电子工业用气体系列标准

化工标准化动态

电子工业用气体系列标准

1)GB/T 14600—2009《电子工业用气体 氧化亚氮》。规定了氧化亚氮的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。适用于电子工业中化学气相淀积工艺。与原标准GB/T 14600—1993相比主要变化如下：修改适用范围、规范性引用文件、技术指标内容，增加采样安全要求、尾气处理的要求；修改一氧化碳、二氧化碳、烃C1～C5、氮、氧含量检验方法的检测限和标准样品的规定以及水分含量的检验方法，还修改标志、包装、贮运及安全。

2)GB/T 14601—2009《电子工业用气体 氨》。规定了氨的技术要求，试验方法，检验规则及产品的包装、标志、运输、贮存及安全要求。适用于半导体工业，氮化硅、氮化镓的化学气相淀积，也可用于硅或氧化硅的氮化。与原标准GB/T 14601—1993相比主要变化如下：修改标准的名称、适用范围、规范性引用文件、技术指标内容，增加对氨尾气处理的要求，删去按GB 5831规定的方法测定氧含量，修改氧、氮、一氧化碳含量的测定，增加氢、氩含量的测定、二氧化碳含量的测定，修改烃含量的测定、水含量的测定方法，增加金属离子的测定方法，修改标志、包装、贮运及安全，增加规范性附录A，并把采用氦放电离子化气相色谱法测定氨中的氢、氧（氩）、氮、一氧化碳、二氧化碳和烃(C1～C3)含量组分的方法写入该附录。

3)GB/T 14603—2009《电子工业用气体 三氟化硼》。规定了电子工业用三氟化硼的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮运及安全要求。适用于以氟气和硼单质为原料，采用直接化合的方法制得并经过纯化制取的三氟化硼；和以氟硼酸钠为原料热分解法制得并经过纯化制取的三氟化硼。主要用于半导体器件和集成电路生产的离子注入和掺杂。与原标准GB/T 14603—1993相比主要区别如下：修改三氟化硼的适用范围、规范性引用文件、三氟化硼的技术指标内容，增加三氟化硼采样安全要求，修改氮、氧（氩）含量的分析方法、二氧化硫含量的分析方法，增加二氧化碳、四氟化碳含量的分析方法，修改标志、包装、贮运及安全，增加资料性附录A，并把测定三氟化硼中的氮、氧（氩）、二氧化碳和四氟化碳含量的色谱切割流程图写入该附录。

4)GB/T 14604—2009《电子工业用气体 氧》。规定了电子工业用氧的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。适用于以深冷法、电解法提取的气态或液态氧，以及经纯化方法得到的氧。它们主要用于二氧化硅化学气相淀积，用作氧化源和生产高纯水的反应剂，用于等离子体蚀刻和剥离、光导纤维。与原标准GB/T 14604—1993相比主要变化如下：修改电子工业用氧的适用范围、规范性引用文件、技术指标内容、瓶装电子工业用氧采样要求、瓶装电子工业用氧抽样方法，修改氢、氩、氮、氪、一氧化碳、二氧化碳、氧化亚氮、总烃和水含量的分析方法和标准样品的规定，当出现多种分析方法时，规定仲裁方法，增加一氧化氮含量的分析方法，修改标志、包装、贮运及安全，删去GB/T 14604—1993的附录A和附录B，增加规范性附录A，并把采用氦离子化气相色谱法测定电子工业用氧中的氢、氩、氮和氪组分的方法写入该附录，增加规范性附录B，并把采用氦离子化气相色谱法测定电子工业用氧中的一氧化碳、二氧化碳和氧化亚氮组分的方法写入该附录。

5)GB/T 14851—2009《电子工业用气体 磷化氢》。规定了电子工业用磷化氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。适用于亚磷酸热分解、磷化物水解、单质磷与水或碱反应等方法获得并经精制得到的磷化氢产品。它主要用于半导体器件和集成电路生产的外延、离子注入和掺杂。与GB/T 14851—1993相比主要变化如下：修改规范性引用文件、技术指标内容，增加电子工业用磷化氢采样安全要求、尾气处理的要求，修改砷化氢、氮、氧(氩)组分的分析方法，删去氢的分析方法，修改二氧化碳、总烃含量的分析方法，增加一氧化碳的分析方法、标准样品的规定，修改水分的分析方法、标志、包装、贮运及安全，删去GB/T 14851—1993的附录A，增加规范性附录A，并把采用氦离子化气相色谱法测定电子工业用磷化氢中的砷化氢、氮、氧（氩）组分的方法写入该附录。

6)GB/T 15909—2009 《电子工业用气体 硅烷（SiH4）》。 规定了硅烷气体的技术要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全。适用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等。与原标准GB/T 15909—1995相比主要变化如下：修改规范性引用文件、技术指标内容，增加一类产品纯度和杂质含量，用Cl-表示氯化物总量，修改电性能规格，增加硅烷的采样安全要求及对硅烷尾气处理的要求，修改一氧化碳、二氧化碳、氧和氮含量的测定，修改测定氯化物含量所用试剂和溶液的内容、测定氯化物含量结果处理公式，增加其他方法测定氯化物含量，修改烃（C1～C3）含量的测定，增加其他方法测定氢含量及其他方法测定水含量，增加微量甲硅醚、乙硅烷和甲基硅烷含量的测定，增加金属离子含量的测定，修改标志、包装、贮运及安全。

7)GB/T 16942—2009《电子工业用气体 氢》。规定了电子工业用氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。适用于以氢气为原料经净化制取的瓶装、集装格装和管道输送的电子工业用氢气。它们主要被用来提供还原气氛，作为外延工艺的载气以及等离子体蚀刻剂的配气原料。与原标准GB/T 16942—1997相比主要变化如下：修改电子工业用氢的适用范围、规范性引用文件、技术指标内容、电子工业用氢抽样规则、电子工业用氢采样要求，修改氮、一氧化碳、二氧化碳含量的分析方法，修改总烃分析方法的检测限及水分含量的分析方法，修改标志、包装、贮运及安全，增加规范性附录A，并把采用氦离子化气相色谱法测定电子工业用氢中的氮、一氧化碳、二氧化碳组分的方法写入该附录。

8)GB/T 16943—2009 《电子工业用气体 氦》。规定了氦的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。适用于以深冷法从天然气、空气和工厂弛放气中提取的气态和液态氦，以及经纯化方法得到的氦。它们在半导体制造中用作清洗气、加压气，也用作载气和保护气等。与原标准GB/T 16943—1997相比主要变化如下：修改氦的适用范围、规范性引用文件，修改技术指标内容：增加一类产品纯度和杂质含量，修改瓶装氦抽样方法，增加集装阁装、大容积钢质无缝气瓶装和杜瓦罐装氦产品并规定检验方法，增加管道输送的氦产品并规定检验方法，增加氦的采样安全要求，增加新的分析方法：增加用氦放电离子化气相色谱法测定氦中的氧、一氧化碳和二氧化碳组分，增加其他方法测定总烃含量，当出现多种分析方法时，增加规定仲裁方法。修改水分的测定方法，修改标志、包装、贮运及安全，增加安全要求，增加规范性附录A，并把采用氦离子化气相色谱法测定氦中的氧、氮、一氧化碳和二氧化碳组分的方法写入该附录。

9)GB/T 16944—2009 《电子工业用气体 氮》。规定了电子工业用气体氮的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。适用于以深冷法从空气中提取的气态和液态氮，以及经电化学方法得到的氮。它们在超大规模集成电路制造中用作保护、吹扫、覆盖、加压，化学气相淀积等。与原标准GB/T 16944—1997相比主要变化如下：修改电子工业用氮的适用范围、规范性引用文件、技术指标内容、电子工业用氮抽样和判定规则，增加电子工业用氮采样要求，修改氢、氧、一氧化碳、二氧化碳含量的分析方法，修改总烃分析方法的检测限及水分含量的分析方法，修改标志、包装、贮运及安全，增加规范性附录A，并把测定电子工业用氮中的氢、氧、一氧化碳、二氧化碳含量的方法写入该附录。

10)GB/T 16945—2009《电子工业用气体 氩》。规定了氩的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。用于以深冷法从空气、合成氨尾气中提取的液态和气态氩以及经纯化方法得到的氩。氩用于系统的吹扫、保护和增压，它还可以用于化学汽相淀积、溅射、等离子及活性离子刻蚀剂和退火等不同工艺中。与原标准GB/T 16945—1997相比主要变化如下：修改氩的适用范围，增加规范性引用文件，修改技术指标内容：增加一类纯度和杂质含量。修改瓶装氩抽样方法，增加集装阁装、大容积钢质无缝气瓶和杜瓦罐装氩产品并规定检验方法，修改管道输送的氩抽样方法，增加氩的采样安全要求，修改氢、氧、氮、一氧化碳和二氧化碳的测定方法，增加其他方法测定总烃；当出现多种分析方法时，增加规定仲裁方法，修改水分的测定方法，修改标志、包装、贮运及安全。

上述系列标准将于2010年5月1日实施。

（本栏目信息提供：吴世清）