手机专用闪存主要分为eMMC和UFS两大类别,前者仅支持并行读写(即半双工运行,读写必须分开执行),哪怕是最新的eMMC5.1标准其顺序读取和写入速度也不过300MB/s和200MB/s左右,常见于售价低于千元的入门级4G手机市场。
UFS自诞生以来就一直是中高端手机的标配,它支持串行读写,带宽较eMMC得以翻倍(图1)。经过UFS2.0→UFS2.1→UFS3.0→UFS3.1一路迭代更新,其理论读写速度提升了3信有余。需要注意的是,UFS2.x閃存可以运行在1Lane(单通道)或2Lane(双通道)模式,后者性能更强但成本也会相应地提升。UFS3.x其实也存在单通道和双通道之别,只是出于成本、体验和营销的考虑,暂时还没有任何手机好意思拿单通道的UFS3.x凑数。
目前最新款5G手机都已经过渡到了UFS闪存,其中千元价位的主流5G手机大都采用单通道或双通道的UFS2.1,而2000元左右起步的中高端5G手机则大都武装UFS3.0或UFS3.1闪存。有意思的是,UFS3.0闪存也能搭配UFS3,1主打的Write Turbo和HPB技术,所以在读写速度上和UFS3.1差别不大,但后者凭借独享的Deep Sleep技术在进一步提升性能的同时还更加省电。
未来在挑选5G手机时,是否搭配UFS3.x闪存应该成为我们关注的重点,特别是搭载骁龙865系列移动平台的旗舰手机,顶级SoC+UFS3.1闪存+LPDDR5内存就是构成最强性能的“铁三角”(图2)。
相同规格闪存的读取速度相差不大,但写入速度则受容量和系统优化的影响巨大。比如都是UFS2.1闪存,有些手机的写入性能只有200MB/s,有些却能达到400MB/s,本文汇总的成绩都来自较高性能的产品数据。