马留柱,黄晓峰
铜川矿务局液力联轴器制造厂,陕西铜川 727000
ZL104铝合金最长用的是液力偶合器行业、汽车行业,偶合的叶轮外壳,汽车的缸盖、缸体、飞轮等的制造就要采用ZL104铝合金,原因是在于ZL104铝合金卓越的品质,这一品质也是在铸造过程中精心准备、精炼出来的。在其他的行业中,ZL104铝合金也有十分广泛的应用。应用十分广泛,是由于其独特的品性,而ZL104铝合金的性能又与熔化、化学成分、变质处理、精炼工艺等密不可分。
ZL104铝合金的铸造工艺方法不止一种,本文选取了一种铸造工艺流程进行阐述,主要为:熔炼准备坩埚预热→同炉料30%(硅+纯铝)+(合金)720℃~740℃搅拌→加锰(待锰熔化后搅拌)去渣→钟罩压镁(搅拌)去渣→精炼压入六氯乙烷去气去渣→加变质剂(静置10min左右)搅拌去渣→调温→680℃~760℃℃浇注。在这个工艺流程中,主要化学成分为0.17%~0.3%的镁,8%~10.5%的硅,0.2%~0.5%的锰,其余的都是铝的含量。还有杂质含量铁不高于0.9%,砂不高于0.6%,铜不高于0.3%,锡不高于0.1%,锌不高于0.3%,钛不高于0.5%。ZL104铝合金的性能要求抗拉强度在铸态时在150MPa及其以上,时效后在200MPa及其以上。硬度铸态在50HBS及其以上,时效后在70HBS及其以上。
铝锭快在150mm×150mm左右,含铝在99.5%以上。硅各块度Φ25mm~30mm,含铁不超过0.5%,含硅在99.8%以上。细片状的电解锰,锰含量在99%以上,铁含量不超过1%。镁块度50mm×50mm×20mm,含镁在99.8%以上。
一等品的冰晶石粉,成分99.8%以上的氯化钾(KCL)和六氯乙烷(C2CL6)。成分在97.5%以上的氟化钠(NaF)和氯化钠(NaCL)。
废弃的铸件以及浇冒口回炉使用必须分清楚牌号,并清除水份、粘砂、油质、氧化物等,具备化学成份检验单,分类储放。
以100kg计算80%的铝和20%的硅为配料,合成熔点为680℃。把4/5的铝锭在地坑炉中熔化,然后升温至850℃~950℃。然后分批加入结晶硅,压入铝液,直至硅冷却熔化,反复搅拌,加入余下的铝降温,用去水的六氯乙烷合金精炼处理,去渣铸锭。
以100kg计算90%的铝和10%的锰为配料,熔点为780℃。将4/5的铝熔化在地坑炉中,升温至950℃~1 000℃,分批加入豌豆大的锰,压入铝液熔化后搅拌,加入余下的铝降温,用去水的六氯乙烷去气精炼,去渣铸成。
用喷枪在工具以及坩埚内壁喷上一层涂料,然后加热至120℃~200℃。喷涂工具配15%的CaCO3加3%的水玻璃加82%的水。喷涂坩埚配90%的CaCO3加10%的水玻璃。金属型腔配23%的ZnO加2%的水玻璃加75%的水。金属型浇冒口配20%的ZnO加65%的石棉粉加15%的水玻璃。
以0.4%的镁,10%硅,0.5%锰,余下为100kg计算的铝为配料。熔炼中首先要铲除坩埚内壁的残渣,然后在内壁涂上涂料进行预热,熔化工具也要在去除氧化物的基础上,涂上涂料预热至200℃~250℃。需要注意的是加入不超过30%的回炉料,硅铝熔化后要进行充分的搅拌,不让锰沉淀,在铝表面熔化后进行充分的搅拌。一切的加热原材料和工具都需要经过预热处理,在加入变质剂的之后,如果温度偏低,可以延长静置时间直至变质剂成分熔化。
铸造工艺决定着ZL104铝合金的质量,我们在ZL104铝合金的实际铸造过程中,应该严格遵循合金成份、变质处理、炉温控制、去气、精炼等基本环节的技术工艺规程,通过严格的控制和精心的操作,才能得到优质的ZL104铝合金材料。当然,本文仅仅只是粗略的对ZL104铝合金原材料准备及要求,以及实际熔化中的大体要求作了简要说明,实际铸造过程中还有许多细小的注意事项,需要实际操作中做到细心、严谨,更加努力的探索其具体每一个细小环节的铸造工艺,更加严格的控制工艺流程,才能获得优质的ZL104铝合金材料以满足生产的需要。
[1]刘倩.ZL104铝合金的铸造工艺规程[J].湖南工程学院学报,2006(3):38-40.
[2]薛蕾,黄一雄,卢鹏辉,陈静,林鑫,黄卫东.激光成形修复ZL104合金的组织与性能研究[J].中国表面工程,2010(1):362-364.
[3]刘慧敏,程军胜,崔华,杨滨,张济山.温度对喷射成形7075+TiC铝合金触变成形的影响[J].北京科技大学学报,2006(4):371-373.
[4]刘慧敏,呼努斯图,崔华,杨滨,张济山.原位颗粒含量对固态7075铝合金组织的影响[J].北京科技大学学报,2006(1):247-249.
[5] 刘慧敏,王洪斌,杨滨,何建平,张济山.原位TiC颗粒对喷射成形铝合金组织的影响[J].北京科技大学学报,2003(4):322-326.
[6]张旺峰,陈瑜眉,滕新春,朱金华.亚稳态材料的变形失稳及应力平台[J].兵器材料科学与工程,2000(3):165-173.