CMOS 图像传感器及其形成方法

申请号: 202310630542.6

【申请日】2023.05.26

【公开号】CN116435323A

【公开日】2023.07.14

【分类号】H01L27/146

【申请人】武汉新芯集成电路制造有限公司

【发明人】罗清威; 周雨薇

【摘 要】本发明涉及一种CMOS 图像传感器及其形成方法。所述CMOS 图像传感器中，源极跟随晶体管的栅极包括位于栅极沟槽内的第一栅极和位于半导体衬底上且与所述第一栅极连接的第二栅极，相对于在半导体衬底上方形成源极跟随晶体管的栅极，在占据像素平面面积不变的情况下，可以增加所述源极跟随晶体管的栅极覆盖的半导体衬底的面积，即增加了源极跟随晶体管的沟道长度，便于在确保源极跟随晶体管沟道长度足够从而确保CMOS图像传感器的性能的同时，缩小源极跟随晶体管所占据的像素平面面积，有利于像素缩小，提升CMOS 图像传感器的性能。