院凌翔 吴苗苗
摘 要:运用第一性原理计算的方法,对二维金属Cr酞菁小应力作用(-4%-4%)下的电子结构调制及磁性变化进行了研究,通过稳定构型附近的应力搜索发现,拉应力比压应力更适于调控能带,3%拉应力下带隙达到了0.27eV,小应力作用下对金属酞菁的磁性几乎没有影响。
关键词:二维金属;酞菁;结构;磁性
DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.01.252
0 前言
酞菁是一种传统染料,但因其优异多样的光电特性而再次进入人们的视野[1,2]。酞菁是二维大环共轭电子体系,在酞菁的苯环上引入不同的支链,由于取代基的个数和种类不同可形成各式各样的酞菁化合物,被广泛用于非线性光学[3],光电器件[4,5],液晶材料[6],电致变色[7]等领域。环内侧与铁,钴,镍,铜和锌等过渡金属元素配位后形成酞菁金属化合物,即金属酞菁。石墨烯的大受追捧,也引发了类石墨烯结构的二维金属酞菁研究的火热,2011年Abel M等人率先在实验上合成了单层的铁酞菁平面[8],同年Jian Zhou等人从理论计算角度,分析了Cr-Zn基的电子结构和磁性性质[9]。2013年Jian Zhou等人在此基础上进一步研究了卤素原子吸附对铬酞菁,锰酞菁和铁酞菁的磁性影响[10]。然而目前,对于应力作用下二维金属酞菁的电子结构及磁性研究还是空白。本文用第一性原理计算的方法,对应力作用下二维金属Cr酞菁的电子结构及磁性进行了研究。
1 计算方法
本文中采用的是基于自旋极化密度泛函理论代码包Vienna ab initio simulation package(VASP),以平面波基组展开的PAW赝势,广义梯度近似GGA下的PBE泛函。计算时平面波展开的截断能为400eV,迭代能量收敛精度10e-4eV,Hellman-Feymann力收敛精度为0.01eV/埃。由于在强关联体系下电子之间相互作用不能忽略,因此我们采用GGA+U的方法对非局域s,p轨道电子仍采用GGA,对过渡金属(Cr,Fe,Mn)的d轨道采用库仑相互作用修正,其中电子库仑关联能(U)为4eV,电子交换关联能(J)为1eV。为了消除酞菁相邻层间相互作用的影响,在二维酞菁层间加入厚度为20埃的真空层。布里渊区采用Monkhorst-Pack高对称特殊K点的方法,即г(0,0,0),χ(0,,0),М(,,0),网格密度为9×9×1,以上所有的计算都在倒易空间中进行。
2 结果分析
经过多次优化,得到稳定的酞菁结构模型,体系在a,b方向上周期性延伸。材料的轴向应力可分为单轴应力和双轴应力,本文只考虑X,Y方向上的双轴拉伸和压缩。在稳定结构-4%~4%范围内,以步长为1%应力进行搜索,在-2%~3%内提高精度,增加密度至0.5%每间隔,得到能量与应力关系,相较于拉伸应力,金属Cr酞菁对挤压应力更为敏感,压应力2.5%左右,能量变化已经超过单位1eV,而拉应力接近4%时才超过。压缩2%比拉伸3%影响更显著,晶格畸变明显,能量变化剧烈。经过粗精度计算,我们分别选取了2%压缩和3%拉伸体系,与无应力下Cr金属酞菁进行了比较。电子结构中,以高对称点г、χ、М为路径作能带图。可以看出,无应力下能带图结果与文献中报道比较吻合,说明计算精度和过程准确可靠。Cr金属酞菁无应力作用下,带隙类型为直接带隙,能隙值为0.13eV,有助于电子的跃迁,对制造电子器件拥有材料先天优势,磁矩为4.0006。在X,Y方向施加2%的压应力,能隙减小至0.02eV,接近闭合,价带顶贯穿了费米能级,磁矩为3.9996。3%的拉伸应力下,能隙展开至0.27eV,调控效果略优于压应力,磁矩为4.0016,基本无变化。值得注意的是,无论是拉应力还是压应力,带隙均为直接带隙,价带顶和导带底均在自旋向下的高对称点M(0.5 0.5 0)点取到,类型未发生变化,对自旋向上的能带影响微弱。
3 结论与展望
金属Cr酞菁对于压应力更为敏感,压应力比拉伸应力对体系结构影响也更大,容易产生晶格畸变,原子位移。而且压应力对能带的调控效果不如拉伸应力作用直接,范围大。金属Cr酞菁的带隙主要由自旋向下的电子限制,施加应力对于自旋向上电子影响不明显。金属Cr酞菁体系呈现铁磁性,较小应力作用下,铁磁性基本不受影响。
金属酞菁的种类有很多,结构类似性质却不尽相同,由于篇幅有限,本文只研究了金属Cr酞菁,在双轴应力的能带结构和磁性变化。单轴以及双轴拉伸下其他金属酞菁,结构稳定性分析等等都需要继续深入研究。
参考文献:
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项目支持:国家自然科学基金项目“新型超卤素团簇结构设计原理与应用的计算模拟研究”(项目编号:11404395)
*为通讯作者。