业界要闻

2012年全球10大芯装塑封料厂商排名

根据2012第十届中国半导体封装测试技术市场年会发布的《2011年度中国半导体塑封料调研报告》及《2011年度江苏省半导体塑封料调研报告》等数据和行业信息研判，江苏省半导体行业协会专家预计，2012年度全球10大半导体芯片封装环氧塑封料（EMC/Epoxy Molding Compound）销量厂商排名为：（1）日系住友电木，（2）日系日立，（3）日系台湾长春，（4）欧美系汉高华威，（5）日系松下电工，（6）日系京瓷化学，（7）韩系金刚高丽化学，（8）韩系三星，（9）中国品牌中鹏，（10）日系信越化学。

2012上半年日立并购日东EMC业务，从全球第四跃升至全球第二，使其规模能与住友并驾齐驱；汉高华威从全球第二，下降到2011年度全球第三，2012年度全球第四；中国品牌中鹏快速崛起，跃升至全球第九（多年中资销冠，2011年度销量以微弱差距屈居全球第十一位），进一步缩小与全球第七、第八两家韩系企业销量差距，形成超韩追日的三国演义新格局。据悉，中鹏的股东有新潮科技、南通华达以及天水华天的关联企业等构成，近年得到本土龙头封装企业鼎力支持，使得本土塑封料供应商快速崛起。

中国市场销量领先的五大世界级代表品牌为：（1）汉高华威 KL，（2）长春 EME，（3）中鹏 SP，前三大品牌以中低档料为主；（4）住友，（5）日立，后两大品牌以中高档料为主；江苏的连云港与苏州是世界级半导体塑封料生产基地。

（来源：IC设计与制造）

Gartner:全球晶圆设备支出2014年恢复成长

国际研究暨顾问机构Gartner发布最新预测，2013年全球晶圆设备(WFE)支出总计为270亿美元，较2012年减少9.7%。晶圆设备支出于2012年为299亿美元，较2011年的支出规模衰退17.4%；该市场可望在2014年恢复成长。

Gartner表示，半导体设备市场景气疲软除了总体经济不景气的因素之外，记忆体和逻辑晶片部门对彼此的投资呈反景气循环(countercyclically)的现象，资本投资在预测期间皆将持平。该机构研究副总裁BobJohnson表示：“晶圆设备市场在2012年年初表现强劲，系因晶圆和其他逻辑晶片制造厂增加30nm以下的生产。新设备需求较原先预期高，因为增加先进装置需求必须先提升产能，但良率却未臻至成熟。然而，逻辑生产的新设备需求将随着良率提高而趋缓，导致出货量随着迈入2013年而减少”。

Gartner预测，晶圆制造厂产能利用率将于2012年底下探至80%以下，再于2013年底前缓慢回升至约85%。先进制程的产能利用率则在2012年下半年下滑至85%左右，到2013年底前可望达91%至93%的水准，并提供较为正向的资本投资环境。记忆体于2013年表现仍显萎靡不振，DRAM产业仅维持基本设备管理的投资，NAND的设备投资在市场达成供需平衡前亦会呈些许下降。晶圆设备市场可望自2014年开始展开新的成长周期直至2016年。

“尽管2012年上半年的库存修正导致产量降低的情况似已结束，但是库存量仍处于危险水准。高库存水位，加上整体市场景气疲弱，2013年上半年的产能利用率仍将持续受到抑制。”Johnson进一步指出：“智慧型手机和平板装置虽能刺激逻辑晶片对先进设备的需求，但仍不足将整体产能利用水准拉抬至期望的水准”。

Gartner预期产能利用率将在2013年第二季回升，因为晶片生产的需求恢复，以及2012年下半年与2013年上半年所采取的资本支出抑制策略使得新增产能趋缓。整体产能利用率可望于2013年底前恢复到正常水准，并为资本投资提供持续的动能。

Gartner之前即已警示资本支出前景已显著趋缓，因为急速衰退的总体经济环境已影响消费者支出意愿，所产生的涓滴效应(trickle-downeffect)进而打击资本支出。Gartner对2012年晶圆设备资本支出的预测，已从第三季发布之减少9.3%进一步下修至衰退10.7%。同时预期，半导体制造商仍将苦于因应产能过剩及疲弱的经济景气，2013年的资本支出将持续下滑，衰退幅度达14.7%。

2013年晶圆代工产业的支出将成长7.4%，系因整合元件制造商 (IDM)与半导体封测业者(SATS)支出预期将大幅缩减。2013年之后，记忆体与逻辑晶片的支出将趋于一致，2014年可望有显著成长，2015年亦将有持平或微幅成长之表现。而受惠于行动装置市场的蓬勃，2012年逻辑晶片的支出系资本投资唯一呈正成长之部门，支出较2011年增加3%，主要系因几家领先的大厂积极投入30nm以下节点的投资。

(来源:EE Times-Taiwan)

Gartner：今明年半导体市场挑战重重

Gartner表示，2013年全球半导体收入预计将达到3110亿美元，相比2012年增长4.5%。由于经济和政治上的不稳定性，Gartner将第四季度预期从上一季度的3300亿美元进行下调。

分析师降低了2012年半导体收入增幅预测至2980亿美元，相比2011年减少3%。Gartner在第三季度对2012年的收入预测是3090亿美元，相比2011年增加0.6%。

Gartner首席分析师Peter M iddleton表示：“迫在眉睫的财政悬崖，持续的欧债危机，放缓增长的新兴市场以及区域紧张局势都是导致2012年和2013年半导体收入增幅预期下调的原因。库存水平已经2012年下半年已经达到高点，随着PC需求下降，将出现供过于求的状态。”

2012年DRAM价格没有反弹使得半导体市场进一步低迷。Gartner预测，DRAM市场在2013年下半年才会开始复苏，到那时，较低的供应增幅预计将拉动整个市场进入一段时间的供不应求。这应该是半导体行业的转折点；内存预计将率先复苏，增长15.3%，到2014年半导体整体收入预计将达到3420亿美元，比2013年增长9.9%。预计“苹果效应”仍将在2013年持续存在，帮助推动NAND闪存和ASIC收入增幅分别达到17.2%和9.4%。Gartner将苹果的A4、A5和A6应用处理器归类为ASIC，因为这些都是定制的处理器，由苹果专门设计并为它自己所使用。ASIC还将受益于在2012年底和2013年推出的新一代视频游戏平台。

PC产量将在2012年下滑2.5%。在2013年，整个PC产量预计仍然保持较为薄弱的状态；然而，超便携式PC将在小范围内强劲增长。充满挑战的经济环境为PC生命周期延长做出了贡献，因为用户开始使用平板电脑从而延长了他们PC设备的寿命。

由于严峻的经济形式减少了对手机的短期需求，因此2012年和2013年手机产量将整体放缓。然而，对于公共/基础智能手机的需求预计将有所增长。尤其是对基于Android系统的低端智能手机在新兴市场的采用将进一步加速，并且成为主要的增长动力。2013年全球智能手机单位产量增长预计将达到33%。

平板电脑的产品预计在2013年预计将增长38.5%至2.071亿台。Amazon Kindle Fire、Google Nexus 7和Apple iPad M ini所取得的成功证明了那些价位合适、体积更小的平板电脑产品蕴含着的巨大商机，同时白牌平板电脑市场的表现也高于预期，这带动了整体预测的提升。

（出自：ZDNet）

M entor Graphics支持三星14nm IC制造工艺平台问世

明导公司（Mentor Graphics Corp）日前宣布，用以支持三星14nm IC制造工艺的综合设计、制造与后流片实现（post tapeout）平台问世，这一平台能够为客户提供完整的从设计到晶圆的并行流程，使早期加工成为可能。完全可互操作的Mentor流程可帮助客户实现快速设计周期和晶圆生产的一次性成功。

明导专门用于三星14nm晶圆优化的解决方案，包含设计规则检查（DRC）、LVS查验、提取、可制造性设计（DFM）和先进填充等功能的Calibre平台，以及Tessent可测试性设计（DFT）套件和良率分析工具。

Calibre平台创建了分解后的双重图形（DP）版图，符合三星所有14nm光刻技术的要求，并且专为三星的掩模综合和OPC工艺作了微调，后者在14nm中的工艺也由明导提供。这一平台还能快速向设计师提供关于FinFETs复杂设计规则的反馈信息，并就消除DFM光刻差错提供具体指导，以便更快、更精确地修复差错。用于LVS和提取的Calibre工具经过了校准，以确保符合三星FinFETs的精确设计和寄生模型，消除使用其他工具可能产生的有重大影响的“重复计数”。而且，Calibre SmartFill还通过智能布局填充结构以实现平面性来确保在设计中不会出现CMP问题，同时最小程度地减少时序问题。

之前在Tessent单元识别（cell-aware）测试工具方面的合作，提高了14nm的新单元内部结构的测试质量，并且提高了测试向量压缩，从而控制较大的14nm晶圆设计的测试成本。明导与三星还通过在Tessent工具与Calibre图形匹配设施之间交换信息，在设计收尾过程中利用生产测试诊断来迅速识别并消除因设计原因造成的良率限制问题。

（出自：IC设计与制造）

SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI）技术。

如果采用FDSOI技术，无需使晶体管立体化便可继续推进SoC微细化至10nm工艺左右。由于可以沿用原有半导体制造技术和设计技术，因此无需很多成本即可继续推进微细化。对于希望今后仍长期享受SoC微细化恩惠的设备厂商来说，这将是很好的选择。

在成本和性能方面优于FinFET

FDSOI是用很薄的氧化膜（buriedoxide：BOX）将晶体管的管体（沟道）和Si基板隔开，将管体减薄至几纳米厚，从而使沟道完全耗尽的技术。这与沟道立体化以使其耗尽的三维晶体管（FinFET）一样，能够有效抑制随着栅极长度变短、漏电流增大的短沟道效应。

制造FDSOI需要比Si基板贵的SOI基板，因此制造成本与BulkCMOS差不多。能使用原有设计技术是与需要大幅改变设计工具和电路布局的FinFET最大的区别。因为能减小电路设计方面的限制，集成度也容易提高。

意法半导体将采用FDSOI技术使平面构造的晶体管延续到10nm工艺。2014年将量产14nm工艺技术，2016年将量产10nm工艺技术。

采用FDSOI技术的晶体管能够沿用BulkCMOS技术使用的很多制造工艺和设计技术。工作性能超越BulkCMOS，驱动电压低时性能尤为出色。

在工作速度和耗电量等性能方面，意法半导体的Magarshack认为“FDSOI比FinFET更有优势”。FinFET随着沟道的立体化，寄生电容增大，工作速度容易降低，而FDSOI可以避免这一问题。另外，除栅极电极侧以外，还可通过超薄的BOX层由基板侧动态施加偏压，因此阈值电压的控制性好。在驱动电压低、容易出现阈值电压偏差问题的移动产品用SoC中，这一特点可以充分发挥作用。

确立管体膜厚的控制技术

不过，FDSOI在量产时间上落后于FinFET。美国英特尔已从2012年在22nm工艺微处理器中采用了FinFET，中国台湾台积电（TSMC）等代工企业也准备在2014年开始量产的16～14nm工艺中采用FinFET。

FDSOI原来面临的课题是很难控制只有几纳米的管体厚度。由于管体厚度是决定阈值电压等晶体管特性的参数，因此每次技术更新换代，都要减薄厚度。随着微细化的发展，技术难度加大，难以进一步减薄。

意法半导体此次通过与法国知名SOI基板制造商Soitec公司、法国研究开发机构CEA-Leti及开发CMOS工艺的合作伙伴美国IBM等合作解决了这一问题，“确信能够微细化到10nm工艺”（Magarshack）。

首先将应用于智能手机SoC

FDSOI技术将首先应用于智能手机及平板电脑的SoC。意法半导体的合资子公司瑞士ST-Ericsson将在2012年内推出的28nm工艺SoC中采用该技术。

意法半导体今后将在该公司针对数码相机及游戏机等的SoC上采用FDSOI技术，并向美国GLOBALFOUNDRIES公司提供了制造技术，以便外部的设备厂商及半导体厂商采用该技术。GLOBALFOUNDRIES公司计划“从2013年7～9月开始提供28nm工艺的FDSOI技术”。

本土芯片测试企业在逐渐壮大

“中国芯”企业成长十年有余，也催生了一批芯片/晶圆片（wafer）测试企业。例如上海华岭集成电路技术股份有限公司，2001年初创时期，国内IC产业链还不够完善，很多初创和成长中的设计公司没有能力解决测试问题，尤其是在研发过程中或者市场过程中需要测试解决的问题。通过十多年的发展，华岭已在IC专业测试方面得到了行业的认可。

目前，华岭已在中高端IC测试上做出了一些特色，例如在12英寸45nm、90nm产品的测试上达到了比较领先的水平。另外，该公司还承担了国家01、02国家重大科技专项的研究任务，在极大规模IC测试的细分领域进行了一些技术研发和创新。其可测试产品覆盖RF、通信，信息安全、数字音视频、FPGA、FLASH、高速接口、高速高精度AD/DA等多个领域。

服务三类客户

现在华岭客户以中国企业为主，但国际客户也正逐步增多。相比国内客户，国际客户导入的过程比较长，导入的门槛比较高，但是一旦导入了之后，相对的来讲会比较稳定。

从产业链角度，华岭服务三类客户：一是设计公司，数量最多。因为有较多的设计公司会给IC产业链的各个合作伙伴独立下单，华岭作为专业的IC测试企业，建立了多级测试平台，可以满足不同产品的测试需求，从中高端的SoC产品到量大面广的消费类电子产品，同时可提供定制服务；二是芯片制造企业，有些芯片制造企业有一定的测试解决能力，但是因为IC类型太多，并不能覆盖所有的领域和产品；三是封装企业，封装企业在测试方面也会有一些解决方案，但也不是包罗万象，所以华岭与封装企业也开展了良好的合作。

联电宣布客户完成55nm SDDI制程投片

晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)日前宣布，该公司客户已采用联电55nm小尺寸荧幕驱动晶片(SDDI)制程，顺利完成首个产品投片(tape-out)。联电现可推出提供高阶智慧型手机Full-HD画质的55nm制程，领先晶圆代工业界。

联电300mm特殊技术开发处处长许尧凯表示：55nmSDDI制程，加上最近刚推出的新一代80nm技术，以及已量产的0.13μm制程，让客户能根据应用产品的不同定位，规划其智慧型手机产品的显示方案，包含Full-HD、HD720/WXGA、qHD及WVGA。联电全方位的SDDI技术解决方案，可满足荧幕尺寸3.5英寸至5英寸以上的低、中、高阶智慧型手机的显示需求。

联电表示，该公司55nmSDDI制程特色在于具备了尺寸仅有0.4μm2的SRAM储存单元，同时在耗电、效能、晶片尺寸之间也提供了完美的平衡，适合使用于讲究低耗电与体积轻巧的高阶Full-HD画质智慧型手机。

55nmSDDI客户产品将会采用先进的300mm晶圆技术进行生产；因应今日主流智慧型手机的需要，联电至今已出货逾3亿颗SDDI晶片。

来源:EE Times-Taiwan

我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展

近年来，我们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低，这有赖于集成电路制造工艺的不断进步。中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22nm技术代集成电路关键技术研发上取得了突破性进展，掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。

22nm技术代集成电路技术是全球正在研发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，谁先把这种技术开发出来，谁就能降低集成电路产品的成本，抢占市场先机。多年来，我国的集成电路制造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。2009年，我国在国家科技重大专项的支持下开始22nm技术代集成电路关键技术研发工作，经过3年多努力取得突破性进展。

据介绍，22nm约相当于普通成年人头发丝直径的1/2300，采用22nm集成电路技术可以在一根头发丝的横截面上集成大约1000万个晶体管，从而使集成电路产品的功能更多样化，速度更快，成本更低。研究人员摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，采用了高K材料、金属栅材料等新材料新工艺，研制出了性能良好的器件，技术水平达到国内领先、世界一流。

研发过程中，中国科学院与北京大学、清华大学、复旦大学的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础。该成果的取得也为我国继续自主研发更先进的16nm及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。

台湾LED照明产业成立联盟

由工研院协调整合台湾31家团体会员和2家赞助会员，日前共同成立了“台湾LED照明产业联盟”，联盟召集人童迁祥表示：估计2020年全球照明市场的一半来自LED。

从前身LED路灯联盟转型的“台湾LED照明产业联盟”举行成立大会，联盟召集人、工研院绿能所所长童迁祥表示：联盟目的在于建立产业交流和合作，创造商机，达到LED(发光二极管)照明产业永续发展的目标。

童迁祥指出：从过去路灯开始LED照明应用，未来进入家庭是必然的趋势，例如行人红绿灯的LED小绿人已经全数换装中，未来台湾LED产业必需要靠技术、规范、通路、品牌来领先全球。

童迁祥说：这些年下来有将近20万盏水银路灯要换装为LED路灯，经过长期测试，80%没有色衰，照度仍维持在95%以上。

经济部能源局长欧嘉瑞指出：产业联盟成立后可以发挥总合效力，还可带动各行各业节能，地位非常重要；台湾的LED照明产值已达全球第3，未来产业推动、规格建立、人才培育等促进产业强大必要元素属跨单位性质，为日后推动LED产业的重要工作。

童迁祥强调：最新市场信息显示，2010年到2020年，全球LED照明产业的复合成长率达32%，2020年全球LED照明市场规模将达550亿欧元，其中LED灯具与系统产品单价高，2020年市场规模估计可达366亿欧元。

英特尔助阵中国将造世界最快计算机？

来自国外媒体的报道称，中国正在研制史上性能最强大的超级计算机。它采用了英特尔最新IvyBridge架构的至强E5处理器和至强Phi协处理器，总数量高达10万片。它的计算能力高达100PFLOPS（一个PFLOPS等于每秒1千万亿），比2011年度最快超级计算器快10倍，比现在最快的超级计算机也要快上5倍。

政府部门对这台超级计算机非常看重，它能在航天、城市规划、医疗等许多领域发挥巨大的作用。超级计算机将被安置在西南某城市，硬件部分耗资数亿美元。作为硬件供应商，英特尔提供了它最新的至强E5-2567Wv2处理器(2500美元/颗）、至强Phi5110Pw ith8GBGDDR5协处理器（2649美元/片），光是这两种芯片的总价就超过了5亿美元，还没有算上主板、ECC校验内存、机箱、散热等其他零件，真可谓真正的“重金”打造。

目前有一点可以肯定，这台超级“怪兽”在很长一段时间都会是世界上最快的计算机，它将对中国的航天事业（登月、火星计划）做出重要贡献。不过，其他国家也不甘落后，澳大利亚正在研制1000PFLOPS计算能力的超级计算机，预计数年内投入使用。

芯片制造业和封装业面临转型升级

我国芯片制造代工业由于技术和投资的瓶颈，已落后于我国集成电路设计业快速发展的步伐，无法充分满足国内芯片代工市场的需求。芯片制造业、封装业的另一个迫切问题是如何转型升级。东部沿海制造、封装企业在丧失地域优势的情况下，如果不能在技术和模式上转型升级，将很难在激烈的市场竞争中生存下来。

128nm/22nm工艺产能释放形成上游行业垄断

2013年，28nm/22nm工艺技术将成为主流，国外先进工艺产能释放形成上游行业垄断。2012年英特尔、三星等国外集成电路制造业巨头已量产28nm/22nm工艺的产品。而我国集成电路制造业的领军企业中芯国际2013年才开始量产40nm工艺产品，工艺技术落后两代，按摩尔定律的工艺更新速度计算，落后国外约5年。

我国芯片制造代工业由于技术和投资的瓶颈，已落后于我国集成电路设计业快速发展的步伐，无法充分满足国内芯片代工市场的需求。中国大陆集成电路设计业代工需求的一半以上由台积电、联电、格罗方德(GlobalFoundries)等中国大陆之外的代工企业承接，台积电则占据着中国大陆代工市场的最大份额。目前，中国大陆客户业务收入所占中芯国际营业额的比重不到40%，且0.18μm～65nm生产工艺芯片代工业务占据了中芯国际收入的近90%，而45nm～40nm高端生产工艺芯片代工业务几乎全部由其他代工企业承接。当前国内重点设计企业的技术水平已经达到40nm，并且正在研发28nm的芯片，已无法在中国大陆境内找到芯片代工企业。因此由于中国大陆芯片制造代工企业在芯片生产工艺以及可靠性、设计服务上的差距，中国大陆较大的集成设计企业普遍寻求海外代工。

23D封装技术商用量产冲击我国现有行业格局

2013年，3D封装技术经过多年研发积累后将正式形成商用量产。目前Intel和三星等全产业链企业、台积电和台联电等芯片制造代工企业以及芯片封装代工企业日月光(台)和矽品(台)相继发布3D封装量产计划。台积电宣布2013年年初正式推出3D封装服务。台联电的3D封装线于今年第四季度迈入产品实测阶段，并于2013年正式商用量产。3D封装的商用量产将冲击大陆行业格局，具体表现在以下几个方面：

一是3D封装使封装行业的技术门槛大幅提高。从传统的产业链分工看，封装测试业与芯片制造、芯片设计业相比技术门槛较低，但随着“3D封装”从概念到产品的逐渐实现，全球集成电路封装业将迎来技术革命。二是封装行业与制造行业可能发生融合。由于封装环节大幅提升了产品的附加值，芯片制造代工企业也开始介入封装领域，台积电宣布2013年推出3D封装业务，这是芯片制造业与封装业融合发展的重要开端。三是封装企业将形成两极分化，龙头企业的生产规模、利润增加，中小企业竞争更加激烈，并加快落后企业及落后产能的淘汰。

3东部地区制造、封装企业面临产业转移与转型升级双重压力

集成电路产业是资金密集型、知识密集型产业，但随着全球集成电路市场竞争的日益激烈，集成电路企业开始愈来愈看重成本问题。随着沿海地区劳动成本、土地成本的升高，东部集成电路制造、封装企业面临要么产业转移、要么转型升级提高利润的两难选择。东部沿海地区芯片制造、封装测试企业与中西部企业相比，用工成本、土地成本在不断上升，同时由于国家高度重视中西部地区的发展，中西部地区吸引了大量投资，聚集了大批人才，而东部沿海地区原有的人才、资金优势正逐渐弱化。但产业转移的资本投入较高，中小型企业不具有转移的资金实力，而大企业又因为发展惯性整体转移的可行性不强，企业的转移能否成功很大程度上取决于中西部地区的优惠政策是否有足够的吸引力。

2013年芯片制造业、封装业的另一个迫切问题是如何转型升级。东部沿海制造、封装企业在丧失地域优势的情况下，如果不能在技术和模式上转型升级，将很难在激烈的市场竞争中生存下来。赢利能力强、财务状况较好的大企业必须通过技术研发、并购重组提高竞争力，而赢利能力差、利润率低的企业能够支付的研发费用非常有限，将面临不转型“等死”，转型“找死”的严峻困境。

4我国大陆地区终端芯片设计企业面临联发科强势挑战

智能终端芯片一直占大陆集成电路设计业的很大比重，也是产业增长的主要动力之一。但大陆的智能终端芯片产品大部分处于中低端，产品的主要竞争力来自于低廉的价格，随着联发科、高通等企业纷纷布局中低端芯片产品，大陆智能终端芯片企业恐面临半导体巨头的强势挑战。2013年，在中低端智能手机芯片领域，联发科将对中国大陆企业产生巨大冲击。2012年上半年，联发科在全球智能手机应用处理器的业务量较去年同期增长13倍，联发科智能终端芯片的高速增长主要得益于中国大陆中低端智能机市场的旺盛需求。联发科的强势回归对中国大陆企业的冲击体现在以下两个方面：首先联发科各项技术、产品的布局非常完整，其拥有应用处理器、基带芯片、无线网络芯片和射频芯片等智能终端芯片的全部设计技术。其次联发科善于整合一体化的芯片研发平台，更加注重技术短板的弥补和解决方案的整合，在技术集成、成本控制、产品战略等方面具有丰富的经验。

半导体市场2012年收入降5%智能手机成救命稻草

纵观全球，2012年整个半导体市场收入降近了5%，仅2000多亿美元。与2011年相比，排名前20的半导体厂商中，15家的半导体产品收入在2012年普遍下降，其中包括英特尔、三星、德州仪器、意法半导体等厂商。目前，只有少数几家公司已控制住下降趋势，整个市场收益依然呈下滑趋势。在半导体市场不景气的情况下，持续增长的智能手机市场成为该市场的救命稻草。

从2011年至2012年，由于智能手机平台芯片和无线连接集成电路，半导体市场的收入较上年增长近30%，这有利于一些大公司在整个半导体市场低迷的一年中起死回生。半导体业务主管彼得·库尼提到：“在这个市场上的竞争是十分激烈的，所以拥有较强的市场地位就是很好的收益”。

分析师表示，从逻辑学的角度来说收入的增长不会一直持续下去，加之半导体市场正在面临平台芯片与连接电路整合所出现的一些不利因素。另一方面，由于许多高知名度的企业纷纷退出市场，占主导地位的供应商的收入仍有巨大的增长潜力。预计2013年，其收入将会增长13%，但是从2014年起，收入增长速度将明显放缓。

同时，库尼指出：在过去的几年中，曾经占有主导地位的厂商纷纷离开手机集成电路市场。飞思卡尔和德州仪器两个公司都已经退出，进而关注更多的工业市场。意法半导体公司日前宣布该公司将退出其与爱立信的合资公司。具有高知名度公司的退出表明了手机市场上的激烈竞争，三星和华为公司的垂直整合策略也说明竞争只会有增无减。

（出自：移动 Labs）

GSA:今年大陆IC设计产值达人民币680亿元

全球半导体联盟（GSA）日前发布「2012中国IC设计产业现况报告」。预估今年中国IC设计产业全球占比将达13.61%、产值达到人民币680亿元，年增8.98%。

这项报告是由中国半导体行业协会积体电路设计分会理事长魏少军所进行的调查再进行更新整理。

GSA调查，2012年中国IC设计产业占全球IC设计产业的13.61%。虽然整体规模仍然相对较小，但长期来看中国庞大的内需市场以及拥有大量工程人才的潜力已备受全球瞩目。

GSA统计，今年全中国IC设计产业销售额预估达到人民币680亿元（逾108亿美元)，年增8.98%。尽管全球半导体市场现今面临许多挑战，中国在未来几年将扮演影响全球市场成长的重要角色。

GSA强调，随半导体产业进入「后摩尔时代」的不确定性增加，技术路线的定义也渐趋模糊。面对这样的改变，中国IC设计公司应做好万全准备，包括报告中所提及的，全面提升物理设计能力、建立坚强的设计团队等。

由于在先进制程高额投资将使IC设计公司及晶圆制造厂的合作关系更加紧密，GSA分析IC设计公司应与晶圆厂建立新的战略合作夥伴关系；中小型IC设计公司的创新能力持续是「后摩尔时代」成功的关键因素之一。