新金属芯片能提高存储速度百倍

张梦然

据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究，一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维（2D）金属芯片，其厚度仅三个原子，在更节能的同时，储存速度提高了100倍之多，为开发下一代数据存储材料奠定了基础。

目前，团队已为该设计申请了专利。他们还在研究下一步改进的方法，例如寻找除二碲化钨之外的其他2D材料。研究人员表示，对超薄层进行非常小的調整，就会对它的功能特性产生很大的影响，而人们可以利用这一知识来设计新型节能设备，以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式。