超高温曲面金属基厚/薄膜传感器绝缘层及其制备方法

申请号: 202310316429.0

【申请日】2023.03.29

【公开号】CN116024570A

【公开日】2023.04.28

【分类号】C23C14/28;C23C14/08;C23C24/08;C23C28/00

【申请人】中北大学

【发明人】董和磊; 王梦竹; 谭秋林; 熊继军

【摘 要】本发明公开了一种超高温曲面金属基厚/薄膜传感器绝缘层及其制备方法。本发明解决了现有金属基厚/薄膜传感器绝缘层在高温环境下导致传感器的可靠性降低、制备成本高、制备过程复杂的问题。一种超高温曲面金属基厚/薄膜传感器绝缘层，包括层叠于曲面合金基底上表面的介质/金属混合渐变过渡膜层、层叠于介质/金属混合渐变过渡膜层上表面的自由电子阻挡膜层、层叠于自由电子阻挡膜层上表面的第一介质膜层、层叠于第一介质膜层上表面的第二介质膜层、层叠于第二介质膜层上表面的第三介质膜层、层叠于第三介质膜层上表面的敏感膜层。本发明适用于曲面金属基厚/薄膜传感器。