采用PowerPAK 1212-8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc.推出采用 PowerPAK 1212－8封装的 30 V P沟道第三代 TrenchFET功率 MOSFETSi7625DN。在这种电压等级和3.3 mm×3.3 mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。

新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关（在适配器、墙上电源和电池电源之间切换）通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的导通电阻意味着更低的功率损耗，节省能源，延长两次充电之间的电池寿命，同时还可以减少发热，减小PCB焊盘的面积。对于工业/通用系统中的电压达24 V的负载切换和热插拔应用，该MOSFET的低导通电阻还可以减小电压降。

Si7625DN在10 V和4.5 V下的导通电阻低至7 mΩ和11 mΩ，这些数值比此前3.3 mm×3.3 mm占位面积的30 V器件在10和4.5 V下的导通电阻分别低30%和39%。

新款MOSFET采用了Vishay此前发布的30 V P沟道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO－8封装。为满足工业应用的要求，第三代TrenchFET封装让设计者可在具有最大漏电流和功率耗散的PowerPAK SO－8（分别比SO－8高85%和79%）或节省空间的PowerPAK 1212－8之间进行选择。由于占位只有3.3 mm×3.3 mm，该器件的占位面积只有PowerPAK SO－8或 SO－8型封装的 1/3。

MOSFET进行了完备的Rg和UIS测试，符合ROHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249－2－21的无卤素规范。

咨询编号：2010061015