第三代半导体之GaN

2021-04-10 16:08网易号
超硬材料工程 2021年3期
关键词:氮化充电器半导体

从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟的第三代半导体材料是SiC和GaN,而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。

换言之,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是目前最为成熟的,商业化程度最高的第三代半导体材料,资本市场就是如此,有的时候很浪漫,比如酒的故事可以说上200年,有的时候的确很现实,没有盈利模式就一无是处,薄膜光伏电池、第三代半导体都是如此。

GaN是一种III/V直接带隙半导体,通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。受电信基础设施和国防两个方向应用推动,加上卫星通信、有线宽带和射频功率的需求增长,根据中信建投的测算,GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年的约20亿美元。在GaN RF领域内,美日厂商遥遥领先,而相关专利领域的新进入者主要是中国厂商,例如 HiWafer(海威华芯),三安集成、华进创威。

现行汽车的特点和功能是耗电和电子驱动,给传统的12V配电总线带来了额外负担。对于48V总线系统, GaN 技术可提高效率、缩小尺寸并降低系统成本。综合来看,GaN 在汽车电子方面拥有丰富的应用场景。

由于GaN充电器具有体积小、发热低、功率高、支持PD协议的特点,GaN充电器有望在未来统一笔记本电脑和手机的充电器市场。随着中国OEM厂商OPPO在其65W快速充电器中采用 GaN HEMT,功率 GaN 正在进入主流消费应用。

GaN 是蓝光LED 的基础材料,在 Micro LED、紫外激光器中也有重要应用。Micro LED被认为是下一代显示技术,而硅衬底GaN 基技术的特性是制造 Micro LED 芯片的天然选择。 (网易号)

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