“硅基氧化铝模板合成ZnO纳米结构及其场发射性能研究”项目通过天津市科委验收

由我校理学院张海明副教授等承担的天津市科技计划项目“硅基氧化铝模板合成ZnO纳米结构及其场发射性能研究”于2012年6月28日通过市科委组织的专家验收.

本项目通过合理控制电解液温度、氧化时间，在草酸、磷酸溶液中制备了硅基AAO模板，满足了光电器件的制备要求.通过使用质量分数为3%的磷酸溶液实现了对AAO模板的精确刻蚀；通过光刻结合二次阳极氧化技术，在硅基上制备了图案化AAO模板，为硅基AAO模板走向应用打下了重要基础；通过采用溶胶、凝胶法、CVD技术和电化学沉积技术，在硅基AAO模板内成功合成了ZnO量子点、量子线纳米结构；通过采用SEM、EDX、XRD、La-man等手段研究了ZnOIAAO/Si纳米复合结构的形貌和结构；通过PL和场发射测试，研究了ZnO/AAO/Si纳米复合结构的光电性能.场发射测试结果表明:ZnOIAAO/Si纳米复合结构具有很好的场发射性能，场增强因子β值为2490，场增强因子很高，预计在场发射方面会有很好的应用前景.