洪朝生低温王国拓荒人

1944年，洪朝生同时通过了庚款留英和留美考试，他接受范绪筠老师的建议，于1945年赴美国麻省理工学院学习电子物理学，1948年获博士学位。后入普渡大学做研究。其间，洪朝生在半导体锗单晶低温运输现象的实验中，发现杂质能级上的导电现象，形成杂质导电的概念，这一工作引起了国际上对无序系统电子输运机制的探索，其所发表的论文引用寿命长达60余年。

在普渡大学，洪朝生与清华大学联系，了解回国后从事哪方面的研究工作为宜，得到錢三强、彭桓武两位先生的回复说，低温物理很重要，我国也应开展这方面的基础研究，并建议他再去西欧一年，以增长低温物理方面的见识。于是，洪朝生进入以著名物理学家昂内斯命名的荷兰莱顿大学低温实验室，从事超流氦实验研究。

洪朝生在普渡大学所取得的成就得到室主任哈洛维兹的高度认可，他多次挽留洪朝生继续从事该项研究，并允以加薪等条件，及至洪朝生到荷兰后，仍多次写信动员其重返普渡大学。与此同时，洪朝生的才华也得到著名物理学家莫特的赏识，他热情邀请洪朝生到他所在的英国利物浦大学跟他一起做位错理论研究。但洪朝生回国志向已定。

数十年后，他的学生张殿林曾问他，如果您当年不回国会是什么样的结果、会不会有更大的学术成就时，洪朝生摇摇头说：“没有如果。”——他从未动摇和后悔回国的决定。

◎ 来源|中国科学院官网，有删减

◎ 图片|中科院理化所