广晟微电子推出TD-HSPA+可供商用的射频芯片

2008年,广晟微电子率先推出了可供商用的TD-SCDMA HSDPA射频芯片,为保障北京奥运会对3G通信的需求,实现中国人在第二十九届奥运会上提供3G通信服务的庄严承诺做出了重要贡献。

为确保TD技术的先进性,广晟微电子投入力量研发了满足TD-HSPA+要求的射频收发芯片。该芯片是采用先进的0.13um RFCMOS工艺开发的射频芯片,提供了天线到基带的完备方案,支持TD-SCDMA双频段,并且集成齐全的模拟基带功能,直接提供数字IQ接口。由于内部采用高性能的射频前端,高效优化的接收架构,使得接收通道在具备低至2.5dB的噪声系数的同时,仍然保持充裕的非线性抑制空间。接收EVM(误差矢量幅度)优于4%使得HSPA+等3.9G应用能顺利开展。片内集成14bit高动态范围的ADC,再加上多种时隙模式的自动反馈控制,能够在全程范围内保持输出数字IQ信号的幅度,而无需基带芯片的参与,保证了时分系统AGC的快速和精准,误差可精确到1dB。发射通道集成10bit双路DAC、低通滤波和功放驱动,在输出功率0dBm以上时,具备-40dBc的ACLR(邻道功率泄漏比),发射EVM优于3%。创新的设计保证80dB的动态范围。发射输出集成Balun,节省外部元件,并且极低的远端输出噪声使得发射SAW滤波器可被省去。包含VCO/PLL在内,该芯片接收、发射电流消耗能分别控制在50mA、100mA之内,待机模式耗电在uA数量级。

广晟微电子一直注重自有技术创新,凭借完备的软硬件开发设施以及实力雄厚的射频芯片开发团队,在开发该款芯片时运用了国际先进的集成电路设计技术,从前端电路设计、系统仿真到后端版图的全部工作均为自主开发,是一款具备100%自主知识产权射频产品。

据了解,基于在TD-SCDMA 射频芯片研发上多年的技术积累和成功经验,广晟微电子承担了国家工信部“新一代宽带无线移动通信网重大专项”TD-LTE终端射频芯片研发课题的重要使命,目前已经启动了TD-LTE射频芯片的研发工作。该芯片是一款符合3GPP TD-LTE 及国内相关规范要求;支持多频段,包括2300MHz~2400MHz、2010MHz~2025MHz和1880MHz~1920MHz;支持可变速率带宽,包括5MHz、10MHz、15MHz和20MHz;支持64QAM、16QAM、QPSK、BPSK调制方式;下行支持MIMO方式为2×2多天线配置;支持无线信道跨频段切换,切换时间<80us,方便组网频点选择;集成射频收发前端(除PA外)和模拟基带处理,提供数字基带接口;接收机提供大于100dB动态范围,步进精度至少1dB;发射机提供85dB动态范围,步进精度至少0.5dB;发射误差矢量幅度(EVM)小于2.5%;支持多接收时隙独立增益自动控制,满足无线资源快速调度的高水平芯片。广晟微电子依靠多年的技术积累和不断的自主创新,研究解决了高频段(2300MHz～2400MHz)支持、数字锁相环(DLL)技术、集成ABB的架构技术、精确的可变带宽、高精度调制解调以及高速、低功耗、高动态ADC技术等多方面的难点问题,已经完成了TD-LTE射频芯片的设计,2009年12月将可提供样片,预计2010年6月可提供商用测试芯片,2010年底该芯片即可达到商用要求。