西安电子科技大学在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展

近期，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展，研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应，实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管，功率优值高达13.2GW/cm2，是当前氧化镓半导体器件的最高值。与当前产业界火热的第三代半导体GaN和SiC相比，该功率器件在相同耐压情况下具有更低的导通电阻，应用于电能转换领域将实现更低的功耗和更高的转换效率。相关成果以《Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3power diodes》为题发表于国际期刊《自然·通讯》（Nature Communications）。