关注存储拐点机遇

李兴然

在底部运行一段时间后，目前有市场消息称，三星近期与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调幅度达到10%-20%。另外据悉，铠侠、SK 海力士等上游NANDFlash原厂已开始拉高晶圆合约价。

价格接近全面回升

根据中信证券存储行业深度追踪研报的价格统计，8月DRAM个别产品已经还是上涨，而NAND价格则持续回升。

DRAM方面：8月个别产品价格出现上涨，环比-6.12%至+6.45%，本轮高点21年6月至23年8月累计跌幅为69%至83%。高端DRAM（服务器DDR5）合约价格稳定，主流DRAM（DDR4）价格跌幅收窄，个别产品价格出现上涨，8月涨跌幅-6.12%至+6.45%（7月涨跌幅-7.92%至-1.02%），利基DRAM（DDR3）价格跌幅在2.06%至4.55%（7月跌幅3.96%至8.33%），目前价格处于周期底部。TrendForce 预计，受DRAM厂商陆续减产影响，供给逐季减少，加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，23Q3跌幅将进一步收缩至0%至5%，同时LPDDR5产品价格有望上涨0至5%。

NAND Flash 方面：8月价格持续回升，环比0.00% 至+7.09%（512GB大容量连续两月环比上涨，128/256GB价格保持稳定），本轮高点21年8月至23年6月累计跌幅为47%至69%。23H2旺季备货周期将至，尽管今年需求低迷，如Cli?ent SSD与Enterprise SSD在下游出货量下滑预期下采购量下降，导致终端出货预测持续下修，但在原厂持续减产及下游需求复苏预期下，市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1，采购量有机会逐季增加。根据CFM闪存市场，7月初至9月14日，512Gb Wafer价格从1.41美元上涨至1.68美元，涨幅达20%；展望23H2，TrendForce预计23Q3 NAND Flash Wafer整体均价环比涨幅0%至5%，Q4涨幅将进一步扩大至8%至13%。

存儲模组方面：今年2月开始价格下跌幅度收窄，8月SSD价格出现上涨，DDR4价格基本持平（9月1-2周小幅上涨），本轮高点22年3月至23年8月累计跌幅为44.76%至60.63%。据CFM闪存市场，截至9月12日，近半年DDR4 SO?DIMM（8GB 3200）由约16.5美元下降至不足14美元，降幅约15%，OEMSSD（512GBSATA）由约25美元下降至19美元，降幅约24%。我们认为模组厂商产品单价有望于23Q4开始回暖，随下游需求复苏而获得销量弹性，同时上游晶圆成本处于底部，有利于模组环节盈利水平修复。

价格传导分析：NAND Wafer涨价行情已由合约价传导至现货价，8月末已自上而下由晶圆端传导至模组端。5月起，美、韩系厂商大幅减产后，部分供应商已经开始调高wafer报价；由于多数供应商已开始减产，库存压力在Q3下降，三星等原厂报价态度强势，Q3合约价已出现较大幅度反弹，并刺激买方采购意愿，加速供需平衡。8月末起，晶圆端涨价已开始传导至模组端，根据CFM闪存市场，SSD、EMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨（单周价格涨幅约0至5%）。TrendForce预计23Q3 NAND Flash整体均价跌幅将收缩至5至10%，Q4有望止跌回升，预估涨幅为0至5%。

展望后续，中信预计23Q3 NAND 各环节涨价将延续至23Q4；随DRAM 持续减产以及下游服务器市场复苏，预计23Q4 DRAM价格有望开始回升。

供需改善

供给端，为应对下游需求持续疲软、行业供过于求，部分厂商调降投片量，同时下调2023年资本开支及产能提升预期。

据了解，三星近日为应对需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，三星平泽与西安工厂都将扩大减产幅度。另据Omdia预计，2024年下半年三星DRAM月产量将保持在60万片，较目前水平进一步减少。

据TrendForce集邦咨询调查，其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度，目的是加速库存去化速度。

据各公司业绩交流会，美光预计2023资本支出降至70亿美元，同比-40%以上，并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年；SK海力士预计2023资本开支将同比削减超50%，并决定对NAND 进一步减产5-10%；西部数据预计2024资本支出将大幅下降；铠侠此前也将产能从去年四季度开始30%减产扩大至2023年的50%，该厂已将日本岩手县北上市建设的生产厂房的投产时间，从原定的2023年内延期至2024年以后，厂房设备交付也被推迟。

中信证券称，预计23H2大厂库存消耗速度将加快，促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面，SK 海力士24GBLPDDR5XDRAM已量产并供货OPPO；此外，SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品，计划2025H1量产。

从历史周期看，资本开支增速与市场规模增速强相关性，随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率，中信证券预计23年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。

图：NAND 减产表述

来源：方正证券研究所

需求端，下游厂商“降成本、去库存”趋势持续，需求逐步复苏。

国内存储下游厂商江波龙近期也在机构调研中称，在经历艰难的磨底阶段后，终端库存水位逐渐恢复正常，价格回升趋势将在行业供需博弈关系中逐步建立。该公司表示，从整体趋势来看，三季度整体需求会进一步好转。从下游需求来看，目前部分客户采购有所恢复。

从下游应用来看，手机和服务器是DRAM和NAND市场中占比最大的应用领域。

手机端，根据Canalys数据，2023Q2全球智能手机出货量达2.58亿部，同比下降10%。但同比跌幅环比略有收窄，市场衰退有所放缓。随着经济逐渐复苏，手机需求将会逐步好转。此外因为Mate 60 系列手机的发布，在一定程度上能够冲抵手机的疲软需求。

服务器端，根据TrendForce调查数据，现阶段普通服务器DRAM（不含HBM）平均容量约为500至600GB。但AI服务器所需DRAM容量远高于普通服务器，且目前AI服务器成长需求较为强劲。根据TrendForce数据预测，AI服务器年增率近38%，AI服务器的大幅增长有望带来价值增量。

投资建议

从存储芯片的产品布局来看，海外巨头多聚焦于DRAM、NAND主要领域等高端市场，业务重心在大容量存储产品。而中国存储厂商则主要布局于利基型存储，包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash等中小容量产品，代表厂商有：华邦电子、旺宏电子、兆易创新、北京君正、东芯股份等。

中信证券表示，国内厂商已发布2023年中报业绩，整体来看，Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位，库存见顶，营收/出货量出现环比增长，部分厂商Q2利润端环比改善。预计23H2随库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。

中信建议关注：1）存储模组：深科技、江波龙、佰维存储、德明利、协创数据、朗科科技等；2）存储芯片设计：东芯股份、兆易创新、北京君正、普冉股份、恒烁股份等；3）存储配套芯片：澜起科技、聚辰股份等。