瑞萨推出导通电阻仅为150MΩ的600V耐压超结MOSFET

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150 mΩ（栅源间电压为10V 时的标称值） 的600 V 耐压超结型功率MOSFET“RJL60S5 系列”，将从2012年9 月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET 的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET，但据瑞萨电子介绍，“RJL60S5系列”在600 V 耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5 系列功率MOSFET 后，可以降低功耗，该产品主要面向空调等家电产品。

RJL60S5 系列的栅源间电压为±30 V，额定漏电流为20 A。漏源间电压为25 V 时，反馈电容为13 pF（标称值）。栅源间阈值电压的最小值为3 V，最大值为5 V。内置快恢复二极管（FRD：Fast Recovery Diode），FRD 的正向电压为0.96 V。该产品将FRD 的反向恢复时间缩短至150 ns，约相当于瑞萨原来的SJ 型功率MOSFET 的约1/3，因此还可应用于高速电动机驱动用途。

RJL60S5 系列备有3 种封装的产品，分别是采用TO-220EP 封装的“RJL60S5DPP”， 采用TO-3PSG 封装的“RJL60S5DPK”，以及采用LDPAK封装的“RJL60S5DPE”。三款产品的样品价格均为200 日元，将从2012 年12 月开始量产，量产规模方面，预定截至2013 年3 月达到月产50 万个。

研究人员说，这种技术目前只能在低温环境下工作，还需进一步完善，以满足在室温条件下工作的要求。此外，还希望制造出可产生白色光的OLED。