任德刚
(中国电力工程顾问集团公司,北京市,100120)
温室气体主要包括 CO2、CH4、N2O、SF6等,其中CO2是主要的温室气体,其对大气温升的贡献超过60%。2008年,大气中CO2浓度达3.852×10-4,比工业革命前增加了38%。过去10年中大气CO2浓度以每年1.8×10-6的速度增长。《哥本哈根协议》要求全球气温升幅控制在2℃以内,因此减排CO2已成为全人类面临的共同责任。减排CO2除了发展非碳和低碳经济、提高能源利用率、限制森林砍伐等措施外,将工业废气中的CO2进行捕集埋存也是一项可行的减排措施。CO2捕集和分离工艺主要有吸收法、吸附法和膜分离法等。成本过高是捕集和分离CO2面临的主要困难。吸附法被认为是可以大幅降低CO2捕集和分离成本的技术之一[1]。通过对铁酸锂(LiFeO2)、镍酸锂(LiNiO2)、钛酸锂(Li2TiO3)、锆酸锂(Li2ZrO3)、偏硅酸锂(Li2SiO3)和硅酸锂(Li4SiO4)等锂盐吸附剂进行研究对比发现,锆酸锂和硅酸锂在高温下具有良好的CO2吸附-脱附性能[2],因而受到人们日益重视。与锆酸锂相比,硅酸锂的合成原料由更轻、更便宜的SiO2代替ZrO2,成本更低,吸附容量更大,吸附速度更高,被看成是将来CO2吸附的首选材料[3]。
硅酸锂吸附-脱附CO2的反应方程式如式(1)所示。根据化学热力学,自发化学反应总是向Gibbs自由能减小的方向进行,即△G<0。在CO2气氛和101 kPa压力下,720℃以下式(1)的△G<0,反应自发地向右进行,即发生CO2吸附反应;720 ℃以上式(1)的△G>0,反应自发地向左进行,即发生CO2脱附反应[4]。
双壳机理(double-shell mechanism)很好地解释了硅酸锂吸附-脱附CO2的过程[5-7]。在吸附反应的初始阶段,CO2分子运动至硅酸锂颗粒表面并与之反应生成偏硅酸锂核和碳酸锂核。随着反应进行,偏硅酸锂核和碳酸锂核连接在一起,在硅酸锂颗粒表面形成致密的偏硅酸锂层和碳酸锂层,碳酸锂层在外面,偏硅酸锂层在中间。双壳形成后,CO2可以扩散穿过碳酸锂层,在偏硅酸锂层外表面与Li+和O2-发生反应。同时,未反应的硅酸锂表面发生另外的反应生成Li+和O2-。由于偏硅酸锂结构存在大量的氧空缺(oxygen vacancy),O2-可以扩散穿过偏硅酸锂层。同样,Li+直径小,也可通过空隙扩散穿过偏硅酸锂层。脱附过程则与之相反。硅酸锂吸附-脱附CO2的机理如图1[4]所示。反应方程式如下。
硅酸锂的制备有固态反应法、溶胶-凝胶法、共沉淀法和悬浮浸渍法等不同工艺[8-11]。不同制备工艺制得的硅酸锂在形态、比表面积、吸附量、活化能和吸附速度等方面有所差别。以固态反应法和共沉淀法获得的硅酸锂具有较好的吸附性能[8],溶胶-凝胶法和悬浮浸渍法不易获得高纯度的硅酸锂[10-11]。
活化能越低,越容易发生CO2吸附反应。活化能受制备工艺、表面状态、温度等多种因素影响。不同制备工艺获得的硅酸锂具有不同的活化能[10]。例如,常规固态反应法制得的硅酸锂的活化能为275 kJ/mol,而共沉淀法制备的硅酸锂的活化能为95 kJ/mol。改善制备工艺可以降低硅酸锂的活化能。例如,固态反应法用SiO2气溶胶替代SiO2粉末,制取的硅酸锂的活化能可由275 kJ/mol降低至103 kJ/mol;如果在低压环境下进行固态反应,活化能更可以降低至40.5 kJ/mol。又如,硅酸锂在620~660℃时活化能为115 kJ/mol,在680~700℃时则降低为56 kJ/mol,这与不同温度下硅酸锂颗粒的表面状态不同有关[12]。
不同合成温度获得的硅酸锂具有不同的纯度和吸附性能,吸附量随合成温度的升高而升高,但过高的合成温度容易造成烧结[13-15]。例如,采用固态反应法,锂硅摩尔比为4,700℃时可合成纯度98%的硅酸锂,800℃时可合成更高强度的硅酸锂,900℃时则出现明显烧结,硅酸锂开始分解。800℃时合成的硅酸锂具有较好的吸附性能。固态反应根据温度可划分为2个阶段[13]:
通过掺杂适量Na、K、Mg、Ca等金属元素可明显提高硅酸锂的吸附性能[16-22],吸附速度提高约30倍[16],吸附量也有所提高[17-18]。不同元素的最佳掺杂量不同,不同元素掺杂对硅酸锂吸附稳定性的影响也不一样[22];这主要是由于掺杂的金属元素与锂元素竞争,使吸附材料结构中出现缺陷,而缺陷的形成有助于提高材料的活性,从而提高了吸附速度和吸附量[19-20]。双壳形成后,CO2在碳酸锂层的扩散速度成为限制吸附速度的主要因素[19]。掺杂金属元素可以降低外壳的熔点,形成共熔的碳酸盐层,提高CO2的扩散速度,因此可以极大地提高吸附速度[19-20]。
粒径越小,形成的双壳越薄,扩散阻力越小,反应性越高,活化能也相应越低。另一方面,粒径越小,多次吸附-脱附循环再生后的硅酸锂的性能稳定性越差。这是因为粒径越小,循环过程中锂元素越容易以氧化锂(Li2O)的形式升华[8]。
比表面积不是影响硅酸锂吸附性能的主要因素,与吸附容量无必然联系[10,17]。例如,溶胶-凝胶法制备的硅酸锂比表面积为13.9 m2/g,最大吸附量为26.7%(质量百分比);在低压环境下固态反应法制备的硅酸锂比表面积为19 m2/g,最大吸附量为29%(质量百分比);共沉淀法制备的硅酸锂比表面积为5.4 m2/g,最大吸附量为35.2%(质量百分比);悬浮浸渍法制备的硅酸锂比表面积为23 m2/g,最大吸附量为33.4%(质量百分比)[10]。
硅酸锂在常温大气环境中就能吸附CO2[23-24],但吸附速度慢,无法满足工业要求。在CO2气氛和101 kPa压力下,硅酸锂吸附-脱附平衡温度为720℃,随着CO2浓度降低,平衡温度将逐渐降低[4]。硅酸锂的最佳吸附温度受制备工艺、CO2浓度、掺杂元素等多种因素的影响而有所不同,但高效吸附温度范围基本在500~720℃之间。
当温度高于吸附-脱附平衡温度时,即发生CO2脱附。例如在N2气氛下,完全吸附的硅酸锂在650℃时0.5 h内即可完全脱附[4]。由于脱附反应为吸热反应,提高温度有利于反应进行,但温度越高耗能越多,且温度过高存在烧结影响吸附性能的危险。因此脱附温度须结合硅酸锂的性能、运行环境、脱附工艺、脱附时间要求等多种因素综合确定,一般不高于900℃。
硅酸锂吸附CO2的速度和吸附量随着CO2浓度提高而提高[16-17,20,25],如图2所示,这可以从化学反应平衡移动的角度进行解释。在一定温度下提高CO2浓度,式(1)的反应平衡向正向移动,表现为吸附CO2量的增加[17,20];提高CO2浓度,即提高了CO2分子扩散穿过碳酸锂层的动力,增大了其与硅酸锂分子接触反应的概率,吸附速度提高。
当气体流量很小时,与硅酸锂分子接触的CO2分子数目很少,成为制约反应速度的主要因素,反应速度很慢。随着气体流量的增加,反应速度逐渐加快。当气体流量增加到一定值后,与硅酸锂分子接触的CO2分子数目已不再成为制约反应速度的主要因素,或者说表面气膜阻力消失,增大气体流量不能提高反应速度,而是维持在一个稳定值[26-27]。因此,吸附剂量与气体流量之间存在最佳比值范围。
硅酸锂具有良好的循环稳定性。在CO2气氛、850℃条件下,硅酸锂的吸附性能在5次循环后达到稳定,在20次循环后仍能保持80%吸附能力[4]。KATO等[2]的试验甚至证实,经过50次吸附-脱附循环后硅酸锂的吸附容量仍能达到理论最大值的82%。
硅酸锂是优良的高温CO2吸附剂,具有吸附容量大、吸附速度快、脱附温度较低、循环稳定性高等特点。不同合成工艺和合成温度获得的硅酸锂的吸附特性不尽相同。通过掺杂适量碱金属或碱土金属,形成共熔区,可以大幅提高硅酸锂的吸附速度。硅酸锂的吸附性能受运行温度、CO2浓度、气体流量等运行条件的影响。硅酸锂尤其适用于甲烷制氢和整体煤气化联合循环工程的CO蒸汽重整工艺,不仅能够提高转化率和H2纯度,而且能够简化系统,降低能耗,具有良好的应用前景[4]。
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