意法半导体航天级功率MOSFET晶体管的主要特性

2011-04-02 01:57:43
电子设计工程 2011年13期
关键词:抗辐射意法辐射量

·快速开关性能

·100%雪崩测试

·密封式封装

·可承受70/100 krad总离子辐射量(TID)

·抗SEE辐射

STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列现已上市,达到EM (工程模型)或 ESCC的航空质量级标准,封装采用TO254-AA和TO-39通孔封装。此外,意法半导体还提供SMD.5贴装版抗辐射晶体管。STRH100N10达到了 ESCC 5205/021技术标准,其它产品预计将于2011年下半年达到 ESCC相关标准。

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