分散度高,并且产品纯度高,粒子细而形成球形。但是制备成本昂贵,并且技术复杂,因此,限制了产品的使用。
吴利民等[1]利用有机硅单体工业产生的副产物甲基三氯硅烷,在氢氧焰中高温水解,颗粒经过聚集、分离、脱酸等后处理工艺,得到纯度大于99.8%的气相SiO2。
该法通常采用金属醇盐或无机盐为初始原料,通过水解或沉淀反应,制备出均匀溶胶,然后再进行溶胶-凝胶转化,形成有机聚合物网络或无机网络。最后再经过陈化,干燥和热处理得到产物。
邹雪艳等[2]在水醇体系中,以正硅酸四乙酯(TEOS)作为硅源、氨水作为催化剂,在高氨水浓度和快速加入条件下,形成哑铃形微球。在低NH3·H2O浓度下,形成纳米纤维或链状纳米SiO2微粒。
赵存挺等[3]以正硅酸四乙酯作为硅源、氨水作为催化剂,采用改进工艺条件的溶胶-凝胶法制备纳米SiO2微球。结果表明通过温度梯度法和控制氨水浓度变化制备了高圆度、单分散、粒径可控的纳米级SiO2微球,NH3·H2O用量越少,生成的SiO2微球的粒径越小。
李东平[4]以正硅酸四乙酯为前驱物,通过溶胶-凝胶法制备了SiO2纳米粉体,粒径在50~100nm范围内,分布均匀,呈无定形态。
符远翔等[5]采用溶胶-凝胶法,利用正硅酸乙酯水解,合成了大小约为80~150nm的单分散纳米SiO2微球。
硅酸盐通过酸化,获得疏松,细分散的,以絮状结构沉淀出来的SiO2晶体。这种方法制备纳米硅材料,所需的原料易得,投资少,能耗低,并且生产流程简单。但是该法制备的产品质量不高。
贾东舒等[6]以硅酸钠和HCl为原料,采用化学沉淀法合,在pH值为6,温度20~40℃下反应约15min,制得纳米SiO2比表面积大,分散性好,粒径为30~50nm。
童忠良等[7]以硅酸钠和盐酸为原料,采用化学沉淀法,在pH值为6,温度20~40℃下反应15min,制得纳米SiO2粒径为30~50nm比表面积大,分散性好,质量优良。
孙道兴[8]采用沉淀法,以质量分数10%~20%碱性硅溶胶为原料,在水醇混合介质中用无机酸调节体系的pH值为7.5~8.0,50℃下反应约45min,制得纳米SiO2粉体的粒径为20~40nm,分散性好,纯度在99%以上。
韩静香等[9]以硅酸钠为硅源,NH4Cl为沉淀剂,加入表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵和乙醇,通过化学沉淀法在浓度为0.4mol·L-1的硅酸钠中,乙醇与水体积比为1∶8,pH值为8.5时可制备出粒径为5~8nm分散性好的无定形态纳米SiO2。
微乳液通常由表面活性剂、助表面活性剂、油、水等组分构成。微乳液法制备纳米SiO2常用的硅源有硅酸乙酯和硅酸钠。
骆峰等[10]以环己烷为油相,OP乳化剂为表面活性剂,正戊醇为助表面活性剂,制备了环己烷/OP乳化剂/正戊醇/硅酸钠水溶液微乳液体系,通过将浓硫酸直接加入到微乳体系中,制备出了粒径为15~35nm的纳米SiO2粉末。
沈淑玲等[11]选用十二烷基硫酸钠(SDS)为表面活性剂,正戊醇为助表面活性剂,甲苯为油相,制备了甲苯/SDS/正戊醇/硅酸钠水微乳体系,制备了粒径为250nm的纳米SiO2。
沈风雷等[12]以环己烷为油相,聚乙二醇辛基苯基醚(PGOE)乳化剂为表面活性剂,正戊醇为助表面活性剂,制备了环己烷/PGOE乳化剂/正戊醇/硅酸钠水溶液微乳液体系,对此微乳液体系酸化后可制备得到SiO2颗粒,其粒径约为30nm,晶型为β-石英。
陈小泉等[13]人采用表面活性剂Span80与Tween60进行复配,当体系的亲水亲油值(HLB)为13时,微乳体系下采用HNO3催化TEOS,控制R及H值,合成了粒径约为110~550 nm的纳米SiO2。
周富荣等[14]同样以Span80和Tween60为混合表面活性剂制备了反向微乳液体系,当体系的HLB=12时,通过HCl催化TEOS合成了单分散性好、平均粒径15~40nm的SiO2粒子。
王丽丽等[15]在无助表面活性剂存在的条件下制备了NP5/环己烷/NH3·H2O的反相微乳液体系,并在该体系中在R=0.8~2.44下,合成了粒径为30~50nm的纳米SiO2粒子。
美国康奈尔大学的教授斯蒂芬·萨斯和梅利莎·海因斯用受控错位蚀刻的新方法制备纳米硅,在一块硅表面产生一系列由柱状突起构成的元件。这种新蚀刻方法将能生产小到10nm的硅结构。这种制造纳米结构的技术,有很多潜在用途。
贾中兆等[16]以稻壳为原料,在热解温度520℃,保温2.5h的条件下,通过热解法制备SiO2纳米粉体。所制的SiO2纳米粉体为无定性结构、颗粒均匀、分散性好、平均粒径为80nm左右。
郑典模等[17]研究以稻壳为原料,经过预处理、燃烧回收能量后获得稻壳灰,再以稻壳灰为原料,采用改良化学沉淀法,在反应体系pH值为8,偏硅酸钠浓度为 0.30mol·L-1,H2SO4浓度为 0.5mol·L-1,反应时间为45min,经酸化、陈化、洗涤、过滤等过程制得纳米SiO2,粒子粒径分布在50~100nm,平均粒径为50~100nm,平均粒径为72nm,纯度为98.6%。
综上所述,纳米硅材料的制备方法多种多样。但是,作为一种高科技材料,纳米硅的制备技术仍然面临着许多问题,比如如何解决纳米硅的团聚问题,如何有效控制纳米硅的形貌和粒径,如何降低成本,实现纳米硅大规模生产等。因此,在以后的研究中,可以考虑将几种方法结合起来,制备出更加完美的纳米硅;同时对其形成机理进行研究,建立成熟的理论模型;再者,可以对纳米硅材料表面进行修饰改性,使其应用更加广泛。
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