美光科技第三代低延时内存

美光科技（Micron Technology,Inc）推出了第三代低延时DRAM（RLDRAM 3内存)——一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。

美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle说："随着互联网内容消费的不断增长，人们日益需要有一种能支持网络流量增长的技术，美光的RLDRAM 3内存满足了这种需求"。

对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供最高水平的技术支持，并计划长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50 nm工艺，提高系统性能，降低功耗。

美光新的RLDRAM 3内存的主要特点及优点有：低延时：tRC不足10 ns，是业界最低的随机存取延时；高密度：576 Mb～1Gb，灵活性高，可用于多种设计；高速率：达2133 Mb/s，数据存取速度更快；高能效：1.2 V IO和1.35 V内核电压，更省电。

美光维持着庞大的合作伙伴网络，使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。美光与其合作伙伴展开了广泛合作，为客户提供量身定制的解决方案，优化网络系统性能。作为这个价值生态系统的一部分，美光目前合作的领先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。

美光预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样，目前正与客户合作，征求其对RLDRAM 3内存设计的意见。此外，美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。