陈良圣
(安徽博微长安电子有限公司,安徽 六安 237000)
相比于偶极子平面阵列天线等天线形式,波导窄边裂缝阵列天线具有功率容量大﹑辐射效率高﹑宽垂直波束﹑窄水平波束和易于实现低副瓣和赋形波束等优点,广泛应用于雷达和微波通信系统中。特别对于岸基监视雷达和船用导航雷达,要求在颠簸的情况下实现垂直面的覆盖,同时在水平面满足高精度定位和抗干扰能力[1]。此时,波导窄边裂缝阵列天线具有明显的优势。
对雷达来说,应付干扰源和ARM的有效方法一般有两种:一是尽量降低雷达天线的副瓣电平;二是宽频带内的频率捷变技术和可变重复周期技术[2]。如何实现波导窄边裂缝阵列天线的宽频带和极低副瓣,国内外学者进行了大量研究,但受算法和加工误差等因素影响,实现超低副瓣仍存在诸多困难[3-4]。
综上所述,本文在对波导窄边裂缝阵列天线的关键技术进行分析的基础上,设计制作了一款L波段超低副瓣波导裂缝阵列天线。实测结果表明,该天线副瓣电平远低于-42 dB,优于现有许多设计指标,且具有增益高﹑频带宽和水平波束窄等优点,能够很好地满足岸基监视和船用导航等雷达的设计需求。
在波导窄边上开倾斜裂缝,破坏了波导内的行波状态,使开缝处产生反射波,而各裂缝反射波在波导输入端形成总反射。缝隙间距dx决定了相邻缝隙之间的相位差,因而将决定天线的输入驻波比。一般根据式(1)选择缝隙间距:
波导裂缝线阵间的距离要遵守在实空间中不出现栅瓣边缘的准则。该准则常用公式表示如下:
式中:λmin是频段内的最短工作波长,θmax是波束相对于阵面法向的最大扫描角,Δ=1/NP,NP是裂缝线源数[5]。
缝隙宽度由线阵的耐功率要求和工作频带宽度确定。裂缝越宽,线阵耐功率能力越好,工作频带也越宽。一般缝隙宽度近似满足以下不等式:
阵中波导裂缝导纳与裂缝几何参数的关系,是设计波导裂缝线阵的主要依据,通常分为理论计算法和实验测试法。因裂缝间内部互耦和外部互耦对该缝的谐振频率﹑谐振电导和电纳的影响,导致阵中裂缝谐振导纳的理论分析具有不准确性和近似性。实验测试法是精确确定阵中裂缝谐振导纳十分有效的方法,但由于低副瓣波导裂缝线阵中的缝数很多,要精确测试所有倾角的谐振电导,成本高﹑工作量巨大,且当倾角很小时由于被测量小而测不准。因而,本文采用实测与理论分析相结合的方法,在一定规模小阵中测量多个缝隙的阵中平均导纳值。测得了少数几种倾角裂缝的平均导纳值后,再对理论分析模型进行适当修正,从而确定整个线阵中所有裂缝的几何参数,完成低副瓣裂缝线阵的设计。
对于有N个倾角﹑宽度﹑长度间距均相等的开缝波导,可将其等效为双线上并联N个归一化导纳的二端口网络,如图1所示。
图1 波导窄壁缝隙阵及其等效电路
根据传输线理论,有:
当缝数>20时,可忽略边缘效应,被测缝隙波导的总传输矩阵为:
式中:
式中,y是缝隙的归一化导纳,g是电导,b是电纳,β是矩形波导中主模的传输常数,λg是主模的导波长,可以通过软件仿真求得。
令总的传输矩阵[T]为:
而散射矩阵参量与传输矩阵参量之间的关系为:
测得缝隙波导的复数散射参数S21,将式(3)~式(8)代入式(2),再利用式(9)~式(11)就可以得到关于缝隙的电导和电纳的一个联立方程组,从而可解得阵中缝隙的电导和电纳值。由于测试是在一定频率范围内进行的,故得到的是阵中缝隙的电导和电纳随频率的变化关系。根据实验和仿真计算,得到几组不同角度的谐振电导与谐振长度。由这些数据可拟合两条曲线:缝电导随倾角的拟合曲线g(θ)和缝深随倾角的拟合曲线l(θ)。通过曲线拟合,得到任一电导对应的缝的倾角,每一倾角对应一个缝深。
雷达工作频段为L波段。考虑到该雷达的低副瓣要求,采用标准矩形波导BJ14,口径为165.1 mm×82.55 mm。
阵面组成示意图如图2所示,共由30根行线源组成。根据阵面增益要求,线源间距定为dy=135 mm,俯仰口径Ly=135 mm×30=4 050 mm;综合分析取缝宽w=15 mm,缝间距dx=128 mm。考虑波束宽度指标要求,每条行馈上开72个缝隙,水平方向有效口径Lx=128 mm×72=9 216 mm。为了抑制交叉极化的影响,设计时采用较小的裂缝倾角分布,且相邻行线源之间的裂缝倒置安放。由于本天线系统频带较宽,且水平电口径较小,设计时需折衷考虑带宽拓展与交叉极化抑制的矛盾。
图2 阵面组成
选用五根等长开有72个裂缝的矩形波导组成试验小阵,所有裂缝的宽度﹑倾角及缝间距均相等。选择小角度4°﹑7°﹑10°和大角度15°﹑19°﹑23°六种倾角的裂缝进行阵中裂缝导纳测试,测得的S参数计算的不同倾角小阵的导纳随频率的关系曲线见图3。
图3 各倾角缝的导纳曲线
为了实现方位面超低副瓣电平,考虑到裂缝线源加工中的随机误差﹑裂缝间互耦影响以及线源设计中的设计剩余误差等因素,方位面拟采用-50 dB泰勒口径分布。由此得到的口径激励分布曲线如图4所示。
图4 方位面理想口径激励分布曲线
得到的泰勒口径电压分布设为Am,矩形波导衰减常数α=0.202 8 Np/m,天线辐射效率η取97%,则第一个缝(靠近激励端口)的电导为:
其他缝的电导值可按式(16)递推:
最终得到辐射效率为97%﹑-50 dB副瓣的泰勒口径分布的电导分布,如图5所示。
图5 裂缝线源各缝隙电导分布
由天线阵的电导分布,可由拟合的电导随倾角﹑缝深随倾角的变化曲线得到天线阵各缝单元的倾角和对应的缝深。仿真得到的缝隙角度与谐振电导﹑谐振切割深度的关系,分别如图6﹑图7所示。
根据上述方法,经过多次修调及仿真计算,同时考虑天线罩引入对谐 振电导的影响,可最终确定整个裂缝线源的缝隙参数[6]。
图6 缝隙角度与谐振电导的关系曲线
图7 缝隙角度与谐振切割深度的关系曲线
图8 八元阵三频点仿真波瓣图
图9 八元阵S21曲线
天线的八元阵仿真方向图如图8所示。从图8结果可以看出,工作频带范围内(带宽200 MHz),天线副瓣电平均小于-42 dB,3 dB波束宽度为2°(中频),远远达到了设计指标的需求。图9给出了天线的S21曲线仿真结果。
实际制作八元试验阵,并在微波暗室内采用近场测试法进行波瓣测试,排除误差影响,最终的实测结果与仿真结果基本一致。实物测试如图10所示。
图10 八元阵实测图
图11是波导裂缝天线阵的实测方向图。从测试结果看,主瓣左侧副瓣电平均低于-42 dB以下,主瓣右边出现两个电平较大的副瓣。理论分析知道,主瓣右侧第一个大副瓣与主瓣位置对称,是由终端反射波产生的镜像副瓣,合理调整终端吸收负载即可抑制;主瓣右侧第二个大副瓣是由于交叉极化产生的,组大阵即可得到很好的抑制效果。忽略这两个因素的影响,副瓣电平基本满足指标要求。
本文通过对低副瓣波导阵列天线设计关键技术的分析,采用实测与理论分析相结合的方法,极大地提高了天线设计精度,有效降低了天线的副瓣,设计了一款L波段宽带超低副瓣波导缝隙阵列天线。实测结果表明,该天线具有工作频带宽﹑增益高和极低的副瓣电平,满足于各种监视和导航雷达的设计要求,具有很高的实用价值。
图11 八元阵三频点实测波瓣图
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