互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法

申请号: 202110489973.6

【公开号】CN112992954A

【公开日】2021.06.18

【分类号】H01L27/146

【申请日】2021.05.06

【申请人】上海芯物科技有限公司

【发明人】周雪梅;陈鸿

【摘 要】本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器包括第一衬底，第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；N个像素单元，像素单元包括光电二极管和像素电路，像素电路位于像素电路区，包括第一栅极结构和悬浮漏极，光电二极管与悬浮漏极电连接；导电互连单元覆盖第一衬底的第一表面，用于将像素单元的电信号引出；第二衬底位于导电互连单元，远离第一衬底一侧的表面；光反射电容单元位于第二衬底的表面，与悬浮漏极电连接。该技术方案提高了图像传感器获取的图像的真实度。